N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 13 A VDSS 500 V Rdson（@Vgs=10V） 0.49Ω Qg 27 nC 封装 Package 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 High frequency 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 低 Crss (典型值 14pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 Low gate charge Low Crss (typical 14pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product switching mode power supply Electronic ballast UPS 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤素 Halogen Free 包 装 Packaging 器件重量 Device Weight JCS13N50CC-O-C-N-B JCS13N50CC TO-220C 否 NO 条管 Tube 2.15 g(typ) JCS13N50FC-O-F-N-B JCS13N50FC TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ) 版本：201506C 1/10 JCS13N50C R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 数 值 Value JCS13N50CC VDSS 连续漏极电流 Drain Current -Continuous ID T=25℃ T=100℃ JCS13N50FC 500 单 位 Unit V 13.0 13.0* A 8 8* A 52 52* A 最大脉冲漏极电流（注 1） IDM Drain Current -Pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 V 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 840 mJ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current （note 1） IAR 13.0 A 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche （note 1） EAR 4.8 mJ 二极管反向恢复最大电压变化 速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） dv/dt 4.5 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL Energy 190 49 W 1.57 0.39 W/℃ -55～+150 ℃ 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201506C 2/10 JCS13N50C R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最 大 单 位 Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS ID=250μA, referenced to /ΔTJ 25℃ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS ID=250μA, VGS=0V 500 - - - 0.5 - V/℃ VDS=500V, VGS=0V, TC=25℃ - - 10 μA VDS=400V, TC=125℃ - - 100 μA 正向栅极体漏电流 IGSSF Gate-body Leakage Current, Forward VDS=0V, VGS =30V - 100 nA 反向栅极体漏电流 IGSSR Gate-body Leakage Current, Reverse VDS=0V, VGS =-30V - - V -100 nA 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID=6.5A - 正向跨导 Forward Transconductance gfs - VDS = VGS , ID=250μA VDS = 40V , ID=6.5A（note 4） 2.0 - 4.0 V 0.41 0.49 Ω 14 - S 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input Capacitance Ciss 输出电容 Output Capacitance Coss 反向传输电容 Reverse Transfer Capacitance Crss 版本：201506C VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 1870 2155 pF - 170 225 pF - 14 pF 20 3/10 JCS13N50C R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最大 单位 Min Typ Max Units 开关特性 Switching –Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time VDD=250V,ID=13A,RG=25Ω （note 4，5） - 70 160 ns - 145 240 ns td(off) - 135 230 ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf - 45 120 ns 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg - 27 35 nC 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs - 9 - nC 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd - 12 - nC VDS =400V , ID=13A VGS =10V（note 4，5） 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS - - 13 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 52 A 1.5 V 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current VSD 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Qrr VGS=0V, IS=13A - VGS=0V, IS=13A dIF/dt=100A/μs (note 4) 400 ns 4.3 μC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大值 Value JCS13N50CC JCS13N50FC 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.79 2.55 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62.5 62.5 ℃/W 注 1：脉冲宽度由最高结温限制 注 2：L=9.0mH, IAS=13A, VDD=50V, Notes: RG=25 Ω,起始 结温 TJ=25℃ 注 3：ISD ≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结 温 TJ=25℃ 注 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=9.0mH, IAS=13A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 注 5：基本与工作温度无关 版本：201506C 4/10 JCS13N50C R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) On-Region Characteristics Transfer Characteristics IF vs VF IR vs VR Vgs 15.0V 10.0V 9.0V 8.0V 7.0V 6.5V Buttom : 5.5V 1 10 10 25℃ ID Drain Current[A] ID Drain Current[A] Top: 150℃ 1 Notes： 1.250μs pulse test 2.VDS=40V 0.1 0 10 0 1 10 10 VDS Drain-Source Voltage[V] 2 IF(AV) 8 10 Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature TC IF(AV) vs TC 10 IDR Reverse Drain Current[A] VGS=10V 0.4 VGS=20V 1 0.2 0 5 10 15 20 150℃ 25℃ 0.1 0.2 0.3 ID Drain Current [A] Capacitance Characteristics IF(AV) vs 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 VSD Source-Drain voltage[V] Capacitance Characteristics TC IF(AV) vs TC 12 VDS=400V 10 VDS=250V VGS Gate Source Voltage[V] RDS(on) Drain-Source On Resistance [Ω] vs 6 VGS Gate-Source Voltage[V] On-Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage 0.6 4 VDS=100V 8 6 4 2 0 0 版本：201506C 10 20 30 Qg Toltal Gate Charge [nC] 5/10 JCS13N50C R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage Variation On-Resistance Variation vs. Temperature vs. Temperature 3.0 1.2 1.1 R D(on)(Normalized) BVDS(Normalized) 2.5 1.0 0.9 Notes： 1. VGS=0V 2. ID=250 A -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Tj [ ℃ ] 2 ID Drain Current [A] 1.0 Notes： 1. VGS=10V 2. ID=6.5A 0.0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Tj [ ℃ ] Maximum Safe Operating Area For JCS13N50CC Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10 1.5 0.5 0.8 -75 2.0 Maximum Safe Operating Area For JCS13N50FC 10μs 100μs 1 10 1ms 10ms 0 10 DC 100ms Note: 1 TC=25℃ 2 TJ=150℃ 3 Single Pulse -1 10 -2 0 1 10 2 10 3 10 10 VDS Drain-Source Voltage [V] Maximum Drain Current vs. Case Temperature 14 12 ID Drain Current [A] 10 10 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 TC Case Temperature [℃ ] 版本：201506C 6/10 JCS13N50C R Transient Thermal Response Curve For JCS13N50CC Zθ JC (t) Thermal Response Transient Thermal Response Curve For JCS13N50FC 1 D=0.5 0.2 Notes: 1 Zθ JC(t)=2.5℃ /W Max 2 Duty Factor, D=t1/t2 3 TJM-Tc=PDM* Zθ JC(t) 0.1 0.05 0.1 0.02 0.01 PDM single pulse t1 0.01 t2 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 t1 Square Wave Pulse Duration [sec] 版本：201506C 7/10 R JCS13N50C 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201506C 单位 Unit：mm 8/10 R JCS13N50C 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF 版本：201506C 单位 Unit：mm 9/10 JCS13N50C R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 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