セレクションガイド 2015.1 Si APD (アバランシェ・フォトダイオード) 内 部 増 倍 機 能 を もった 高 速・高 感 度 の フォト ダ イ オ ード Si AVALANCHE PHOTODIODES S i P h o t o d i o d e Si APD (アバランシェ・フォトダイオード) 内 部 増 倍 機 能 を もった 高 速・高 感 度 の フォト ダ イ オ ード 短波長タイプ Si APD ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥5 ・ 低バイアス動作 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥5 Contents 目次 1 イメージセンサ ・ 低端子間容量 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6 近赤外タイプ Si APD ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥7 APD モジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 12 ・ 低バイアス動作 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥7 ・ 標準タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 12 ・ 低温度係数 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥9 ・ 高感度タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 12 ・ 900 nm 帯、低端子間容量 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 10 ・ 高安定タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 13 ・ 1000 nm 帯／高感度 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 11 ・ 高速タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 13 イメージセンサ 2 Si APD (アバランシェ・フォトダイオード) APDは、逆電圧を印加することにより光電流が増倍される高速・高感度のフォトダイオードです。APDは素子内部に信号の増倍 機能をもつため、PINフォトダイオードに比べ高い S/Nを得られ、高精度な光波距離計やシンチレータを用いた微弱光検出など幅 広い用途で利用されます。PINフォトダイオードに比べ微弱な光を検出できる反面、高い逆電圧が必要なことや増倍率が温度に依 存するなど、注意が必要な点もあります。 Si APD 推奨波長 (nm) 最大感度波長 (nm) 型名 パッケージ 低バイアス動作 200 ∼ 650 620 S12053シリーズなど メタル S8664-Kシリーズ メタル 低端子間容量 320 ∼ 650 600 S8664-55/-1010 タイプ 短波長 タイプ S8550-02 S12023シリーズなど メタル 紫外∼可視域の感度を向上させたタイプ ・微弱光検出 ・分析機器 近赤外域で感度が高く、バイアス電圧 (動作電圧)の低いタイプ ・空間光伝送 ・光波距離計 ・光ファイバ通信 600 ∼ 800 S10341シリーズ 小型・薄型、低価格 表面実装型 近赤外 タイプ 低温度係数 900 nm帯、 低端子間容量 1000 nm帯／ 高感度 用途 セラミック 800 低バイアス動作 特長 760 S12427-02 600 ∼ 800 800 S12060シリーズなど メタル ・空間光伝送 バイアス電 圧 の 温 度係 数 が 低く、増 倍 率 ・光波距離計 の調整が容易 ・光ファイバ通信 860 S12426シリーズなど メタル 900 nm帯の感度を向上させたタイプ 800 ∼ 1000 840 S12926-02/-05 900 S12926-02F/-05F 960 S11519シリーズ 900 ∼ 1150 小型・薄型、低価格、高速 ・光波距離計 ・レーザレーダ ・空間光伝送 表面実装型 メタル 小型・薄型 ・光波距離計 ・レーザレーダ 小型・薄型、フィルタ付き 1000 nm帯の 感 度を向上させた バイア ・YA G レ ー ザ 検 出 ス電圧 (動作電圧)の低いタイプ など APDモジュール 種類 型名 特長 標準タイプ C12702シリーズ 近赤外タイプ・短波長タイプのAPDを内蔵、FC／SMAファイバアダプタも用意 高感度タイプ C12703シリーズ 低照度光検出用の高ゲインタイプ 高安定タイプ C10508-01 デジタル温度補償タイプの高安定APDモジュール 高速タイプ C5658 広帯域周波数 (∼1 GHz)において使用可能 アバランシェ増倍の原理 APDの光電流の発生機構は、通常のフォトダイオードと同じです。フォトダイオードに、バンドギャップ以上のエネルギーを もつ光が入射すると、その光エネルギーにより電子−正孔対が発生します。このとき入射フォトン数に対して発生した電子−正 孔対の割合を量子効率 QE (単位: %)と定義します。APDの内部でキャリアが発生する機構はフォトダイオードと変わりませ んが、APDは発生したキャリアを増倍する機能をもっている点がフォトダイオードと異なります。 PN接合に逆電圧を印加すると、空乏層内部で発生した電子−正孔対のうち、電子はN + 側に、正孔はP + 側にそれぞれ電界 によってドリフトします。このときのキャリアのドリフト速度は電界が高くなるほど速くなりますが、ある電界に達すると結晶 格子との散乱頻度が増して、ある一定の速度に飽和するようになります。さらに電界が高くなると結晶格子との衝突を免れた キャリアは非常に大きなエネルギーをもつようになります。そして、このキャリアが結晶格子と衝突すると新たな電子−正孔対 を発生させる現象が起こります。この現象をイオン化と呼びます。この電子−正孔対が新たに電子−正孔対を発生させるとい うように、イオン化は連鎖的に発生します。 APDの動作原理 - - - - ++ - - + - + 発生したキャリアが、高電界で加速 されて、新たに電子−正孔対を 発生させる イオン化 N+ P アバラン シェ層 P- + P 高電圧 3 Si APD 発生したキャリアも加速されて、 新たな電子−正孔対を発生させる 連鎖が起こる アバランシェ増倍 印加バイアスに応じた増倍率を得 ることができる KAPDC0006JC 分光感度特性 (Si APD) (Typ. Ta=25 ° C, M=50, λ=650 nm) 55 近赤外タイプ (1000 nm帯／高感度) 50 45 近赤外タイプ (低バイアス動作) 受光感度 (A/W) 40 近赤外タイプ (低温度係数) 35 30 短波長タイプ (低バイアス動作) 25 短波長タイプ (低端子間容量) 20 15 10 近赤外タイプ (900 nm帯、低端子間容量) 5 0 200 600 400 800 1000 1200 波長 (nm) KAPDB0195JD 遮断周波数−推奨波長 (受光面サイズ 0.5 mmで比較) 1000 高 近赤外タイプ 低バイアス動作 低温度係数 ( 遮断周波数 (MHz) 800 ) 短波長タイプ (低端子間容量) 600 近赤外タイプ 900 nm帯、 低端子間容量 ( 近赤外タイプ (1000 nm帯／高感度) ) 短波長タイプ (低バイアス動作) 400 200 低 0 200 400 600 800 1000 1200 波長 (nm) KAPDB0196JD 感度−応答速度 (APDモジュール) 1010 9 10 C12703-01 DC∼100 kHz -1.5 × 108 V/W 感度 (V/W) 108 C10508-01 DC∼10 MHz 2.5 × 105∼2 × 107 V/W C12703 DC∼10 MHz 1.5 × 106 V/W 107 106 C5658 50 kHz∼1 GHz 2.5 × 105 V/W 5 10 C12702シリーズ 受光面サイズ・波長により 4種類を用意 4 kHz∼100 MHz -1 × 104 V/W 4 10 103 DC 10 100 1k 10 k 100 k 1M 10 M 100 M 1G 応答速度 (Hz) KAPDB0197JC Si APD 4 短波長タイプSi APD 紫外∼可視光域の感度を向上させた短波長用Si APDです。短波長域で高い増倍率が得られ、高感度・低ノイズを実現しています。 微弱光計測・分析機器などの用途に適しています。 低バイアス動作 有効*1 受光面 サイズ (mm) 型名 感度波長 範囲 (nm) 降伏電圧 max. ID=100 µA (V) 降伏電圧の 温度係数 (V/°C) 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 上昇*2 時間 RL=50 Ω (ns) 端子間*2 容量 ϕ0.2 900 0.4 2 S12053-05 ϕ0.5 400 0.9 5 S12053-10 ϕ1.0 250 1.5 15 200 0.14 ϕ1.5 S9075 パッケージ (pF) S12053-02 200 ∼ 1000 増倍率 λ=650 nm TO-18 50 100 3.5 30 TO-5 S5344 ϕ3.0 25 14 120 S5345 ϕ5.0 8 45 320 TO-8 *1: 増倍作用が得られる範囲 *2: 表中の増倍率で動作させたときの値 分光感度特性 量子効率−波長 (Typ. Ta=25 ° C, M at 650 nm) 30 増倍率−逆電圧 (Typ. Ta=25 ° C) 100 (Typ. λ=650 nm) 1000 M=50 -20 ° C 100 M=20 40 ° C 10 60 ° C 20 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) 波長 (nm) KAPDB0010JD Si APD 20 ° C 40 10 M=10 5 0° C 60 増倍率 20 量子効率 (%) 受光感度 (A/W) 80 1 130 140 150 160 逆電圧 (V) KAPDB0023JB KAPDB0011JC 短波長タイプSi APD 低端子間容量 有効*1 受光面 サイズ (mm) 型名 感度波長 範囲 (nm) 降伏電圧 max. ID=100 µA (V) 降伏電圧の 温度係数 (V/°C) 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 上昇*2 時間 RL=50 Ω (ns) 端子間*2 容量 増倍率 λ=420 nm パッケージ (pF) S8664-02K ϕ0.2 700 0.5 0.8 S8664-05K ϕ0.5 680 0.52 1.6 S8664-10K ϕ1.0 530 0.66 4 S8664-20K ϕ2.0 280 1.3 11 S8664-30K ϕ3.0 140 2.5 22 S8664-50K ϕ5.0 60 6 55 40 9 80 TO-5 TO-8 S8664-55 320∼1000 500 0.78 5×5 50 セラミック S8664-1010 10 × 10 11 32 270 4 × 8素子アレイ 有効*1 受光面 サイズ (mm) 型名 感度波長 範囲 降伏電圧 max. 降伏電圧の 温度係数 (nm) (V) (V/°C) 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 500 0.78 250 1.6 × 1.6 320 ∼ 1000 (× 32素子) S8550-02 端子間*2 容量 増倍率 λ=420 nm パッケージ (pF) 9 (1素子当たり) 50 セラミック *1: 増倍作用が得られる範囲 *2: 表中の増倍率で動作させたときの値 25 量子効率−波長 (Typ. M=50 at 420 nm) S8664-02K/-05K/-10K/ -20K/-30K/-50K 15 10 (Typ. λ=420 nm) 1000 S8664-55/-1010 S8550 80 量子効率 (%) 受光感度 (A/W) 100 S8664-55/-1010 S8550 20 増倍率−逆電圧 (Typ. Ta=25 ° C) -20 ° C 100 0° C 60 40 増倍率 分光感度特性 S8664-02K/-05K/-10K/ -20K/-30K/-50K 20 ° C 40 ° C 10 20 5 0 200 400 600 800 1000 1200 0 200 60 ° C 400 600 800 1000 1200 波長 (nm) 波長 (nm) KAPDB0073JC 1 200 300 400 500 逆電圧 (V) KAPDB0125JA KAPDB0076JB Si APD 6 近赤外タイプSi APD 低バイアス動作 低いバイアス電圧で動作する近赤外域用Si APDです。200 V以下のバイアス電圧で高い増倍率を得ることができるため、 空間光伝送・レーザレーダ・光ファイバ通信などの用途に適しています。 型名 S12023-02 有効*1 受光面 サイズ (mm) 感度波長 範囲 (nm) 降伏電圧 max. ID=100 µA (V) 降伏電圧の 温度係数 (V/°C) 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 端子間*2 容量 増倍率 λ=800 nm パッケージ (pF) ϕ0.2 1000 1 ϕ0.5 900 2 S12023-05 S12051 TO-18 S12086 100 S12023-10 400∼1000 200 0.65 ϕ1.0 600 6 ϕ1.5 400 10 S12023-10A S3884 TO-5 S2384 ϕ3.0 120 40 60 S2385 ϕ5.0 40 95 40 TO-8 表面実装型 表面実装型プラスチックパッケージのSi APDで、量産性に優れた安価な小型タイプです。 型名 S10341-02 有効*1 受光面 サイズ (mm) 感度波長 範囲 (nm) 降伏電圧 max. ID=100 µA (V) S12427-02 ϕ0.5 ϕ0.2 *1: 増倍作用が得られる範囲 *2: 表中の増倍率で動作させたときの値 7 Si APD (V/°C) ϕ0.2 200 S10341-05 降伏電圧の 温度係数 端子間*2 容量 増倍率 λ=800 nm パッケージ (pF) 1000 1 900 2 1500 1.2 0.65 400∼1000 120 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 0.42 100 プラスチック 近赤外タイプSi APD 分光感度特性 S12023/S10341シリーズ, S12051, S12086, S3884, S2384, S2385 S12427-02 (Typ. Ta=25 ° C, M at 800 nm) 50 (Typ. Ta=25 ° C, M=100 at 760 nm) 50 M=100 40 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 40 30 M=50 20 10 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 1000 0 400 1100 500 600 700 波長 (nm) 800 900 1000 1100 波長 (nm) KAPDB0304JA KAPDB0302JA 量子効率−波長 S12023/S10341シリーズ, S12051, S12086, S3884, S2384, S2385 S12427-02 (Typ. Ta=25 ° C) 100 80 量子効率 (%) 80 量子効率 (%) (Typ. Ta=25 ° C) 100 60 40 20 60 40 20 0 400 500 600 700 800 900 1000 0 400 1100 500 600 800 700 波長 (nm) 900 1000 1100 波長 (nm) KAPDB0305JA KAPDB0303JA 増倍率−逆電圧 S12023/S10341シリーズ, S12051, S12086, S3884, S2384, S2385 S12427-02 (Typ. λ=800 nm) 10000 (Typ. λ=800 nm) 10000 20 ° C 20 ° C 0° C 0° C 1000 1000 -20 ° C 増倍率 増倍率 -20 ° C 100 100 40 ° C 40 ° C 10 1 80 60 ° C 10 60 ° C 100 120 140 160 1 40 180 逆電圧 (V) 60 80 100 120 逆電圧 (V) KAPDB0017JC KAPDB0306JA Si APD 8 低温度係数 バイアス電圧の温度係数を低くした近赤外域用Si APDです。広い温度範囲において安定した増倍率を得ることができます。 空間光伝送・レーザレーダ・光ファイバ通信などの用途に適しています。 有効*1 受光面 サイズ (mm) 型名 感度波長 範囲 (nm) 降伏電圧 max. ID=100 µA (V) 降伏電圧の 温度係数 (V/°C) 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 端子間*2 容量 増倍率 λ=800 nm パッケージ (pF) S12060-02 ϕ0.2 1000 1 S12060-05 ϕ0.5 900 2.5 TO-18 100 ϕ1.0 S12060-10 400∼1000 300 6 350 12 0.4 ϕ1.5 S6045-04 600 TO-5 S6045-05 ϕ3.0 80 50 60 S6045-06 ϕ5.0 35 120 40 TO-8 *1: 増倍作用が得られる範囲 *2: 表中の増倍率で動作させたときの値 分光感度特性 量子効率−波長 (Typ. Ta=25 ° C, M at 800 nm) 50 (Typ. Ta=25 ° C) 100 M=100 80 量子効率 (%) 受光感度 (A/W) 40 30 20 10 60 40 20 M=50 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) 波長 (nm) KAPDB0026JA 増倍率−逆電圧 (Typ. λ=800 nm) 10000 -20 ° C 1000 増倍率 0° C 20 ° C 100 40 ° C 10 60 ° C 1 160 180 200 220 240 260 逆電圧 (V) KAPDB0029JB 9 Si APD 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 KAPDB0027JA 近赤外タイプSi APD 900 nm 帯、低端子間容量 本シリーズは、レーザレーダなどに用いられます。緩やかな増倍率−逆電圧カーブをもつため、安定した動作が得られます。 有効*1 受光面 サイズ (mm) 型名 S12426-02 感度波長 範囲 (nm) 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 降伏電圧の 温度係数 (V/°C) ϕ0.2 端子間*2 容量 200 増倍率 λ=900 nm パッケージ (pF) 650 400 ∼ 1150 S12426-05 降伏電圧 max. ID=100 µA (V) 0.5 1.1 TO-18 ϕ0.5 600 1.1 100 ϕ1.0 S9251-10 380 440 ∼ 1100 350 1.85 TO-5 ϕ1.5 S9251-15 1.9 350 3.6 表面実装型 S12926シリーズは、小型・薄 型リードレスパッケージを採用しているため、実装面 積を小さくすることができます。S12926 02FとS12926-05Fは、900 nm光源に合わせたフィルタをチップ上に形成しています。 有効*1 受光面 サイズ (mm) 型名 感度波長 範囲 降伏電圧 max. 降伏電圧の 温度係数 (nm) (V) (V/°C) 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) 端子間*2 容量 増倍率 λ=800 nm パッケージ (pF) 400∼1150 S12926-02 ϕ0.2 0.6 850∼950 S12926-02F 200 1.1 600 100 プラスチック 400∼1150 S12926-05 ϕ0.5 1.3 850∼950 S12926-05F *1: 増倍作用が得られる範囲 *2: 表中の増倍率で動作させたときの値 増倍率−逆電圧 分光感度特性 S12426/S12926シリーズ (Typ. Ta=25 °C, M=100 at λ=900 nm) 60 S12426/S12926シリーズ S9251シリーズ (Typ. Ta=25 °C, M at 860 nm) 60 (Typ. λ=900 nm) 10000 S12426-02/-05 S12926-02/-05 50 50 0 °C M=100 30 20 30 40 °C 60 °C 80 °C 100 20 10 M=50 10 20 °C -10 °C 40 増倍率 40 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 1000 10 S12926-02F/-05F 0 400 600 800 1000 1200 0 200 400 600 800 1000 1200 波長 (nm) 波長 (nm) KAPDB0297JA 1 100 120 140 160 180 200 220 240 逆電圧 (V) KAPDB0079JA KAPDB0271JA Si APD 10 1000 nm 帯／高感度 S11519シリーズは、MEMS技術を導入することによって、YAGレーザ (1.06 µm)を検出するために近赤外域での感度を 向上させています。 有効*1 受光面 サイズ (mm) 型名 感度波長 範囲 (nm) 降伏電圧 max. ID=100 µA (V) 降伏電圧の 温度係数 (V/°C) ϕ1.0 S11519-10 400 600 ∼ 1150 500 端子間*2 容量 増倍率 λ=890 nm パッケージ (pF) 2.0 1.7 ϕ3.0 S11519-30 遮断*2 周波数 RL=50 Ω (MHz) TO-5 100 230 12.0 TO-8 *1: 増倍作用が得られる範囲 *2: 表中の増倍率で動作させたときの値 分光感度特性 量子効率−波長 (Typ. Ta=25 °C, M=100) 80 (Typ. Ta=25 °C, M=1) 100 70 80 量子効率 (%) 受光感度 (A/W) 60 50 40 30 60 40 20 20 10 0 400 600 800 1000 0 400 1200 波長 (nm) 増倍率−逆電圧 (Typ.) 10000 20 ° C 1000 増倍率 -20 ° C 100 40 ° C 60 ° C 10 1 100 200 300 400 逆電圧 (V) KAPDB0185JA 11 Si APD 800 1000 1200 波長 (nm) KAPDB0300JA 0° C 600 KAPDB0301JA APDモジュール 標準タイプ APDモジュールは、Si APDを簡便に使用するためにアンプ、バイアス電源をコンパクトに まとめたモジュールです。+5 Vの電源によって、100 MHzまでの周波数帯域でさまざまな 光検出に使用できます。 近赤外用 用途 特長 ■ ■ ■ 最大感度波長: 800 nm 広帯域 光ファイバアダプタも用意 (別売) ■ ■ ■ ■ ■ ■ 遮断周波数 有効* 受光面 サイズ (mm) 内蔵APD C12702-03 ϕ1.0 S12023-10 C12702-04 ϕ3.0 S2384 型名 Si APDの評価用 空間光伝送 バーコードリーダ レーザレーダ 光波距離計 光通信 低域 4 kHz 高域 光電変換感度 M=30, λ=800 nm 最低検出限界 M=30, λ=800 nm 増倍率温度安定度 25 ± 10 °C 供給電源 (％) (V) ±2.5 +5 (V/W) (nW rms) 100 MHz -6.8 × 104 3 80 MHz -2.3 × 104 3.6 短波長用 用途 特長 ■ ■ ■ 最大感度波長: 620 nm 広帯域 光ファイバアダプタも用意 (別売) ■ ■ Si APDの評価用 フィルムスキャナ レーザモニタ 遮断周波数 有効* 受光面 サイズ (mm) 内蔵APD C12702-11 ϕ1.0 S12053-10 C12702-12 ϕ3.0 S5344 型名 ■ 低域 4 kHz 高域 光電変換感度 M=30, λ=620 nm 最低検出限界 M=30, λ=620 nm 増倍率温度安定度 25 ± 10 °C 供給電源 (％) (V) ±2.5 +5 (V/W) (nW rms) 100 MHz -2.5 × 104 5 40 MHz -1.9 × 104 6.3 高感度タイプ 低照度光検出に適した高ゲインタイプのAPDモジュールです。DC (直流)光からの検出に使用できます。 用途 特長 ■ ■ ■ 低照度の光検出用 DC光検出 高ゲイン ■ ■ ■ ■ ■ 遮断周波数 有効* 受光面 サイズ (mm) 内蔵APD C12703 ϕ1.5 S3884 C12703-01 ϕ3.0 S2384 型名 Si APDの評価用 蛍光計測 バーコードリーダ パーティクルカウンタ フィルムスキャナ 低域 DC 高域 光電変換感度 M=30, λ=800 nm 最低検出限界 M=30, λ=800 nm (V/W) (pW rms) 10 MHz 1.50 × 106 630 100 kHz -1.50 × 108 6.3 増倍率温度 安定度 25 ± 10 °C (％) ±2.5 供給電源 (V) ±12 * 増倍作用が得られる範囲 Si APD 12 高安定タイプ C10508-01は、APD、電流−電圧変換回路、高電圧電源回路に加えて、APDの増倍率の調 整や温 度補償制御を高精度に行うためのマイコンを内蔵しています。そのためAPDの増倍率 を容易に変更でき、高増倍率でも温度変動に対して安定した検出を行うことができます。 用途 特長 増倍率をスイッチまたはPCからのコマンドにて変更 ■ 増倍率の温度安定度: ±5%以下 (増倍率 250倍, Ta=0 °C∼+40 °C) ■ 取り扱いが容易: ±5 V電源供給のみ ■ ■ 型名 C10508-01 有効* 受光面 サイズ (mm) 内蔵APD ϕ1.0 S12023-10A ■ ■ 遮断周波数 低域 高域 DC 10 MHz Si APDの評価用 パワーメータ 微弱光検出 光電変換感度 M=250, λ=800 nm 最低検出限界 M=250, λ=800 nm (V/W) (pW rms) 増倍率温度 安定度 0∼40 °C (％) 1.25 × 107 63 ±5.0 max. 供給電源 (V) ±5 FC/SMAファイバアダプタ (別売) 以下のAPDモジュールは、FCファイバアダプタまたはSMAファイバアダプタを取り付けることによって、FCまたはSMAの光ファ イバケーブルを接続することができます。 APDモジュール FCファイバアダプタ SMAファイバアダプタ C12702-03 A8407-18 A8424-18 C12702-04 A8407-05A A8424-05A C12702-11 A8407-18 A8424-18 C12702-12 A8407-05A A8424-05A A8407-05 A8424-05 C12703-01 A8407-05A A8424-05A C10508-01 A12855-01 A12855-02 C12703 高速タイプ 広帯域周波数 (∼1 GHz)において使用可能なタイプです。 用途 特長 ■ ■ ■ ■ 高速光検出用 平坦な周波数特性 小型・軽量 単電源動作 ■ ■ ■ ■ ■ 型名 C5658 * 増倍作用が得られる範囲 13 Si APD 有効* 受光面 サイズ (mm) 内蔵APD ϕ0.5 S12023-05 OTDR 光通信 レーザレーダ 空間光伝送 光波距離計 遮断周波数 低域 高域 50 kHz 1 GHz 最低検出限界 光電変換感度 M=100, λ=800 nm M=100, λ=800 nm (V/W) (nW rms) 増倍率温度安定度 25 ± 10 °C (％) 2.50 × 105 16 ±5.0 供給電源 +12 (V) 浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い 弊社の製品は、一般電子機器 (計測機器、事務機器、情報通信機器、家電機器など)に使用される ことを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を 要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機 器および防災・安全装置など)には使用しないでください。 絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。 弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊 社の製品を用いて製造されたお客様の機器において万一製品が故障した場合にも、人身事故、火 災事故、その他、社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策設 計、誤動作防止設計など)を施してください。特に製品の誤動作や故障により人の生命・身体への 危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を 十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用については、事前に 仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。 最終需要者に対して、製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに適 切な警告・表示などを十分に実施してください。 製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、製品の修理また は代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改造、 弊社製品資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したこ となど)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。なお、納入仕様書などで製品ご とに保証期間を定めている場合は、その期間を保証期間とします。 弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出 関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。 なお、輸出関連法規に関する製品の該当／非該当については弊社営業にお問い合わせください。 弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定 の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の 実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財 産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期する ため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使 用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。 弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。 ■ 営業品目 光半導体製品ラインアップ 受 光 素 子 光半 導 体 製 品 Siフォトダイオード APD ● MPPC ● フォトIC ● イメージセンサ ● PSD （位置検出素子） ● 赤外線検出素子 ● LED ● 光通信用デバイス ● 車載用デバイス ● X線フラットパネルセンサ ● ミニ分光器 ● 光半導体モジュール ● ● Siフォトダイオード、APD、MPPC フォトIC イメージセンサ PSD（位置検出素子） 赤外線検出素子 X線フラットパネルセンサ 電子 管 製 品 光電子増倍管 光電子増倍管モジュール ● マイクロチャンネルプレート ● イメージインテンシファイア ● キセノンランプ・水銀キセノンランプ ● 重水素ランプ ● 光源応用製品 ● レーザ応用製品 ● マイクロフォーカスX線源 ● X線イメージングデバイス ● ● LED 光通信用デバイス 車載用デバイス ミニ分光器 システム応 用 製 品 カメラ・画像計測装置 X線関連製品 ● ライフサイエンス分野製品 ● 医療分野製品 ● 半導体故障解析装置 ● FPD/LEDの特性評価装置 ● 分光計測・光計測装置 ● ● レー ザ製品 ● ● 半導体レーザ及び応用製品 固体レーザ 光半導体モジュール ● ● 本資料の記載内容は、平成27年1月現在のものです。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。 Cat. No. KAPD0001J06 Jan. 2015 (1,000) 仙 台 営 業 所 筑 波 営 業 所 東 京 営 業 所 中 部 営 業 所 大 阪 営 業 所 西日本営業所 〒980-0011 〒305-0817 〒105-0001 〒430-8587 〒541-0052 〒812-0013 仙台市青葉区上杉1-6-11（日本生命仙台勾当台ビル2階） 茨城県つくば市研究学園5-12-10（研究学園スクウェアビル7階） 東京都港区虎ノ門3-8-21（虎ノ門33森ビル5階） 浜松市中区砂山町325-6（日本生命浜松駅前ビル4階） 大阪市中央区安土町2-3-13（大阪国際ビル10階） 福岡市博多区博多駅東1-13-6 (竹山博多ビル5階) 固体営業推進部 〒435-8558 浜松市東区市野町1126-1 Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: 022-267-0121 029-848-5080 03-3436-0491 053-459-1112 06-6271-0441 092-482-0390 Tel: 053-434-3311 Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: 022-267-0135 029-855-1135 03-3433-6997 053-459-1114 06-6271-0450 092-482-0550 Fax: 053-434-5184