HC5200

NPN S I L I C O N T RA N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HC5200
█ APPLICATIONS
●
●
Power Amplifier Applications.
Complementary to HA1943.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
TO-3P
T stg ——Storage Temperature………………………… -65~150℃
T j ——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………………150W
VCBO ——Collector-Base Voltage………………………………230V
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter，E
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………230V
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………………5V
IC——Collector Current（DC）………………………………………15A
ICP——Collector Current（Pulse）……………………………………30A
Ib——Base Current………………………………………………1.5A
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
Symbol
Characteristics
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
230
V
IC=100μA, IE=0
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
230
V
IC=50mA, IB=0
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
5
V
IE=100μA，IC=0
ICBO
Collector Cut-off Current
5
μA
VCB=230V, IE=0
IEBO
Emitter Cut-off Current
5
μA
VEB=5V, IC=0
HFE（1） DC Current Gain
55
HFE（2） DC Current Gain
35
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
Collector- Emitter Saturation Voltage
160
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=7A
0.4
Base-Emitter Voltage
3
V
IC=8A, IB=0.8A
1.5
V
VCE=5V, IC=7A
VCE=5V,IC=1A
Current Gain-Bandwidth Product
30
MHz
Output Capacitance
200
pF
█ hFE(1) Classification
R
55 - 110
O
80 - 160
VCB=10V, IE=0，f=1MHz
NPN S I L I C O N T RA N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
█ Typical Characteristics
HC5200
NPN S I L I C O N T RA N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
█ Package Dimensions
SYMBOL
MILLIMETERS
A（mm）
15.60±0.20
A1（mm）
13.60±0.20
A2（mm）
9.60±0.20
B（mm）
19.90±0.20
B1（mm）
13.90±0.20
B2（mm）
12.76±0.20
B3（mm）
3.80±0.20
C（mm）
20.00±0.30
C1（mm）
3.50±0.20
C2（mm）
16.50±0.30
D（mm）
5.45（TYP）
D1（mm）
2.0±0.20
D2（mm）
3.0±0.20
D3（mm）
1.00±0.20
E（mm）
4.80±0.20
E1（mm）
1.50±
＋0.15
－0.05
E2（mm）
1.40±0.20
F（mm）
18.70±0.20
G（mm）
0.60
φ（mm）
3.20±0.10
＋0.15
－0.05
HC5200