<MFT> 開発中 RT8H042C *本製品は開発中につき後日内容を変更することがあります。 外形図 RT8H042Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗に より構成されたMFTです。 本製品は、SRAMやマイコン（内臓RAM）のメモリなどの バックアップ機能を制御するリセット機能を有します。 パワーダウン及び電源異常時には、マイコンにリセット ⑥ ② ⑤ ③ ④ 0.33±0.05 ① 0～0.1 0.95±0.05 0.81 ●セットの小型化、高密度実装が可能 ●検出電圧（電源監視電圧）：1.23V標準 1.9±0.1 特 徴 1.1±0.1 ――― （CS ）を出力し、RAMをバックアップ回路へと 切り替えます。 2.8±0.1 0.65±0.2 1.50±0.1 0.65±0.2 2.80±0.2 ――― 信号（RES）を出力します。同時に、RAMを主電源から バックアップ電源へ切り替え、スタンバイ状態となる信号 単位：mm 1.2±0.01 概 要 ――― ●チップ・セレクト信号出力（CS ） ――― ●リセット出力（RES） 6 用途 5 4 ピン配置 ――― OA機器、産業用機器及び家庭用電化製品などの ３V系マイコンシステムのメモリバックアップ、バックアップ 機能内蔵のSRAMボードなどの外部電源と電池の 切り替えを必要とする電源のコントロールシステム等。 042 １ 2 3 ①CS ②CT ③R ④VIN ⑤GND ――― ⑥RES ブロック図 VIN コンパレーター R - リセット回路 + CS 遅延回路 RES CT GND 101224 <MFT> 開発中 RT8H042C *本製品は開発中につき後日内容を変更することがあります。 絶対最大定格（指定がない場合は、Ta＝25℃） 記 号 項 目 条 件 定格値 単位 V mW mW/℃ ℃ ℃ ℃ VIN Pd Kθ Tj Tstg 電源電圧範囲 内部消費電力 熱低減率 接合部温度 保存周囲温度 *結露なきこと 12 200 1.6 150 －40～150 Topr 動作周囲温度 *結露なきこと －20～75 Ta≧25℃ ※開発中に付き、規格は後日見直す場合がございます。 電気的特性（指定が無い場合は、Ta=25℃、VCC=3V、端子：OPEN） 記 号 VIN 項 目 条件 動作電圧範囲 規 最小 格 値 標準 最大 単位 ２ - 10 V - 700 1050 uA 1.18 1.23 1.28 V 50 104 200 mV 0.65 1.32 2 V - - 0.3 V - - VIN V - - 0.5 V - - VIN V - - 0.5 V 9.0 18.0 27.0 ms - - 0.5 uA ――― R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup，R端子：0V IIN 回路電流 VRTH R 端子閾値電圧 R端子：H⇒L時,R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup,CT端子：OPEN ヒステリシス R端子：H⇒L時,R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup ――― ――― ⊿VRTH ――― CTH CT（H)出力電圧 R端子:2V,R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup CTL CT（L)出力電圧 R端子：1V, R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup ――― ――― ――― RRESL RES（L)出力電圧 RRESH ――― R端子：2V, R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup ――― RES（H)出力電圧 R E S 端子：1mA（SINK) R 端子：1V,CＳ端子：10ｋΩ,3Vpullup ――― ―― CSH CS（H)出力電圧 CSL CS（L)出力電圧 ―― R端子：1V,R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup ―― CS 端子：1mA（SINK) ――― R端子：2V,R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ――― TPD 遅延時間 CSLEAK VIN LOW 時リーク電流 R端子：L⇒H時,R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup,CT端子：0.047uF ――― R E S 端子-VIN端子：10kΩｐｕｌｌｕｐ ―― R端子：LOW（１V)， CS 端子：10ｋΩ,3Vpullup 遅延時間＝3.83 x 105 x Ct ※開発中に付き、規格は後日見直す場合がございます。 101224 開発中 <MFT> RT8H042C *本製品は開発中につき後日内容を変更することがあります。 応用回路図 101224 http://www.idc-com.co.jp 〒854-0065 長崎県諌早市津久葉町 6-41 安全設計に関するお願い ・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社製品 の故障または誤動作によって、結果として人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した 冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 ・本資料は、お客様が用途に応じた適切なイサハヤ電子製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の 技術情報についてイサハヤ電子が所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、イサ ハヤ電子は責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他全ての情報は、本資料発行時点のものであり、特性改良などにより予告なしに 変更することがあります。製品の購入に当たりましては、事前にイサハヤ電子へ最新の情報をご確認ください。 ・本資料に記載された製品は、人命に関わるような状況の下で使用される機器、あるいはシステムに用いられることを目的 として設計、製造されたものではありません。本資料の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底 中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、イサハヤ電子へ御照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書によるイサハヤ電子の事前の承諾が必要です。 ・本資料に関し詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら、イサハヤ電子まで御照会ください。 2011年4月作成