赤外線検出素子／セレクションガイド

セレクションガイド 2014.12
赤外線検出素子
赤 外 域 の さま ざ ま な 感 度 波 長 範 囲 に 対 応
INFRARED DETECTOR
赤外線検出素子
赤外線検出素子は、計測・分析・工業・通信・農業・医
学・理 化 学・天 文 学・宇 宙 などの 分 野に幅 広く利 用
されています。浜松ホトニクスは、光技術に関する
長年の経験をもとに、赤外域に合わせた幅広いラ
インアップを用意しています。なお、特注品にも対
応しています。お気軽にご用命ください。
Contents
目次
InGaAs PINフォトダイオード・・・・・ 1
PbS／PbSe光導電素子・・・・・・・・・・・・・ 9
InAs／InAsSb／InSb
光起電力素子
InSb光導電素子・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・11
MCT (HgCdTe)
光導電素子／光起電力素子 ・・・・・・14
フォトンドラッグ検出素子・・・・・・・・・・・・・・20
赤外線検出素子用アクセサリ・・・・・・・21
サーモパイル (Si熱型検出素子)・・・・17
用語の説明・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・27
複合素子・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・18
赤外線検出素子
浜松ホトニクスの赤外線検出素子
感度波長範囲 (µm)
製品名
0
1
0.5
0.9
InGaAs PINフォトダイオード
0.9
2
1.7
・短波長高感度タイプ
・0.5 µmから検出が可能
1.7
・標準タイプ
・高速、高感度、低暗電流
・各種受光面サイズ・アレイ・パッケージを用意
1.9
0.9
InGaAsイメージセンサ
特徴
3
2.1
0.9
2.6
0.9
2.55
0
5
10
15
20
1
1, 2
・1.7 µm付近の光計測用
・電子冷却型も用意
3
・水分吸収波長帯 (1.9 µm)の光計測用
・電子冷却型も用意
3
・NIR分光器用
・電子冷却型も用意
4
・分光測光用・WDMモニタ用・高速タイプを用意
感度波長範囲 (µm)
製品名
掲載
ページ
25
6, 7
特徴
掲載
ページ
PbS光導電素子
1 3.2
・赤外線入射によって抵抗値が減少する光導電素子
・常温で使用できるため、放射温度計やフレームモニタなど幅
広い範囲で使用が可能
9, 10
PbSe光導電素子
1
・5.2 µmまで検出が可能
・同じ波長領域に感度をもつほかの受光素子に比べ、高速応答
で常温で使用できるため、ガス分析計など幅広い範囲で使用
が可能
9, 10
InAs光起電力素子
1 3.8
InAsSb光起電力素子
1
InSb光起電力素子
1
InSb光導電素子
1
MCT (HgCdTe)光導電素子
1
MCT (HgCdTe)光起電力素子
1
サーモパイル
1
5.2
8.3
5.5
6.7
Si + PbS
0.2 3
Si + PbSe
0.2 4.85
複合素子
Si + InGaAs
0.32 2.55
InGaAs + InGaAs
0.9 2.55
フォトンドラッグ検出素子
25
13.5
25
10
・感度波長範囲はPbSに相当。PbSより高速応答を実現
11
・カットオフ波長が5 µm帯・8 µm帯の赤外線検出素子
・高速応答、高信頼性
11
・大気の窓の範囲 (3∼5 µm)で高感度を実現した高速センサ
12
・電子冷却型のため、高感度で長時間にわたり6.5 µm付近ま
で検出可能
12
・HgTeとCdTeの組成比の異なる、さまざまな感度波長範囲
のタイプを用意
・赤外線入射によって抵抗値が減少する高感度光導電素子
・電子冷却型・デュワ型を用意
14, 15
・高速応答、低ノイズ
15
・赤外線の入射エネルギー量に比例した熱起電力が得られる
センサ
17
・紫外から赤外域まで広い感度波長範囲をもったセンサ
・感度波長範囲の異なる2つの受光素子を同一光軸で上下に配
置したセンサ
18, 19
・10 µm帯に感度をもつ高速検出器 (CO2レーザ光検出用)
・常温動作で高速応答
詳細な製品仕様については、当社ウェブで公開しているデータシートをご覧ください。
ウェブアドレス www.hamamatsu.com
20
浜松ホトニクスの赤外線検出素子の分光感度特性 (代表例)
1014
光起電力素子
光導電素子
Si熱型検出素子
1013
短波長高感度タイプInGaAs (25 ˚C)
長波長タイプInGaAs (-196 ˚C)
D* (cm · Hz1/2/W)
1012
PbS (-20 ˚C)
InAs (-196 ˚C)
PbS (25 ˚C)
1011
MCT (-196 ˚C)
InSb (-196 ˚C)
MCT (-196 ˚C)
InAsSb (-196 ˚C)
1010
MCT (-196 ˚C)
長波長タイプInGaAs (25 ˚C)
8 µm帯用InAsSb (-30 ˚C)
109
Si (25 ˚C)
MCT (-60 ˚C)
PbSe (25 ˚C)
サーモパイル
PbSe (-20 ˚C)
InAsSb (-30 ˚C)
108
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
波長 (µm)
KIRDB0259JI
赤外線検出素子の使用にあたり、特に下記の項目について考
慮して選択してください。
黒体放射の法則 (プランクの放射則)
104
103
上記のグラフに見られるように、さまざまな分光感度特性
102
の検出素子を用意しています。素子を冷却することによっ
て、InGaAs・InAs・InSb・InAsSbは短波長側に、PbS・
PbSe・MCTは長波長側に分光感度特性がシフトします。
応答速度
さまざまな応答速度の検出素子を用意しています。なお、
PbS・PbSeは素子を冷却することによって応答速度が遅くな
るため、注意してください。
受光面サイズ、素子数
受光面サイズの小さいものから大きいものまで、各種タイプを
用意しています。また、高速マルチチャンネル分光測光用など
に適した多素子型も用意しています。
冷却方法
使いやすい常温型のほか、冷却剤が不要な電子冷却型、低ノイズ
を実現したデュワ型 (液体窒素により冷却)を用意しています。
対象物の温度
対象物の温度から検出素子を選択する場合、物体から放射され
るエネルギー分布 (エネルギーの波長依存性)を考慮する必要
があります。物体の温度が変わると、その放射エネルギー分布
は、黒体放射の法則 (プランクの放射則)にしたがって変化しま
す(右図参照)。最大感度波長 λp (μm)と物体の温度 T (K)の間
には以下の関係が成り立ちます。
λp・T=2897.9
放射強度 N. (W cm-2 sr-1µm-1)
分光感度特性
T(K)=6000
5000
4000
101
100
10-1
3000
2000
1500
1000
800
10-2
10
600
-3
400
10-4
273
10-5
200
10-6
10-7
10-8
0.1
1
10
100
波長 (µm)
KIRDB0014JB
InGaAs PINフォトダイオード
短波長高感度タイプ
(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)
型名
冷却
受光面サイズ
(mm)
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
(µm)
遮断周波数
fc
V R =1 V
(MHz)
G10899-003K
ϕ0.3
300
G10899-005K
ϕ0.5
150
G10899-01K
非冷却
ϕ1
0.5 ∼ 1.7
1.55
パッケージ
写真
TO-18
C4159-03
(P.25)
45
G10899-02K
ϕ2
10
G10899-03K
ϕ3
5
オプション
(別売)
TO-5
標準タイプ
メタルパッケージ
さまざまな受光面サイズを用意しています。
型名
冷却
受光面サイズ
(mm)
G12180-003A
ϕ0.3
G12180-005A
ϕ0.5
G12180-010A
ϕ1
G12180-020A
ϕ2
G12180-030A
ϕ3
(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
(µm)
0.9 ∼ 1.7
ϕ5
G12180-050A
非冷却
G8370-81*1
ϕ1
G8370-82*1
ϕ2
0.9 ∼ 1.7
TO-18
4
(VR=1 V)
2
(VR=1 V)
TO-5
TO-8
ϕ5
0.6
(VR=1 V)
ϕ1
40
(VR=1
13
(VR=1
7
(VR=1
3
(VR=1
40
(VR=1
13
(VR=1
7
(VR=1
3
(VR=1
G12180-120A
G12180-130A
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
ϕ2
0.9 ∼ 1.67
ϕ3
G12180-150A
ϕ5
G12180-210A
ϕ1
G12180-220A
G12180-230A
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
*1: 低PDLタイプ
赤外線検出素子
0.9 ∼ 1.65
ϕ3
ϕ5
G12180-250A
G6854-01
ϕ2
非冷却
ϕ0.08
0.9 ∼ 1.7
オプション
(別売)
TO-5
35
(VR=1 V)
G8370-85*1
写真
TO-18
TO-8
ϕ3
G12180-110A
パッケージ
3
(VR=1 V)
G8370-83*1
1.55
1
遮断周波数
fc
(MHz)
600
(VR=5 V)
200
(VR=5 V)
60
(VR=5 V)
13
(VR=1 V)
7
(VR=1 V)
C4159-03 (P.25)
V)
C4159-03 (P.25)
A3179 (P.23)
C1103-04 (P.22)
V)
V)
V)
TO-8
V)
C4159-03 (P.25)
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
V)
V)
V)
2000
(VR=5 V)
CDレンズ付
TO-18
InGaAs PINフォトダイオード
セラミックパッケージ
(Typ. Ta=25 °C)
受光面サイズ
型名
感度波長範囲
λ
(µm)
(mm)
遮断周波数
fc
V R =5 V
(MHz)
最大感度波長
λp
(µm)
ϕ0.2
G11193-02R
パッケージ
写真
1000
表面実装型
セラミック
G11193-03R
ϕ0.3
G8370-10
ϕ10
0.9 ∼ 1.7
1.55
500
0.1
(VR=0 V)
セラミック
表面実装型
(Typ. Ta=25 °C)
受光面サイズ
型名
感度波長範囲
λ
(µm)
(mm)
最大感度波長
λp
(µm)
ϕ1
G8941-01
遮断周波数
fc
V R =5 V
(MHz)
パッケージ
写真
タイプ
35
0.9 ∼ 1.7
ϕ0.5
G8941-02
200
セラミック
(未封止)
表面入射型
プラスチック
COB
1.55
G8941-03
0.9 ∼ 1.7
400
0.9 ∼ 1.7
500
ϕ0.3
G11777-003P
分光感度特性
G12180シリーズ
G10899シリーズなど
(Typ. Ta=25 ˚C)
G8370-81/-82/-83/-85
Siフォトダイオード
S1337-BQ
0.4
0.2
0
0.19
G11777-003P
1.0
0.8
0.6
0.4
Siフォトダイオード S1337-BR
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
波長 (µm)
0
0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
0.6
G8370-10
0.4
0
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
波長 (µm)
波長 (µm)
KIRDB0444JE
0.8
0.2
0.2
0.4
(Typ. Ta=25 ˚C)
1.2
Td=25 ˚C
Td=-10 ˚C
Td=-20 ˚C
G11193シリーズ
G6854-01
G8941シリーズ
0.8
0.6
1.0
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
1.0
(Typ.)
1.2
G10899シリーズ
受光感度 (A/W)
1.2
G11193シリーズ, G8370-10など
KIRDB0374JC
KIRDB0284JC
赤外線検出素子
2
長波長タイプ
最大感度波長: 1.75 μm
1.7 μm付近の光計測に適しています。
型名
冷却
受光面サイズ
(mm)
( 指定のない場合は Typ. Ta=25 °C)
感度波長範囲 最大感度波長
λp
λ
(µm)
(µm)
遮断周波数
fc
V R =0 V
(MHz)
G12181-003K
ϕ0.3
90
G12181-005K
ϕ0.5
35
G12181-010K
非冷却
ϕ1
0.9 ∼ 1.9
パッケージ
写真
TO-18
C4159-03
(P.25)
10
G12181-020K
ϕ2
2.5
G12181-030K
ϕ3
1.5
G12181-103K
ϕ0.3
140
ϕ0.5
50
オプション
(別売)
TO-5
G12181-105K
G12181-110K
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
ϕ1
0.9 ∼ 1.87
1.75
16
G12181-120K
ϕ2
3.5
G12181-130K
ϕ3
1.8
G12181-203K
ϕ0.3
150
ϕ0.5
53
G12181-205K
G12181-210K
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
ϕ1
0.9 ∼ 1.85
17
G12181-220K
ϕ2
3.7
G12181-230K
ϕ3
1.9
TO-8
C4159-03 (P.25)
A3179 (P.23)
C1103-04 (P.22)
TO-8
C4159-03 (P.25)
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
最大感度波長: 1.95 μm
1.9 μm帯の水分吸収の波長帯の光計測に適しています。
型名
冷却
受光面サイズ
(mm)
( 指定のない場合は Typ. Ta=25 °C)
感度波長範囲 最大感度波長
λp
λ
(µm)
(µm)
遮断周波数
fc
V R =0 V
(MHz)
G12182-003K
ϕ0.3
90
G12182-005K
ϕ0.5
35
G12182-010K
非冷却
ϕ1
0.9 ∼ 2.1
パッケージ
ϕ2
2.5
G12182-030K
ϕ3
1.5
G12182-103K
ϕ0.3
140
ϕ0.5
50
オプション
(別売)
TO-18
C4159-03
(P.25)
10
G12182-020K
写真
TO-5
G12182-105K
G12182-110K
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
0.9 ∼ 2.07
1.95
16
G12182-120K
ϕ2
3.5
G12182-130K
ϕ3
1.8
G12182-203K
ϕ0.3
150
ϕ0.5
53
G12182-205K
G12182-210K
3
ϕ1
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
ϕ1
0.9 ∼ 2.05
17
G12182-220K
ϕ2
3.7
G12182-230K
ϕ3
1.9
赤外線検出素子
TO-8
C4159-03 (P.25)
A3179 (P.23)
C1103-04 (P.22)
TO-8
C4159-03 (P.25)
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
InGaAs PINフォトダイオード
最大感度波長: 2.3 μm
NIR (近赤外線)分光器用に適しています。
型名
受光面サイズ
冷却
(mm)
( 指定のない場合は Typ. Ta=25 °C)
遮断周波数
fc
V R =0 V
(MHz)
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
(µm)
G12183-003K
ϕ0.3
50
G12183-005K
ϕ0.5
20
G12183-010K
ϕ1
非冷却
0.9 ∼ 2.6
パッケージ
写真
オプション
(別売)
TO-18
C4159-03
(P.25)
6
G12183-020K
ϕ2
1.5
G12183-030K
ϕ3
0.8
G12183-103K
ϕ0.3
70
ϕ0.5
25
TO-5
G12183-105K
G12183-110K
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
ϕ1
0.9 ∼ 2.57
7
2.3
G12183-120K
ϕ2
2
G12183-130K
ϕ3
0.9
G12183-203K
ϕ0.3
75
G12183-205K
ϕ0.5
28
G12183-210K
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
ϕ1
8
0.9 ∼ 2.55
G12183-220K
ϕ2
2.3
G12183-230K
ϕ3
1
TO-8
C4159-03 (P.25)
A3179 (P.23)
C1103-04 (P.22)
TO-8
C4159-03 (P.25)
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
分光感度特性
G12182シリーズ
G12181シリーズ
(Typ. VR=0 V)
1.2
1.0
(Typ. VR=0 V)
1.4
Td=25 ˚C
Td=-10 ˚C
Td=-20 ˚C
1.2
G12183シリーズ
1.2
0.6
0.4
0.2
0
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.8
0.6
KIRDB0483JC
0.6
0.4
0.2
0.2
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
波長 (µm)
波長 (µm)
0.8
0.4
0
0.8
Td=25 ˚C
Td=-10 ˚C
Td=-20 ˚C
1.0
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
1.0
0.8
(Typ. VR=0 V)
1.4
Td=25 ˚C
Td=-10 ˚C
Td=-20 ˚C
0
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
波長 (µm)
KIRDB0487JC
KIRDB0491JC
赤外線検出素子
4
プリアンプ付赤外検出モジュール
直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。
型名
検出素子
G8370-05
G6121
C12485-210
非冷却
(Typ.)
(mm)
素子温度
(°C)
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
λp
(µm)
ϕ5
25
1.70
1.55
2.05
1.95
2.56
2.30
1.66
1.55
2.4
2.0
受光面サイズ
冷却
測定条件
G12182-210K
ϕ1
C12486-210
G12183-210K
C12483-250
G12180-250A
G12183-010
(チップ)
G12183-030
(チップ)
G7754-01
G7754-03
電子冷却
-15
ϕ5
ϕ1
液体窒素
-196
ϕ3
注) 電源ケーブルが付属されています。
分光感度特性
(Typ. T=25 ˚C)
1013
C12483-250
G7754-01/-03
D*λ (cm ∙ Hz1/2/W)
G6121
1012
C12485-210
1011
C12486-210
1010
0.5
1
1.5
2
2.5
3
波長 (µm)
KIRDB0369JE
5
赤外線検出素子
写真
InGaAs PINフォトダイオード
イメージセンサ、フォトダイオードアレイ
分光分析用InGaAsリニアイメージセンサ
1段電子冷却型は-10 ℃まで冷却が可能で、感度波長範囲は0.9∼1.67 µmです。
型名
冷却
画素ピッチ
画素数
(µm)
G9211-256S
50
256
G9212-512S
25
512
50
256
25
512
受光面サイズ
(mm × mm)
感度波長範囲
λ
(µm)
不良画素の
割合
0.9 ∼ 1.67
1% max.
感度波長範囲
λ
(µm)
不良画素の
割合
写真
専用駆動回路
(別売)
12.8 × 0.25
G9213-256S
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
C8061-01
12.8 × 0.5
G9214-512S
不良画素がなく全画素の出力が得られ、高精度な測定に適しています
型名
冷却
画素ピッチ
画素数
(µm)
G9201-256S
G9202-512S
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
G9203-256D
非冷却
G9203-256S
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
50
256
25
512
受光面サイズ
(mm × mm)
写真
12.8 × 0.25 0.9 ∼ 1.67
専用駆動回路
(別売)
C8061-01
0.9 ∼ 1.7
50
256
0.9 ∼ 1.67
0
C8061-01
12.8 × 0.5
G9204-512D
非冷却
0.9 ∼ 1.7
25
G9204-512S
512
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
0.9 ∼ 1.67
C8061-01
2段電子冷却型は-20℃まで冷却が可能で、0.9∼2.55 µmの波長域の計測に適しています。
型名
冷却
画素ピッチ
画素数
(µm)
受光面サイズ
(mm × mm)
感度波長範囲
λ
(µm)
G9205-256W
0.9 ∼ 1.85
G9206-256W
0.9 ∼ 2.05
G9206-02
G9207-256W
G9208-256W
50
G9208-512W
写真
専用駆動回路
(別売)
5% max.
0.9 ∼ 2.25
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
12.8 × 0.25
C8062-01
0.9 ∼ 2.55
G9205-512W
G9206-512W
0.9 ∼ 2.15
256
不良画素の
割合
0.9 ∼ 1.85
25
512
0.9 ∼ 2.15
4% max.
0.9 ∼ 2.55
赤外線検出素子
6
高速タイプInGaAsリニアイメージセンサ
産業計測装置に適した高速リニアイメージセンサです。
型名
画素ピッチ
冷却
画素数
受光面サイズ
256
12.8 × 0.05
(mm × mm)
(µm)
G9494-256D
50
非冷却
G9494-512D
25
512
感度波長範囲
λ
(µm)
不良画素の
割合
0.9 ∼ 1.7
1% max.
写真
専用駆動回路
(別売)
C10820
12.8 × 0.025
多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024画素、近赤外／高速リニアイメージ
センサです
型名
画素ピッチ
冷却
受光面サイズ
画素数
(mm × mm)
(µm)
G10768-1024D
感度波長範囲
λ
(µm)
不良画素の
割合
0.9 ∼ 1.7
1% max.
写真
専用駆動回路
(別売)
25.6 × 0.1
非冷却
25
1024
C10854
25.6 × 0.025
G10768-1024DB
裏面入射型InGaAsリニアイメージセンサ
裏面入射型InGaAsフォトダイオードとCMOS-ROICをバンプ接続しており、1つの出力端子となっています。
型名
画素ピッチ
冷却
画素数
受光面サイズ
(mm × mm)
(µm)
G11135-256DD
50
256
12.8 × 0.05
G11135-512DE
25
512
12.8 × 0.025
128
6.4 × 0.5
G11620-256DA
256
12.8 × 0.5
G11620-256DF
256
6.4 × 0.5
512
12.8 × 0.5
50
256
12.8 × 0.5
25
512
12.8 × 0.5
感度波長範囲
λ
(µm)
不良画素の
割合
写真
専用駆動回路
(別売)
C11514
G11620-128DA
50
非冷却
0.95 ∼ 1.7
1% max.
25
C11513
G11620-512DA
G11620-256SA
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
G11620-512SA
0.95 ∼ 1.67
分光感度特性
G10768シリーズ
G9201∼G9208シリーズなど
(Typ.)
Td=25 °
C
G9206-256W
Td=-10 °
C
C
Td=-20 °
G9205-256W
G9201∼G9204/
G9211∼G9214/
1.0 G9494シリーズ
(Typ.)
1.2
50 ˚C
G9207-256W
1.0
G9208-256W
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
1.5
G11135シリーズ
G11620シリーズ
0.5
0.8
0 ˚C
0.6
25 ˚C
0.4
0.2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
波長 (µm)
波長 (µm)
KMIRB0068JD
7
赤外線検出素子
0
0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8
KMIRB0042JC
InGaAs PINフォトダイオード
InGaAsエリアイメージセンサ
裏面入射型InGaAsフォトダイオードとCMOS読み出し回路 (ROIC: readout integrated circuit)を内蔵したハイブリッド構造の
イメージセンサです。
型名
画素ピッチ
冷却
画素数
受光面サイズ
64 × 64
3.2 × 3.2
(mm × mm)
(µm)
G11097-0606S
感度波長範囲
λ
(µm)
不良画素の
割合
専用駆動回路
(別売)
写真
C11512
1段電子冷却
(Td=25 °C)
0.95 ∼ 1.7
50
G11097-0707S
128 × 128
6.4 × 6.4
C11512-01
1% max.
1段電子冷却
(Td=0 °C)
G12460-0606S
64 × 64
G12242-0707W
1.12 ∼ 1.9
3.2 × 3.2
C11512
128 × 128 2.56 × 2.56
2段電子冷却
(Td=15 °C)
C11512-02
20
0.95 ∼ 1.7
640 × 512 12.8 × 10.24
G12242-0909W
0.37% max.
C12376
フォトダイオードアレイ
4分割型と16素子／40素子アレイを用意しています。
受光面サイズ
型名
(Typ. Ta=25 °C)
最大感度波長
λp
(µm)
感度波長範囲
λ
(µm)
(mm)
パッケージ
写真
ϕ1 (4分割)
G6849-01
TO-5
ϕ2 (4分割)
G6849
G7150-16
0.45 × 1.0
(16素子)
G7151-16
0.08 × 0.2
(16素子)
0.9 ∼ 1.7
G12430-016D
0.45 × 1.0
(16素子)
G12430-032D
0.2 × 1.0
(32素子)
G12430-064D
0.2 × 1.0
(64素子)
1.55
セラミック
セラミック
(未封止)
ϕ0.08 (40素子)
G8909-01
分光感度特性
InGaAsエリアイメージセンサ
G12460-0606S
(Typ. Ta=25 °C)
1.0
1.2
0.4
0.2
0.8
0.8
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
0.6
0.6
0.4
1.2
1.4
1.6
1.8
波長 (µm)
0
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.4
0
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
波長 (µm)
波長 (µm)
KMIRB0051JB
0.6
0.2
0.2
1.0
(Typ. Ta=25 °C)
1.0
1.0
0.8
0
0.8
InGaAsフォトダイオードアレイ
(Typ. Ta=25 °C)
KMIRB0078JA
KIRDB0002JB
赤外線検出素子
8
PbS／PbSe光導電素子
赤外線入射によって抵抗値が減少する光導電素子です。PbSは1∼3.2 μm、PbSeは1∼5.2 μmに対応しています。
PbS光導電素子
1∼3.2 μmの範囲内で感度をもった赤外線検出素子です。常温で使用できるため、放射温度計やフレームモニタなど幅広い分野で
用いられています。
(Typ.)
型名
受光面サイズ
冷却
(mm)
P9217
1×5
P9217-02
2×2
P9217-03
非冷却
カットオフ波長
λc
(µm)
2.9
オプション
(別売)
C3757-02
(P.26)
TO-8
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
3.1
C3757-02 (P.26)
A3179 (P.23)
C1103-04 (P.22)
2.4
4×5
TO-8
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
P2682-01
写真
2.2
4×5
P2532-01
パッケージ
TO-5
3×3
P9217-04
最大感度波長
λp
(µm)
3.2
C3757-02 (P.26)
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
2.5
分光感度特性
(Typ.)
1012
D* (λ, 600, 1) (cm · Hz1/2/W)
P2682-01
(Td=-20 ˚C)
P2532-01
(Td=-10 ˚C)
1011
P9217-04
(Td=25 ˚C)
1010
109
1
2
3
4
波長 (µm)
KIRDB0375JA
PbSe光導電素子
1.5∼5.2 μmの範囲内で感度をもった赤外線検出素子です。常温で高感度・高速応答を実現しています。冷却することによって、
さらにS/Nが向上します。このため冷却型は、分析・計測などの精密測光用として広く用いられています。
型名
冷却
受光面サイズ
(mm)
P9696-02
2×2
P9696-03
3×3
カットオフ波長 最大感度波長
λc
λp
(µm)
(µm)
4.8
P9696-102
P9696-103
2×2
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
パッケージ
10
TO-5
4.35
4.25
5.1
4.1
2×2
P9696-203
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
3×3
2×2
5.2
3×3
* バンドパスフィルタ内蔵。感度波長範囲は4∼4.8 μm。
9
赤外線検出素子
写真
4.2
C3757-02
(P.26)
C3757-02 (P.26)
A3179 (P.23)
C1103-04 (P.22)
20
P9696-202
(Typ.)
オプション
(別売)
4.0
非冷却
P3207-08*
上昇時間
max.
(µs)
TO-8
C3757-02 (P.26)
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
PbS／PbSe光導電素子
分光感度特性
P3207-08
P9696シリーズ
(Typ.)
Td=-20 ˚C
1010
Td=-10 ˚C
Td=25 ˚C
109
108
107
1
2
3
4
5
6
(Typ.)
1010
D* (λ, 600, 1) (cm · Hz1/2/W)
D* (λ, 600, 1) (cm · Hz1/2/W)
1011
109
108
107
4.0
7
4.1
波長 (µm)
4.2
4.3
4.4
4.5
波長 (µm)
KIRDB0342JE
KIRDB0540JB
プリアンプ付赤外検出モジュール
直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。
型名
測定条件
受光面サイズ
検出素子
冷却
素子温度
(°C)
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
λp
(µm)
非冷却
25
4.8
4.0
3.1
2.4
電子冷却
-15
5.0
4.1
(mm)
PbSe
(P9696-03)
P4245
3×3
PbS
(P2682-01)
PbSe
(P9696-203)
P4638
P4639
(Typ.)
4×5
3×3
写真
注) 電源ケーブルが付属されています。
分光感度特性
(Typ. Td=25 ˚C)
D* (λ, 600, 1) (cm · Hz1/2/W)
1013
1012
P4638
1011
1010
P4639
109
P4245
10
8
1
2
3
4
5
6
波長 (µm)
KIRDB0370JC
赤外線検出素子
10
InAs／InAsSb／InSb光起電力素子、InSb光導電素子
InAs光起電力素子は約3.5 μmまで、InSb光起電力素子は約5.5 μmまで、InSb光導電素子は約6 μmまで検出が可能です。
InAsSb光起電力素子は5 μm帯で高感度を実現しています。InSb光導電素子はアレイにも対応可能です(特注品)。
また、InAs／InSb光起電力素子はそれぞれPbS／PbSe光導電素子に近い感度波長範囲をもち、高速応答・高S/Nを特長として
います。
InAs光起電力素子
3.5 μm付近まで検出が可能な、低ノイズ・高速応答の光起電力素子です。
型名
冷却
受光面サイズ
(mm)
(Typ.)
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
パッケージ
P10090-01
非冷却
3.65
3.35
P10090-11
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
3.55
3.30
P10090-21
2段電子冷却
(Td=-30 °C)
3.45
3.25
液体窒素
(Td=-196 °C)
3.10
3.00
C4159-07
(P.25)
TO-5
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
C4159-06 (P.25)
ϕ1
P7163
オプション
(別売)
写真
(µm)
TO-8
A3179-01 (P.23)
C1103-04 (P.22)
C4159-06 (P.25)
C4159-05
(P.25)
メタルデュワ
InAsSb光起電力素子
当社独自の結晶技術により、カットオフ波長 5 μm帯または8 μm帯を実現しています。
型名
受光面サイズ
冷却
(mm)
液体窒素
(Td=-196 °C)
P11120-901
ϕ1
P11120-201
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
5.8
4.8
5.9
4.9
パッケージ
8.3
オプション
(別売)
写真
(µm)
2段電子冷却
(Td=-30 °C)
P12691-201
(Typ.)
メタルデュワ
C4159-01
(P.25)
TO-8
C4159-07
(P.25)
6.7
分光感度特性
InAsSb光起電力素子
InAs光起電力素子
C-H系 CO2, SOX
(Typ.)
1012
CO NOX
1011
1011
D* (λ, 1200, 1)(cm · Hz1/2/W)
D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)
P7163
(Td=-196 ˚C)
P10090-21 (Td=-30 ˚C)
1010
109
P10090-11
(Td=-10 ˚C)
P10090-01
(Td=25 ˚C)
108
P11120-901
(Td=-196 ˚C)
P12691-201
(Td=-30 ˚C)
1010
109
P11120-201
(Td=-30 ˚C)
107
8
1
2
3
10
4
2
波長 (µm)
赤外線検出素子
4
5
6
7
8
9
波長 (µm)
KIRDB0356JD
11
3
KIRDB0430JE
InAs／InAsSb／InSb光起電力素子, InSb光導電素子
InSb光起電力素子
3∼5 μmの大気の窓の範囲で高感度を実現した低ノイズ・高速応答の光起電力素子です。5 μm帯において最も高感度・高速応
答の検出ができます。液体窒素で冷却するメタルデュワ型を用意しています。
型名
カットオフ波長
λc
(µm)
受光面サイズ
冷却
(mm)
P5968-060
ϕ0.6
P5968-100
ϕ1
P5968-200
P5968-300
(Typ.)
最大感度波長
λp
(µm)
パッケージ
専用アンプ
(別売)
写真
C4159-01
(P.25)
C4159-04
(P.25)
ϕ2
液体窒素
(Td=-196 °C)
5.5
P4247-16
P4247-44
5.3
メタルデュワ
ϕ3
特注品
0.25 × 1.4
(16素子)
0.45 × 0.45
(4 × 4素子)
-
InSb光導電素子
6 μm付近まで、高感度で高速の検出が可能な電子冷却型の光導電素子です。
型名
冷却
P6606-110
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
P6606-210
2段電子冷却
(Td=-30 °C)
受光面サイズ
カットオフ波長
λc
(mm)
(µm)
(Typ.)
最大感度波長
λp
(µm)
パッケージ
オプション
(別売)
写真
A3179-01 (P.23)
Ｃ1103-07 (P.22)
Ｃ5185-02 (P.26)
6.7
1×1
TO-8
A3179-01 (P.23)
C1103-07 (P.22)
Ｃ5185-02 (P.26)
6.5
5.5
P6606-310
1×1
3段電子冷却
(Td=-60 °C)
P6606-305
0.5 × 0.5
P6606-320
6.3
A3179-04 (P.23)
C1103-05 (P.22)
Ｃ5185-02 (P.26)
TO-3
2×2
分光感度特性
InSb光起電力素子
(Typ. T=-196 ˚C)
1011
1010
(Typ.)
1011
D* (λp, 1200, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
1012
D* (λp, 1200, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
InSb光導電素子
P6606-310
(Td=-60 ˚C)
1010
P6606-210
(Td=-30 ˚C)
109
P6606-110
(Td=-10 ˚C)
108
7
1
2
3
4
5
10
6
1
2
3
4
5
6
7
波長 (µm)
波長 (µm)
KIRDB0063JE
KIRDB0166JC
赤外線検出素子
12
プリアンプ付赤外検出モジュール
直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。
型名
測定条件
受光面サイズ
検出素子
冷却
素子温度
(°C)
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
λp
(µm)
電子冷却
-58
6.10
5.50
液体窒素
-196
5.50
5.30
電子冷却
-28
3.45
3.25
(mm)
InSb
(P6606-310)
P4631-03
P7751-01*1
P7751-02*1
C12492-210
1×1
InSb
(P5968-060)
InSb
(P5968-200)
ϕ0.6
InAs
(P10090-21)
ϕ1
ϕ2
*1: FOV=60°
注) 電源ケーブルが付属されています。
分光感度特性
(Typ.)
D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)
1012
P7751-01/-02
(Td=-196 °
C)
1011
C12492-210
(Td=-28 °
C)
1010
P4631-03
(Td=-58 °
C)
109
108
1
2
3
4
5
6
7
波長 (µm)
KIRDB0371JF
13
赤外線検出素子
(Typ.)
写 真
MCT (HgCdTe)光導電素子／光起電力素子
MCT光導電素子は、赤外線入射によって抵抗値が減少するセンサで、22 μmまでの範囲でさまざまな感度波長範囲のタイプが
あります。MCT光起電力素子は、赤外線入射によって光電流が発生します。
MCT光導電素子
メタルパッケージ
非冷却型・1段電子冷却型は10 μmまで感度をもつため、CO2レーザ光のモニタ用に適しています。2／3段電子冷却型は、短波長
において、高感度を実現しています。
(Typ.)
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
λp
(µm)
パッケージ
非冷却
10.0
6.5
BNCコネクタ付
特注品
1段電子冷却
(Td=0 °C)
10.6
7.0
TO-8
A3179-01 (P.23)
C1103-07 (P.22)
4.3
3.6
TO-8
4.3
3.6
TO-66
5.4
4.8
TO-8
5.5
4.8
TO-3
型名
冷却
受光面サイズ
(mm)
P3257-30
P3257-101
1×1
P3981
P3981-01
2段電子冷却
(Td=-30 °C)
P2750-08
P2750
3段電子冷却
(Td=-60 °C)
1×1
写真
オプション
(別売)
A3179-01*1 (P.23)
C1103-07 (P.22)
C5185-03 (P.26)
A3179-04 (P.23)
C1103-05 (P.22)
C5185-03 (P.26)
*1: P3981・P2750-08用。P3981-01用放熱器は特注品。
メタルデュワ型
常温付近における非接触温度測定用に適した最大感度波長 10 μmのタイプ、FTIR用に適した長波長タイプ (狭／中／広波長帯
域用)を用意しています。
型名
(Typ.)
冷却
受光面サイズ
(mm)
P3257-25
0.025 × 0.025
P3257-01
0.1 × 0.1
P3257-10
1×1
P4249-08
0.5 × 0.5／8素子
P2748-40
P2748-42
液体窒素
(Td=-196 °C)
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
λp
(µm)
パッケージ
写真
オプション
(別売)
A3515 *2 (P.22)
12
10
サイドオン型
メタルデュワ
1×1
14
12
A3515 (P.22)
C5185-02 (P.26)
0.25 × 0.25
P5274
1×1
17
14
P5274-01
1×1
22
17
P2748-41
1×1
14
12
ヘッドオン型
メタルデュワ
*2: P3257-25用アンプにも対応が可能です (特注品)。
赤外線検出素子
14
分光感度特性
P3981シリーズ
P3257-30/-101
(Typ.)
108
P2750シリーズ
(Typ.)
12
10
(Typ.)
1011
P3257-101 (Td=0 °
C)
107
106
P3257-30 (Td=25 °
C)
Td=-30 °
C
11
10
10
Td=0 °
C
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
1
2
3
4
D* (λ, 1200, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
D* (λ, 1200, 1) (cm × Hz1/2/W)
6
5
7
8
4
5
6
波長 (µm)
KIRDB0068JG
(Typ. Td=-196 °
C)
1011
1010
4
3
P2748/P5274シリーズ
(Typ. Td=-196 ˚C)
3
2
KIRDB0066JF
P3257-01/-10/-25, P4249-08
2
1
5
KIRDB0164JG
1
109
波長 (µm)
波長 (µm)
1011
P2750-08 (Td=-30 °
C)
10
10
1
10
10
8
9
105
109
D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)
D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)
D* (λ, 600, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
P2750 (Td=-60 °
C)
P2748-40/-41/-42
P5274
1010
109
108
9 10 11 12 13 14
P5274-01
1
5
波長 (µm)
10
15
20
25
波長 (µm)
KIRDB0169JB
KIRDB0072JH
MCT光起電力素子
(Typ.)
型名
受光面サイズ
冷却
(mm)
P9697-01
ϕ1
分光感度特性
(Typ. Td=-196 ˚C)
D* (λ, 1200, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
1011
1010
109
108
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
波長 (µm)
15
赤外線検出素子
最大感度波長
λp
(µm)
パッケージ
13
11
メタルデュワ
ϕ0.5
液体窒素
(Td=-196 °C)
P9697-02
カットオフ波長
λc
(µm)
KIRDB0334JB
写真
オプション
(別売)
C4159-07
(P.25)
MCT (HgCdTe)光導電素子／光起電力素子
プリアンプ付赤外検出モジュール
直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。
型名
受光面サイズ
検出素子
測定条件
冷却
(mm)
C12495-211S
MCT
(P3981)
C12495-311M
MCT
(P2750)
C12495-111L
MCT
(P3257-101)
C12495-411V
MCT
(P2748-40)
電子冷却
(Typ.)
素子温度
(°C)
カットオフ波長
λc
(µm)
最大感度波長
λp
(µm)
-25
4.3
3.6
-58
5.5
4.8
-3
11.5
6.5
-196
14
12
写真
1×1
メタルデュワ
注) 電源ケーブルが付属されています。
分光感度特性
(Typ.)
D* (λ, 1200, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
1012
C12495-311M
(Td=-58 °
C)
1011
1010
C12495-411L
(Td=-196 °
C)
109
C12495-211S
(Td=-25 °
C)
108
C12495-111L
(Td=-3 °
C)
107
106
105
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
波長 (µm)
KIRDB0372JF
赤外線検出素子
16
サーモパイル（Si熱型検出素子）
シングル素子
ガス分析などに適した高感度のサーモパイルです。3∼5 μm帯の透過率を高めた窓材のTO-18パッケージを採用しています。
ユーザサイドでバンドパスフィルタをサーモパイルに外付けすることによって、さまざまなガス分析への応用が可能になります。
型名
パッケージ
素子数
受光面サイズ
(mm)
窓材
感度波長範囲
(µm)
TO-18
1
1.2 × 1.2
ARコート付Si
3∼5
写真
T11262-01
T11361-01*1
*1: サーミスタ内蔵
デュアル素子
二酸化炭素(CO 2) の濃度の高精度計測用に開発したデュアルタイプのサーモパイルです。2波長 (参照光: 3.9 μm, CO 2: 4.3
μm)を同時検出できるように、高感度2素子サーモパイルチップとバンドパスフィルタから構成されています。
型名
パッケージ
素子数
受光面サイズ
(mm)
窓材
感度波長範囲
(µm)
TO-5
2
1.2 × 1.2
(1素子当たり)
バンドパスフィルタ
参照光: 3.9
CO2: 4.3
T11722-01
写真
分光感度特性 (代表例)
サーモパイルは波長依存性がないため、分光感度特性は窓材の透過特性で決まります。
以下に代表的な窓材の分光透過特性を示します。サーモパイルの下記窓材への付け替えについては当社営業へお問い合わせください。
100
ARコート付Si
T11262-01
90
5 µmロングパス
80
8∼14 µmバンドパス
70
3.9 µmバンドパス
T11722-01 (参照光)
透過率 (%)
60
Si
50
4.3 µmバンドパス
T11722-01 (CO2)
40
30
4.4 µmバンドパス
20
10
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
波長 (µm)
KIRDB0512JA
17
赤外線検出素子
複合素子
感度波長範囲の異なる２つの受光素子を同一光軸で上下に配置したセンサです。広い感度波長範囲を実現しています。電子冷却型
は、素子を冷却して温度を一定に保つことによって、S/Nが向上し高精度の測定が可能になります。
型名
冷却
検出素子
Si
感度波長範囲 最大感度波長
受光面サイズ
λ
λp
(mm)
(µm)
(µm)
2.4 × 2.4
K1713-01
0.94
0.45
2.2
6 × 104
(V/W)
0.94
0.45
4.0
1.5 × 103
(V/W)
0.94
0.45
1.55
0.55
0.94
0.45
0.2 ∼ 2.9
PbS
1.8 × 1.8
Si
2.4 × 2.4
K1713-002
0.2 ∼ 4.8
PbSe
1.8 × 1.8
Si
2.4 × 2.4
K1713-05
非冷却
InGaAs
ϕ0.5
Si
2.4 × 2.4
InGaAs
ϕ1
Si
2.4 × 2.4
K1713-08
K1713-09
ϕ1
InGaAs
2.4 × 2.4
ϕ1
Si
2.4 × 2.4
PbS
1.8 × 1.8
Si
2.4 × 2.4
K3413-002
2.3
0.60
0.94
0.45
1.55
0.55
1.55
0.95
2.1
1.0
0.94
0.45
2.4
3 × 105
(V/W)
0.94
0.45
4.1
4.5 × 103
(V/W)
0.94
0.45
1.55
0.55
0.94
0.45
2.3
0.60
0.94
0.45
1.55
0.55
0.96
0.45
1.55
0.55
1.55
0.95
2.1
1.0
0.2 ∼ 5.1
PbSe
1.8 × 1.8
Si
2.4 × 2.4
InGaAs
ϕ0.5
Si
2.4 × 2.4
K12728-010K
TO-5
C9329
C4159-03
(P.25)
C4159-03
(P.25)
0.32 ∼ 1.67
C9329
C3757-02
(P.26)
A3179-03
(P.23)
C1103-04
(P.22)
TO-8
C9329
C4159-03
(P.25)
A3179-03
(P.23)
C1103-04
(P.22)
0.32 ∼ 2.57
InGaAs
ϕ1
Si
2.4 × 2.4
InGaAs
ϕ1
Si
2.4 × 2.4
K3413-09
C9329
C3757-02
(P.26)
0.9 ∼ 2.55
InGaAs
K3413-08
専用アクセサリ
(別売)
写真
0.32 ∼ 1.7
0.2 ∼ 3.1
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
パッケージ
0.32 ∼ 1.7
K3413-01
K3413-05
(Typ.)
0.32 ∼ 2.6
InGaAs
K11908-010K
受光感度
S
(A/W)
0.32 ∼ 1.67
0.32 ∼ 1.65
InGaAs
ϕ1
InGaAs
2.4 × 2.4
InGaAs
ϕ1
非冷却
セラミック
K12729-010K
-
0.9 ∼ 2.55
分光感度特性
K1713-01/-002, K3413-01/-002
［ Siフォトダイオード ］
［ PbS光導電素子 ］
(Typ. Ta=25 ˚C)
1014
［ PbSe光導電素子 ］
(Typ. Ta=25 ˚C)
1011
(Typ. Ta=25 °C)
1010
Td=-10 ˚C
1013
1012
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Td=25 ˚C
1010
109
1.0
D* (λp, 600, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
D* (λ, 600, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)
D*λ(cm ∙ Hz1/2/W)
Td=-10 ˚C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
KIRDB0058JE
Td=25 ˚C
108
107
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
波長 (µm)
波長 (µm)
波長 (µm)
109
KIRDB0282JB
KIRDB0283JC
赤外線検出素子
18
K1713-05/-08/-09
［ Siフォトダイオード ］
(Typ. Ta=25 ˚C)
0.7
0.6
0.6
0.5
0.5
0.4
0.3
0.4
K1713-05/-09
0.2
0.1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
K1713-08
0.3
0.2
0
0.2
(Typ. Ta=25 ˚C)
0.7
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
［ InGaAs PINフォトダイオード ］
0
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
1.2
波長 (µm)
波長 (µm)
KIRDB0199JA
KIRDB0211JA
K3413-05/-08/-09
［ InGaAs PINフォトダイオード ］
［ Siフォトダイオード ］
(Typ. Ta=25 ˚C)
0.6
0.6
0.5
0.5
0.4
0.3
0.4
K3413-05/-09
0.2
0.1
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
K3413-08
0.3
0.2
0
0.2
(Typ. Td=-10 ˚C)
0.7
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
0.7
0
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
1.2
波長 (µm)
波長 (µm)
KIRDB0199JA
KIRDB0212JA
K11908-010K, K12729-010K
K12728-010K
(Typ. Ta=25 °C)
1.2
(Typ. Ta=25 °
C)
0.7
0.6
1.0
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
0.5
0.8
InGaAs (λc=2.55 µm)
0.6
0.4
InGaAs (λc=1.7 µm)
InGaAs
0.4
0.3
Si
0.2
0.2
0.1
0
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
波長 (µm)
赤外線検出素子
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
波長 (µm)
KIRDB0479JB
19
0
0.2
KIRDB0598JB
フォトンドラッグ検出素子
入射フォトンの進む方向に正孔がひきずられて起電力が発生する“フォトンドラッグ効果”を応用した検出器です。10.6 μmに
感度をもっているため、CO2レーザの検出に適しています。なお、入射面には反射防止膜が施されています。
常温型
(Typ.)
型名
ϕ5.0
10.6
1.2 × 10-6
受光面サイズ
冷却
B749
(mm)
最大感度波長
λp
(µm)
受光感度
S
λ=10.6 µm
(V/W)
非冷却
専用
マグネットスタンド
(別売)
写真
A1447
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±1)
B749
マグネットスタンド A1447
79.5 ± 2
30
1/4-20UNC
BNCコネクタ
KIRDA0016JE
100
1/4-20UNC
160 min. 230 max.
受光部
49.5
16.0 ± 0.5
20
5.5
20
KIRDA0017EA
赤外線検出素子
20
赤外線検出素子用アクセサリ
当社は以下の赤外線検出素子用アクセサリを用意しています。
· 温度コントローラ (P.22)
· 電子冷却型用放熱器 (P.23)
· チョッパ (P.24)
· 赤外線検出器用アンプ (P.25)
接続例を以下に示します。
赤外線検出素子用アクセサリの接続例
*1
電源 (±15 V)
POWER
OUT
測定機器
*2
チョッパ
C4696
電子冷却型
検出素子 *3
赤外線検出素子用アンプ
C4159/C5185シリーズ
C3757-02
放熱器
A3179シリーズ
電源
(100 V, 115 V, 230 V)
˚C
GND
+12 V
POWER
CHOPPER
TRIG
*3
温度コントローラ
C1103シリーズ
チョッパ駆動回路
(C4696の付属品)
電源 (+12 V)
KACCC0321JB
ケーブル番号
ケーブル
およその長さ
備考
①
同軸ケーブル (信号用)
2m
放熱器 A3179シリーズに付属しています。
ケーブルはできるだけ短くして使用してください。
(10 cm程度が望ましい)
②
4芯ケーブル (コネクタ付)
A4372-05
3m
温度コントローラ C1103シリーズに付属しています。
別売もしています。
③
電源ケーブル (4芯コネクタ付)
A4372-02
2m
赤外線検出素子用アンプ C4159/C5185シリーズ、
C3757-02、プリアンプ付赤外検出モジュール (常温型)に
付属しています。
別売もしています。
6芯ケーブル (コネクタ付き)A4372-03
[プリアンプ付赤外検出モジュール (電子冷却型)に付属]の
別売もしています。
④
BNCコネクタケーブル E2573
1m
別売品
⑤
電源ケーブル
(温度コントローラ用)
⑥
チョッパ駆動ケーブル
(チョッパに接続されている)
⑦
2芯ケーブルまたは同軸ケーブル
(チョッパの電源用)
1.9 m
2m
2 m以下
温度コントローラ C1103シリーズに付属しています。
チョッパ駆動回路に接続してください。
ユーザーにて用意してください。
*1: バラ線を3∼4ピンコネクタまたはバナナプラグに付けて電源に接続してください。
*2: はんだ付けが必要です。アンプ C5185シリーズを使用する場合、BNCコネクタが必要です。(ユーザーにて用意してください。例: E2573の一端)
*3: 専用ソケットはありません。はんだ付けが必要です。
注) ケーブルについての詳細はデータシートを参照してください。
21 赤外線検出素子
赤外線検出素子用アクセサリ
温度コントローラ C1103シリーズ
C1103シリーズは、電子冷却型赤外線検出素子用の温度コントローラです。検出素子内部の電子冷却素子の温度設定をすること
が可能です。
仕様
項目
対応製品*1
設定素子温度
C1103-04
C1103-05
C1103-07
1段／2段電子冷却型
PbS, PbSe光導電素子
InAs光起電力素子
InGaAs, Siフォトダイオード
2段／3段電子冷却型
MCT, InSb光導電素子
1段電子冷却型
MCT, InSb光導電素子
-30 ∼ +20 °C
-75 ∼ -25 °C
-30 ∼ +20 °C
±0.1 °C以内
温度安定度
制御出力電流
1.1 A min, 1.2 A typ., 1.3 A max.
100 V ± 10%・50/60 Hz*2
電源
消費電力
30 W
外形寸法
107 (W) × 84 (H) × 190 (D) mm
質量
約1.9 kg
動作温度
+10 ∼ +40 °C
動作湿度
90%以下
-20 ∼ +40 °C
保存温度
取扱説明書
4芯ケーブル (コネクタ付, 3 m) A4372-05*3 、電源ケーブル
付属品*4
*1:
*2:
*3:
*4:
電子冷却型プリアンプ付赤外検出モジュールには対応していません。本製品は、複数の電子冷却素子の温度設定をすることはできません。
外部電源入力は出荷時に100 V、115 V、あるいは230 Vに変更することができます。
放熱器 A3179シリーズと組み合わせて使う場合には、A3179シリーズ付属の4芯ケーブルは使わないでA4372-05を使ってください。
結露なきこと
ブロック図
C1103シリーズ
電子冷却型
検出素子
サーミスタ
電流回路
増幅回路
比較回路
電子冷却素子
電源
AC入力
KIRDC0008JB
メタルデュワ型バルブオペレータ A3515
バルブオペレータを用いてメタルデュワの再排気を行うことができます。
詳細は取扱説明書をご覧ください。
なお、バルブオペレータによって再排気を行った後の素子の性能については保証の対象外となりますので、ご承知願います。
真空排気系
バルブオペレータ
メタルデュワ型検出器
外形寸法図 (単位: mm)
ポンプチューブ
9.5 ± 0.5
ノブ
リーク台
グランドナット
O-リング
80.0 ± 1 (閉)
115.0 ± 1 (開)
KIRDA0021JC
赤外線検出素子
22
放熱器 (電子冷却型検出素子TO-8／TO-3パッケージ用) A3179シリーズ
6ピンTO-8パッケージおよびTO-3パッケージの電子冷却型検出素子用に設計された放熱器です。A3179・A3179-03は周囲
温度 25 °Cに対しては約35 °C、A3179-01は約40 °C、A3179-04は約85 °Cの冷却が可能です。A3179-03は複合素子
K3413シリーズ専用、A3179は一段電子冷却型TO-8用、A3179-01は２段電子冷却型TO-8用、A3179-04はTO-3用です
(TO-66用は特注品)。
付属品
■
取扱説明書
■
4芯ケーブル (2 m): 冷却素子・サーミスタ用*1 *2
■
同軸ケーブル (2 m): 信号用*2
*1: 温度コントローラ C1103シリーズと組み合わせて使う場合には、A3179シリーズ付属の4芯ケーブルは使わないで4芯ケーブル A4372-05 (別売、コネクタ付)を
使ってください。
*2: 検出素子接続用のソケットは付属していません。はんだ付けにて検出素子を接続します。検出素子のピンとはんだ付け部を絶縁用ビニールチューブで覆ってください。
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±0.3)
A3179
0.4 ± 0.3*2
3
受光面*3
検出素子
メタルパッケージ
32
(4 ×)
3.5
40
46
32
26.0 ± 0.2
*1
3
60˚
32.6
質量: 約50 g
*1: 検出素子メタルパッケージの底面 (基準面)
*2: 素子を組み込んだときの寸法
*3: 使用する素子ごとに受光面の位置が異なります。
詳細は使用する素子の外形寸法図を参照してください。
KIRDA0018JD
A3179-01, A3179-03
0.4 ± 0.3*2 受光面*3
検出素子
メタルパッケージ
3
32
(4 ×) 3.5
40
46
32
26.0 ± 0.2
*1
B
60˚
36
A3179-01: B=6
A3179-03: B=6.4
質量: 約53 g
*1: 検出素子メタルパッケージの底面 (基準面)
*2: 素子を組み込んだときの寸法
*3: 使用する素子ごとに受光面の位置が異なります。
詳細は使用する素子の外形寸法図を参照してください。
KIRDA0019JD
3 ± 0.5
A3179-04
(4 ×) 3.5 ± 0.5
40
56
+10
.7
19
38 ± 0.5
固定板
受光面
56
6.7 ± 0.5
68
45
80
質量: 約320 g
KIRDA0149JB
23
赤外線検出素子
赤外線検出素子用アクセサリ
チョッパ C4696
仕様
項目
仕様
チョッピング周波数*1
115∼380 Hz, 345 Hz typ.*1
動作電圧 VD
DC 5∼13 V, 12 V typ.
デューティ比
1:1
回転安定度
0.06%/°C
同期信号 VH
(ハイレベル)
Min.
VD - 0.5 V
Max.
VD - 0.2 V
0 ∼ 50 °C
動作温度
最大消費電流*2
90 mA
付属品
マグネットスタンド A1447 (P.20参照)、駆動回路
*1: オプションの円盤を使用した場合、230 ∼ 760 Hz になります。
*2: VD=12 V
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±1)
チョッピング周波数−動作電圧
〈チョッパ本体〉
(Typ.)
800
入射窓
4.0
23.0 45.0
700
チョッピング周波数 (Hz)
19
出射窓
8.0
202.3∼272.3 (可変)
88
A1447
(マグネットスタンド)
600
500
オプションの円盤
使用時
400
300
200
C4696
100
6ピンレセプタクル
コード長 2 m
(駆動回路部を接続)
0
2
4
6
8
10
12
14
動作電圧 (V)
KIRDB0376JA
〈駆動回路部〉
TRIG
38.5
13.5
25
12.5
37
COUNTER
+12 V
ON-OFF
BNC
18
12.5
17.5
85
30
60
6ピンコネクタ
GND
KIRDA0022JA
赤外線検出素子
24
赤外線検出素子用アンプ C4159/C5185シリーズ, C3757-02
InSb, InAs, InAsSb, InGaAs, MCT, PbS, PbSeの各検出素子用の低ノイズアンプです。
付属品
取扱説明書
■
■
電源ケーブル (アンプ接続用4ピンコネクタ付、片側: バラ線、2 m) A4372-02
必要な電源の仕様
・C4159シリーズ: ±15 V ± 0.5
・C5185シリーズ: ±15 V ± 0.5
・電流容量: アンプの最大消費電流の1.5倍以上
・リップルノイズ: 5 mVp-p以下
・アナログ電源のみ
推奨直流電源 (例): PMM18-2.5DU [菊水電子工業 (株)]
PLD-18-2 [松定プレシジョン (株)]
E3620A, E3630A [アジレント・テクノロジー (株)]
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
定格値
単位
動作温度
0 ∼ +40
°C
保存温度
-20 ∼ +70
°C
光起電力素子用アンプ (Typ.)
項目
C4159-01
C4159-04
C4159-05
適合検出素子*1 *2 *3
デュワ型InSb
(P5968-060, P5968-100)
デュワ型InAsSb
(P11120-901)
デュワ型InSb
(P5968-200)
デュワ型InAs
(P7163)
変換インピーダンス
108, 107, 106
(3レンジ切替)
2 × 107, 2 × 106, 2 × 105
(3レンジ切替)
108, 107, 106
(3レンジ切替)
DC ∼ 45 kHz
DC ∼ 15 kHz
周波数特性 (アンプのみ, -3 dB)
DC ∼ 100
kHz*4
出力インピーダンス
常温型InAs
(P10090-01)
電子冷却型
電子冷却型
InAs
InAsSb
(P10090-11/-21)
(P11120-201,
P12691-201)
106, 105, 104
106, 105, 104
(3レンジ切替)
(3レンジ切替)
DC ∼ 100 kHz
DC ∼ 100 kHz
f=1 kHz)
0.15 (108, 107レンジ)
0.65 (106レンジ)
-
V/A
-
±10
V
±5
±10
±5
±5
mV
0.55
0.15 (108, 107レンジ)
0.65 (106レンジ)
6
10
pA/Hz1/2
逆電圧
0 Vで使用、外部から印加可能
±15
外部電源*6
消費電流
単位
Ω
+10
±5
出力オフセット電圧
等価入力雑音電流
C4159-07
50
最大出力電圧 (1 kΩ負荷)
(*5,
C4159-06
±15
+30, -10 max.
+30, -22 max.
V
mA
InGaAs PINフォトダイオード用アンプ (Typ.)
項目
C4159-03
単位
InGaAs
-
変換インピーダンス
107, 10 6 , 10 5
(3レンジ切替)
V/A
周波数特性 (アンプのみ, -3 dB)
適合検出素子*1
*2
DC ∼ 15 kHz
-
出力インピーダンス
50
Ω
最大出力電圧 (1 kΩ負荷)
+10
V
出力オフセット電圧
±5
mV
等価入力雑音電流 (f=1 kHz)
2.5
pA/Hz1/2
外部から印加可能
-
±15
V
±15 max.
mA
逆電圧
外部電源*6
消費電流
注)
*1:
*2:
*3:
*4:
出力雑音電圧 = 等価入力雑音電流 × 変換インピーダンス
本製品は、複数の検出素子を駆動することはできません。
この項目に掲載された製品以外と組み合わせて使用することを希望する場合には、事前に当社へご連絡ください。
多素子タイプと組み合わせて使用することを希望する場合には、当社へご連絡ください。
素子接続時は60 kHz以下になります (ϕ0.6 mm: 60 kHz以下、ϕ1 mm: 25 kHz以下)。入射光の立ち上り時間 tr (10∼90%)が約100 μs以下になると出力にリンギングが
発生します。リンギングはtrが小さくなると大きくなります。ただし正弦波光ではリンギングは発生しません。リンギング規格については、データシートを参照してください。
*5: 入力抵抗: 1 MΩ (C4159-01/-04/-05), 500 Ω (C4159-06/-07)
*6: 推奨直流電源 (アナログ電源): ±15 V、電流容量: 最大消費電流の1.5倍以上、リップルノイズ: 5 mVp-p以下
25
赤外線検出素子
赤外線検出素子用アクセサリ
光導電素子用アンプ (Typ.)*1
項目
C5185-02
C5185-03
C3757-02
単位
適合検出素子*2 *3 *4
デュワ型MCT,
InSb (P6606シリーズ)
MCT
(P3981/P2750シリーズ)*5
PbS, PbSe
-
入力インピーダンス
5
5
10000
kΩ
66 (× 2000)
66 (× 2000)
40 (× 100)
dB
5 Hz ∼ 250 kHz
5 Hz ∼ 250 kHz
0.2 Hz ∼ 10 kHz
-
5 mA, 10 mA, 15 mA
(3レンジ切替)
0.1 mA, 0.5 mA, 1 mA
(3レンジ切替)
内蔵バイアス
-
電圧ゲイン
周波数特性 (アンプのみ, -3 dB)
検出素子バイアス電流
出力インピーダンス
最大出力電圧 (1 kΩ負荷)
等価入力雑音電圧 (f=1 kHz)
2.6
50
Ω
±10
V
1.8
nV/Hz1/2
40
±15
外部電源*6
消費電流
+100, -30 max.
V
+100, -30 max.
+15, -15 max.
mA
注) 出力雑音電圧 = 等価入力雑音電圧 × 電圧ゲイン
検出素子のバイアス電流が、表中の検出素子バイアス電流の値と適合していることを事前に確認してください。
本製品は、複数の検出素子を駆動することはできません。
この項目に掲載された製品以外と組み合わせて使用することを希望する場合には、事前に当社へご連絡ください。
多素子タイプと組み合わせて使用することを希望する場合には、当社へご連絡ください。
MCT (P3257-25/-30/-101)用のアンプはカスタム対応です。
推奨直流電源 (アナログ電源): ±15 V､電流容量: 最大消費電流の1.5倍以上､リップルノイズ: 5 mVp-p以下
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±1)
C3757-02
C4159-01/-03/-04/-05/-06/-07
OUT
OUT
BNC コネクタ
ゲインつまみ
BNC コネクタ
オフセット電圧調節ネジ
38.5
25
37
PREAMPLIFIER
POWER
IN
13.5
12.5
4ピンコネクタ
60
HIGH
MID
LOW
39.5
11.5
24.5
25
PREAMPLIFIER
POWER
60
37
12.5
4ピンコネクタ
IN
85
26.2
23
15
23
35
18
12
18
30
85
ここにリードをはんだ付けする
ここにリードをはんだ付けする
ピン接続
GND
検出素子
検出素子
ピン接続
GND
カソード
アノード
注) リード取り付け用の専用ソケットは
用意していません
注) リード取り付け用の専用ソケットは
用意していません
KIRDA0046JC
KIRDA0049JC
24.5
PREAMPLIFIER
POWER
HIGH
MID
LOW
IN
39.5
60
30
4ピンコネクタ
11.5
C5185-02/-03
OUT
BNC
バイアスつまみ
BNC コネクタ
18
18
21.2
85
30
*1:
*2:
*3:
*4:
*5:
*6:
KIRDA0048JA
赤外線検出素子
26
用語の説明
暗抵抗: Rd
端子間容量: Ct
光導電素子 (PbS, PbSe, MCTなど)の暗中での素子抵抗。
光起電力素子は、PN接合により1つのコンデンサが形成さ
れていると考えることができます。この容量を接合容量と
いい、応答速度を決める大切な値になります。オペアンプ
を用いたI-V変換回路では、ゲインピーキング現象の要因に
なる場合があります。当社では、接合容量にパッケージの
浮遊容量を含めた端子間容量として規定しています。
暗電流: I D
光起電力素子 (InGaAs, InAs, InSbなど)に逆電圧を印加する
と、暗中でも微少な電流が流れます。これを暗電流と呼び、
検出限界を決める要因となります。
FOV (fi eld of view)
視野角。視野は背景放射によるノイズと関係があり、D * に
大きな影響を及ぼします。
短絡電流: Isc
入力がゼロのときのアンプ出力直流電圧。
短絡電流は、負荷抵抗 0のときの出力電流を示し、おおむ
ね素子の面積に比例します。分光感度に対して白色光感度
と呼ばれ、光源に分布温度 (色温度) 2856 Kの標準タング
ステンランプ (照度100 lx)を使用します。
受光感度: S
カットオフ波長: λc
入射光量 1 W時の出力、つまり光電感度を示す値。
通常、光導電素子の場合の単位はV/W、光起電素子はA/Wで
す。ただし、フォトンドラック検出素子は、CO 2 レーザのパ
ルス入射エネルギー 1 kWに対する出力電圧として表します。
分光感度特性の長波長側の限界を示す値。データシートで
は、最大感度の10％になる波長を記載しています。
オフセット電圧
光起電力素子 (フォトダイオード)
半導体のPN接合部に光を照射すると、電流や電圧を発生す
る受光素子。InGaAs、InAs、InAsSb、InSb、MCTなど
があります。
光導電素子
光が入射すると導電率が大きくなる受光素子。PbS、
PbSe、MCT などがあります。
最大感度波長: λp
受光感度が最大となる波長。
(最大)逆電圧: VR (max.), (最大)印加電圧
光起電力素子に逆電圧、あるいは光導電素子に電圧を印加し
ていくと、ある電圧でブレークダウンを起こし、素子の特性
が著しく劣化します。そのため、この電圧値より少し低目の
ところに絶対最大定格を定めています。定格値以上の電圧は
印加しないでください。
(最大)許容電流
光導電素子の動作時に流すことができる電流の上限の値。電
流を最大許容電流以上に流すと、素子の特性を劣化させるた
め、絶対に避けてください。
チョッピング周波数
赤外線検出素子の感度測定時、チョッパを使って入射光を
オン/オフさせる方法があります。そのときのチョッパの周
波数をチョッピング周波数といいます。
D * (ディ・スター: 比検出能力)
1 Wの光入力があったときに、検出素子の交流的なS/Nが
どれだけあるかを示すもので、検出素子面積によらずに検
出素子の特性そのものを比べられるように検出素子面積 1
cm2、雑音帯域 1 Hzで規格化されています。D*の表示は一
般にD* (A, B, C)のように表し、Aは光源の温度 [K]または
波長 [µm]、Bはチョッピング周波数 [Hz]、Cは雑音帯域幅
[Hz] を意味します。単位はcm・Hz 1/2/Wで、D * が高いほ
ど、よい検出素子といえます。
なおD*は以下の式から求められます。
1
D* =
S/N・Δf 2
P・A
1
2
Sは信号、Nは雑音、Pは入射エネルギー [W/cm 2 ]、Aは
受光面積[cm 2]、Δfは雑音帯域幅 [Hz]を表します。また、
D*とNEPの間には以下の関係が成り立ちます。
1
D* =
A2
NEP
雑音等価電力: NEP (noise equivalent power)
ノイズ: N
雑音量に等しい入射光量、つまり信号対雑音比 (S/N)が1と
なる入射光量。当社は最大感度波長 (λp)での値を規定して
います。雑音量は、周波数帯域幅の平方根に比例するため、
バンド幅を1 Hzで正規化します。
300 K背景放射の下における光導電素子の出力電圧。
NEP [W/Hz1/2] =
雑音電流 [A/Hz1/2]
受光感度 [A/W] at λp
遮断周波数: fc
出力に変化のない周波数領域から3dB減衰する周波数。遮
断周波数 (fc)と上昇時間 (tr)の関係は、おおよそ次の式で
表されます。
tr [s] =
0.35
fc [Hz]
上昇時間: tr
上昇時間は、ステップ関数の光入力に対する立ち上がりの
時間で規定し、出力が最高値 (定常値)の10%から90%
(または0%から63%)になるまでの時間。光源には、検出
素子に応じてGaAs LED (0.92 µm)やレーザダイオード
(1.3 µm)などが使われます。
27 赤外線検出素子
並列抵抗: Rsh
並列抵抗は、光起電力素子における0 V付近での電圧̶電
流比で、当社カタログでは以下の式で規定しています。
このときの暗電流は、逆電圧が10 mVのときの値です。
10 [mV]
Rsh [Ω] =
ID [A]
光起電力素子に逆電圧を印加しない用途では、並列抵抗で
発生するノイズが支配的となります。
量子効率: QE
光電流として取り出される電子あるいは正孔の数を入射フォ
トン (光子)数で割った値。通常、パーセントで表されます。
量子効率 QEと受光感度 S [A/W]は、ある波長 λ [nm]にお
いて以下の関係にあります。
QE =
S × 1240
× 100 [%]
λ
浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い
弊社の製品は、一般電子機器 (計測機器、事務機器、情報通信機器、家電機器など)に使用される
ことを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を
要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機
器および防災・安全装置など)には使用しないでください。
絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。
弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊
社の製品を用いて製造されたお客様の機器において万一製品が故障した場合にも、人身事故、火
災事故、その他、社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策設
計、誤動作防止設計など)を施してください。特に製品の誤動作や故障により人の生命・身体への
危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を
十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用については、事前に
仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。
最終需要者に対して、製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに適
切な警告・表示などを十分に実施してください。
製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、製品の修理また
は代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改造、
弊社製品資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したこ
となど)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。なお、納入仕様書などで製品ご
とに保証期間を定めている場合は、その期間を保証期間とします。
弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出
関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。
なお、輸出関連法規に関する製品の該当／非該当については弊社営業にお問い合わせください。
弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定
の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の
実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財
産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。
製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期する
ため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使
用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。
弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。
■
営業品目
光半導体製品ラインアップ
受 光 素 子
光半 導 体 製 品
Siフォトダイオード
APD
● MPPC
● フォトIC
● イメージセンサ
● PSD
（位置検出素子）
● 赤外線検出素子
● LED
● 光通信用デバイス
● 車載用デバイス
● X線フラットパネルセンサ
● ミニ分光器
● 光半導体モジュール
●
●
Siフォトダイオード、APD、MPPC
フォトIC
イメージセンサ
PSD（位置検出素子）
赤外線検出素子
X線フラットパネルセンサ
電子 管 製 品
光電子増倍管
光電子増倍管モジュール
● マイクロチャンネルプレート
● イメージインテンシファイア
● キセノンランプ・水銀キセノンランプ
● 重水素ランプ
● 光源応用製品
● レーザ応用製品
● マイクロフォーカスX線源
● X線イメージングデバイス
●
●
LED
光通信用デバイス
車載用デバイス
ミニ分光器
システム応 用 製 品
カメラ・画像計測装置
X線関連製品
● ライフサイエンス分野製品
● 医療分野製品
● 半導体故障解析装置
● FPD/LEDの特性評価装置
● 分光計測・光計測装置
●
●
レー ザ製品
●
●
半導体レーザ及び応用製品
固体レーザ
光半導体モジュール
●
●
本資料の記載内容は、平成26年12月現在のものです。
製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。
Cat. No. KIRD0001J11 Dec. 2014 (1,000)
仙台市青葉区上杉1-6-11 (日本生命仙台勾当台ビル2階)
茨城県つくば市研究学園5-12-10 (研究学園スクウェアビル7階)
東京都港区虎ノ門3-8-21 (虎ノ門33森ビル5階)
浜松市中区砂山町325-6 (日本生命浜松駅前ビル4階)
大阪市中央区安土町2-3-13 (大阪国際ビル10階)
福岡市博多区博多駅東1-13-6 (竹山博多ビル5階)
仙 台 営 業 所
筑 波 営 業 所
東 京 営 業 所
中 部 営 業 所
大 阪 営 業 所
西日本営業所
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