LT3468/LT3468-1/LT3468-2 ThinSOTTMのフォトフラッシュ・ コンデンサ・チャージャ 特長 概要 ■ LT®3468/LT3468-1/LT3468-2はデジタルカメラやフィル ム式カメラのフォトフラッシュ・コンデンサを充電する 高集積ICです。特許を取得した制御方式*を採用してい ますので、超小型のトランスを使用できます。各デバイ スは高電圧NPNパワー・スイッチを内蔵しています。出 力電圧検出回路*はすべて内蔵されているので、ディス クリートのツェナー・ダイオードや抵抗は不要です。ト ランスの巻数比を変えるだけで出力電圧を調整できま す。1次電流制限がLT3468では1.4A、LT3468-2では1A、 LT3468-1では0.7Aです。このように電流制限レベルが 異なるので、入力電流がLT3468では500mA、LT3468-2 では375mA、LT3468-1では225mAにそれぞれ十分制御 されます。電流制限レベルが異なる点を除けば、3つの デバイスは同等です。 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 高集積ICによりソリューション・サイズを低減 小型トランスを使用：5.8mm×5.8mm×3mm 高速フォトフラッシュ充電： LT3468では4.6s (0Vから320V、100µF、VIN = 3.6V) LT3468-2では5.7s (0Vから320V、100µF、VIN = 3.6V) LT3468-1では5.5s (0Vから320V、50µF、VIN = 3.6V) 制御された入力電流： 500mA (LT3468) 375mA (LT3468-2) 225mA (LT3468-1) 1セル・リチウムイオン電池または2.5V∼16Vのあら ゆる電源での動作をサポート 調整可能な出力電圧 出力電圧分割器が不要 あらゆるサイズのフォトフラッシュ･コンデンサを充電 高さの低い（1mm）SOT-23パッケージ アプリケーション ■ ■ ■ デジタルカメラまたはフィルム式カメラのフラッシュ PDA/携帯電話のフラッシュ 非常用ストロボ ユーザーはCHARGEピンによってこのデバイスを完全 に制御できます。CHARGEピンを“L”にドライブすると デバイスはシャットダウンします。DONEピンはデバイ スが充電を終了したことを知らせます。LT3468シリー ズは高さの低い（1mm）小型SOT-23パッケージで供給さ れます。 、LTC、LTはリニアテクノロジー社の登録商標です。 ThinSOTはリニアテクノロジー社の商標です。*米国特許番号6,518,733 標準的応用例 LT3468フォトフラッシュ・チャージャは 高さ4mmの高効率トランスを使用 危険 高電圧 - 高電圧技術者のみ操作可 LT3468の充電波形 VIN = 3.6V COUT = 100µF 1:10.2 VIN 2.5V TO 8V 1 4 2 5 320V 4.7µF + 100µF 100k SW VIN AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV LT3468 DONE CHARGE DONE VOUT 50V/DIV GND 1s/DIV 3468 G01 CHARGE 346812 TA01 sn346812 346812fs 1 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 パッケージ/発注情報 絶対最大定格 (Note 1) ORDER PART NUMBER VIN電圧 ...................................................................... 16V SW電圧 ...................................................... −0.4V∼50V CHARGE電圧 ........................................................... 10V DONE電圧 ................................................................ 10V DONEピンに流れ込む電流 .................................. ±1mA 最大接合部温度 ...................................................... 125℃ 動作温度範囲 (Note 2) .............................. −40℃∼85℃ 保存温度範囲 .......................................... −65℃∼150℃ リード温度 (半田付け、10秒) ................................ 300℃ TOP VIEW SW 1 LT3468ES5 LT3468ES5-1 LT3468ES5-2 5 VIN GND 2 DONE 3 4 CHARGE S5 PART MARKING S5 PACKAGE 5-LEAD PLASTIC TSOT-23 TJMAX = 125°C θJA = 150°C ON BOARD OVER GROUND PLANE θJC = 90°C/W LTAEC LTAGQ LTBCH より広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社へお問い合わせ ください。 電気的特性 ●は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA＝25℃での値。注記がない限り、VIN = 3V、VCHARGE = VIN。 (Note 2) 注記がない限り、規格値はLT3468、LT3468-1、およびLT3468-2に適用される。 PARAMETER CONDITIONS Quiescent Current Not Switching VCHARGE = 0V MIN Input Voltage Range ● Switch Current Limit LT3468 (Note 3) LT3468-2 LT3468-1 Switch VCESAT LT3468, ISW = 1A LT3468-2, ISW = 650mA LT3468-1, ISW = 400mA VOUT Comparator Trip Voltage Measured as VSW – VIN VOUT Comparator Overdrive 300ns Pulse Width DCM Comparator Trip Voltage Measured as VSW – VIN CHARGE Pin Current VCHARGE = 3V VCHARGE = 0V Switch Leakage Current VIN = VSW = 5V, in Shutdown CHARGE Input Voltage High ● CHARGE Input Voltage Low 31 10 ● ● MAX 5 0 8 1 mA µA 16 V 1.2 0.87 0.55 1.3 0.97 0.65 A A A 330 210 150 430 280 200 mV mV mV 2.5 1.1 0.77 0.45 ● TYP UNITS 31.5 32 V 200 400 mV 36 80 mV 15 0 40 0.1 µA µA 0.01 1 µA 1 V 0.3 ● V Minimum Charge Pin Low Time High→Low→High 20 µs DONE Output Signal High 100kΩ from VIN to DONE 3 V DONE Output Signal Low 33µA into DONE Pin 100 200 mV DONE Leakage Current VDONE = 3V, DONE NPN Off 20 100 nA Note 1: 絶対最大定格はそれを超えるとデバイスの寿命に影響を及ぼす値。 Note 3: 規格値は静的テストに適用される。実際のアプリケーションでの電流制 限はわずかに高くなる。 Note 2: LT3468E/LT3468E-1/LT3468E-2は0℃∼70℃の温度範囲で性能仕様に 適合することが保証されている。−40℃∼85℃の動作温度範囲での仕様は設 計、特性評価および統計学的なプロセス・コントロールとの相関で確認されて いる。 sn346812 346812fs 2 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 標準的性能特性 注記がない限り、LT3468の曲線の場合は図6の回路が使われ、LT3468-1の曲線の場合は図7の回路が使 われ、LT3468-2の曲線の場合は図8の回路が使われる。 LT3468の充電波形 LT3468-1の充電波形 VIN = 3.6V COUT = 100µF VIN = 3.6V COUT = 50µF LT3468-2の充電波形 VIN = 3.6V COUT = 100µF VOUT 50V/DIV VOUT 50V/DIV VOUT 50V/DIV AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV AVERAGE INPUT CURRENT 0.5A/DIV 1s/DIV 3468 G01 10 TA = 25°C LT3468-2の充電時間 TA = 25°C 9 8 8 8 7 7 7 5 COUT = 100µF 4 3 2 CHARGE TIME (s) 9 6 6 5 COUT = 50µF 4 3 2 COUT = 50µF 1 0 3 4 5 6 VIN (V) 7 8 9 3 4 5 6 VIN (V) 7 8 VIN = 2.8V VIN = 4.2V VIN = 3.6V 200 0 100 150 200 VOUT (V) 250 300 3468 G07 3 6 5 VIN (V) 4 7 LT3468-2の入力電流 TA = 25°C 300 VIN = 2.8V 200 VIN = 4.2V VIN = 3.6V 100 9 8 3468 G06 600 0 50 COUT = 50µF 2 9 AVERAGE INPUT CURRENT (mA) AVERAGE INPUT CURRENT (mA) AVERAGE INPUT CURRENT (mA) TA = 25°C 0 3 LT3468-1の入力電流 400 600 COUT = 100µF 4 3468 G05 LT3468の入力電流 400 5 0 2 3468 G04 800 6 1 0 2 TA = 25°C 2 COUT = 20µF 1 3468 G03 1s/DIV 10 9 CHARGE TIME (s) CHARGE TIME (s) 3468 G02 LT3468-1の充電時間 LT3468の充電時間 10 1s/DIV AVERAGE INPUT CURRENT 0.5A/DIV TA = 25°C 450 VIN = 2.8V 300 VIN = 4.2V VIN = 3.6V 150 0 0 50 100 150 200 VOUT (V) 250 300 3468 G08 0 50 100 150 200 VOUT (V) 250 300 3468 G09 sn346812 346812fs 3 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 標準的性能特性 注記がない限り、LT3468の曲線の場合は図6の回路が使われ、LT3468-1の曲線の場合は図7の回路が使 われ、LT3468-2の曲線の場合は図8の回路が使われる。 LT3468の効率 90 90 TA = 25°C 90 TA = 25°C 80 80 EFFICIENCY (%) VIN = 2.8V VIN = 3.6V 60 50 VIN = 2.8V 70 EFFICIENCY (%) 80 70 VIN = 3.6V 60 50 40 100 150 200 VOUT (V) 250 300 LT3468の出力電圧 60 100 150 200 VOUT (V) 250 TA = –40°C 319 323 318 TA = 25°C TA = 25°C 321 TA = 85°C TA = 85°C 316 315 320 TA = –40°C 314 319 319 318 313 318 3 4 5 VIN (V) 6 7 8 312 2 3 4 5 VIN (V) 6 3468 G13 8 2 0.700 4 5 VIN (V) 6 ILIM (A) 7 8 LT3468-2のスイッチ電流制限 1.00 VIN = 3V VOUT = 0V VIN = 3V VOUT = 0V 0.660 0.96 0.620 0.92 ILIM (A) VIN = 3V VOUT = 0V 1.3 3 3468 G15 LT3468-1のスイッチ電流制限 1.4 ILIM (A) 7 3468 G14 LT3468のスイッチ電流制限 1.5 300 317 VOUT (V) VOUT (V) 320 2 250 LT3468-2の出力電圧 324 TA = –40°C TA = 85°C 200 150 VOUT (V) 3468 G12 322 TA = 25°C 100 50 300 LT3468-1の出力電圧 322 VOUT (V) VIN = 3.6V 3468 G11 324 321 VIN = 2.8V 70 40 50 3468 G10 323 VIN = 4.2V 50 40 50 TA = 25°C VIN = 4.2V VIN = 4.2V EFFICIENCY (%) LT3468-2の効率 LT3468-1の効率 0.580 0.88 0.540 0.84 1.2 1.1 –40 –20 0 20 40 60 TEMPERATURE (°C) 80 100 3468 G16 0.500 –40 –20 0 20 40 60 TEMPERATURE (°C) 80 100 3468 G17 0.80 –40 –20 40 20 0 60 TEMPERATURE (°C) 80 100 34682 G18 sn346812 346812fs 4 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 標準的性能特性 注記がない限り、LT3468の曲線の場合は図6の回路が使われ、LT3468-1の曲線の場合は図7の回路が使 われ、LT3468-2の曲線の場合は図8の回路が使われる。 LT3468のスイッチング波形 LT3468-2のスイッチング波形 LT3468-1のスイッチング波形 VIN = 3.6V VOUT = 100V VIN = 3.6V VOUT = 100V VIN = 3.6V VOUT = 100V VSW 10V/DIV IPRI 1A/DIV 1µs/DIV VSW 10V/DIV VSW 10V/DIV IPRI 1A/DIV IPRI 1A/DIV 1µs/DIV 3468 G19 LT3468-1のスイッチング波形 LT3468のスイッチング波形 VSW 10V/DIV IPRI 1A/DIV VIN = 3.6V VOUT = 300V VSW 10V/DIV VSW 10V/DIV IPRI 1A/DIV IPRI 1A/DIV 1µs/DIV 1µs/DIV 3468 G20 3468 G21 LT3468-2のスイッチング波形 VIN = 3.6V VOUT = 300V VIN = 3.6V VOUT = 300V 3468 G24 3468 G23 LT3468/LT3468-1/LT3468-2の スイッチ・ブレークダウン電圧 10 SWITCH CURRENT (mA) 1µs/DIV 1µs/DIV 3468 G22 SW PIN IS RESISTIVE UNTIL BREAKDOWN 9 VOLTAGE DUE TO INTEGRATED RESISTORS. THIS DOES NOT INCREASE 8 QUIESCENT CURRENT OF PART 7 T = 25°C 6 5 4 T = –40°C T = 85°C 3 2 1 VIN = VCHARGE = 5V 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 SWITCH VOLTAGE (V) 3468 G25 sn346812 346812fs 5 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 ピン機能 ンに直接接続します。 SW (ピン1)：スイッチ・ピン。これは内蔵NPNパワー・ スイッチのコレクタです。このピンに接続されるメタ ル・トレースの面積を小さくしてEMIを抑えます。トラ ンスの1次側の片方をこのピンに接続します。目標の出 力電圧はトランスの巻数比によって設定されます。 DONE (ピン3)：オープンNPNコレクタの通知ピン。目 標の出力電圧に達するとNPNがオンします。このピンに はプルアップ抵抗または電流源が必要です。 CHARGE (ピン4)：充電ピン。デバイスをイネーブルす るにはこのピンを“H”(>1V)にする必要があります。この ピンが “L” （<0.3V） から “H” （>1V） に遷移すると、デバイス は電力供給モードになります。目標の出力電圧に達する とデバイスは出力の充電を停止します。このピンをトグ ルすると充電が再開されます。シャットダウンするには グランドに接続します。充電サイクルの途中でこのピン を “L” にして、いつでも充電を停止することができます。 次式にしたがって巻数比Nを選択します。 N= VOUT + 2 31. 5 ここで、VOUTは所定の出力電圧です。ショットキー・ ダイオードをGNDからSWに接続する必要があります。 回路が正しく動作するようにアノードをGNDにしま す。詳細については、「アプリケーション」のセクション を参照してください。 VIN (ピン5)：入力電源ピン。十分な品質のセラミック・ コンデンサを使ってローカルにバイパスする必要があり ます。入力電源は2.5V以上必要です。 GND (ピン2)：グランド。ローカル・グランド・プレー ブロック図 D1 T1 TO BATTERY VOUT PRIMARY C1 SECONDARY D2 3 DONE 5 VIN + SW 1 R2 60k Q3 COUT PHOTOFLASH CAPACITOR DCM COMPARATOR + ONESHOT A3 – + – 36mV Q2 Q1 ENABLE MASTER LATCH Q S R1 2.5k Q R DRIVER R S Q1 Q + A2 – + 1.25V REFERENCE A1 VOUT COMPARATOR CHARGE 4 20mV – ONESHOT RSENSE +– 2 GND CHIP ENABLE LT3468: RSENSE = 0.015Ω LT3468-2: RSENSE = 0.022Ω LT3468-1: RSENSE = 0.03Ω 3486 BD 図1 sn346812 346812fs 6 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 動作 LT3468/LT3468-1/LT3468-2はフォトフラッシュ・コンデ ンサを短時間に効率よく充電するように設計されていま す。デバイスの動作は図1を参照するとよく理解できま す。CHARGEピンが最初に“H”にドライブされると、ワ ンショットが両方のSRラッチを正しい状態に設定しま す。パワーNPNデバイス（Q1）がオンして、トランスT1 の1次側の電流が直線的に増加し始めます。コンパレー タA1がスイッチ電流をモニタし、ピーク電流が1.4A （LT3468）、1A（LT3468-2）、または0.7A（LT3468-1）に達 すると、Q1がオフします。T1はフライバック・トラン スとして使われているので、SWピンのフライバック・ パルスにより、A3の出力は“H”になります。このように なるには、SWピンの電圧はVINより少なくとも36mV高 くなる必要があります。 このフェーズのあいだ、電流は2次巻線とダイオードD1 を通ってフォトフラッシュ・コンデンサに供給されま す。2次側の電流がゼロに減少するとSWピンの電圧は減 衰し始めます。SWピンの電圧がVINより36mV高いレベ ル以下に下がると、A3（ DCMコンパレータ）の出力が “L”になります。これにより、ワンショットが起動して Q1を再度オンします。このサイクルが継続して電力を 出力に供給します。 ンし、DONEピンを“L”に引き下げて、デバイスが充電 を完了したことを知らせます。電力供給を再開するには CHARGEピンをトグルします。 ユーザーはCHARGEピンによってこのデバイスを完全 に制御できます。CHARGEピンを“L”にすることによ り、いつでも充電を中断することができます。最終出力 電圧に達したときだけDONEピンが“L”になります。こ れらのモードの実行状態を図2に示します。CHARGEを 最 初 に“ H”に す る と 充 電 が 開 始 さ れ ま す 。 充 電 中 に CHARGEを“L”にすると、デバイスはシャットダウン し、VOUTは上昇を止めます。CHARGEを再度“H”にする と充電が再開されます。目標のVOUT電圧に達すると DONEピンが“L”に下がり、充電が停止します。最後 に、CHARGEピンが再度“L”に引き下げられるので、デ バイスはシャットダウン状態になり、DONEピンが“H” になります。 LT3468-2 VIN = 3.6V VOUT COUT = 50µF 100V/DIV VDONE 5V/DIV 出力電圧はR2、R1、Q2、およびコンパレータA2（ VOUT コンパレータ）によって検出されます。SW電圧がVINよ り31.5V高いときA2の出力が“H”になってマスタ・ラッ チをリセットするように、抵抗R1とR2の大きさが設定 されています。これにより、Q1がディスエーブルされ て電力供給が停止されます。NPNトランジスタQ3がオ VCHARGE 5V/DIV 1s/DIV 3468 F02 図2．CHARGEピンによる充電サイクルの中断 アプリケーション情報 正しいデバイスの選択（LT3468/LT3468-1/LT3468-2） LT3468の3つのバージョンの唯一の相違点はピーク電流 レベルです。最高速の充電時間を望むなら、LT3468を 使 い ま す 。 LT3468-1は ピ ー ク 電 流 能 力 が 最 も 低 く 、 バッテリ流出を小さく制限する必要のあるアプリケー ション向けに設計されています。LT3468-1はピーク電 流が低いので、物理的に小さなトランスを使用すること ができます。LT3468-2の電流制限はLT3468とLT3468-1 の電流制限の中間です。 トランスの設計 フライバック・トランスはLT3468/LT3468-1/LT3468-2の 設計において常に主要な要素です。これは、デバイスの どのピンにも過大な電流や電圧を生じないように、注意 深く設計してチェックする必要があります。設計を要す る主要パラメータを表1に示します。 設定する必要のある最初のトランス・パラメータは巻数 比Nです。LT3468/LT3468-1/LT3468-2はSWピンのフラ イバック波形をモニタすることによって出力電圧を検出 します。SW電圧がVIN電圧よりも31.5V高いレベルに達 すると、デバイスは電力供給を停止します。このよう に、Ｎを選択すると、出力からSWピンに反射される電 圧の振幅が変わるので、目標とする出力電圧が設定され ます。次式にしたがってNを選択します。 N= VOUT + 2 31. 5 sn346812 346812fs 7 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 アプリケーション情報 ここで、VOUTは所期の出力電圧です。分子の数字2は出 力ダイオード両端の電圧降下の効果を含めるために使わ れています。 このように、320Vの出力の場合、Nは322/31.5（ つまり 10.2）にします。300Vの出力の場合は、302/31.5（ つまり 9.6）に等しいNを選択します。 設定する必要のある次のパラメータは1次側インダクタ ンスLPRIです。次式にしたがってLPRIを選択します。 LPRI ≥ VOUT • 200 • 10 −9 N • IPK ここで、VOUTは所期の出力電圧です。Nはトランスの巻 数比です。IPKは1.4 (LT3468)、0.7 (LT3468-1)、または1.0 (LT3468-2)です。 LT3468/LT3468-1/LT3468-2がフライバック波形に対して 応答する十分な時間を与えるため、LPRIはこの値以上に する必要があります。 他のすべてのパラメータは表1に示されている推奨リ ミット値に合致するか、それを超える必要があります。 LT3468/LT3468-1/LT3468-2のパワー・スイッチがオフす るとき、トランスの１次側の漏れインダクタンスによ り、SWピンに電圧スパイクが生じます。SWピンの絶対 最大定格は50Vですが、このスパイクの高さは40Vを超 してはいけません。50Vの絶対最大定格はDCブロッキ ング電圧の規格値で、パワーNPNを流れる電流はゼロで あると仮定しています。図6の回路（LT3468）のSW電圧 波形を図3に示します。SWピンの絶対最大定格を超えて いないことに注意してください。VOUTが目標出力電圧 に近い状態がSW電圧の最悪条件なので、必ずこの状態 でSW電圧波形をチェックしてください。スイッチをオフ するときのSW電圧の個々のリミットを図4に示します。 漏れインダクタンスを非常に低いレベルにまで下げない ことが重要です。漏れインダクタンスを非常に低いレベ ルに下げるとSWピンの漏れスパイクは非常に低くなる でしょうが、トランスの寄生容量が大きくなるでしょ う。こうなると、フォトフラッシュ回路の充電時間に悪 影響を与えます。 リニアテクノロジー社は、LT3468/LT3468-1/LT3468-2と 一緒に使用するために予め設計されたフライバック・ト ランスを製作するため、主要な磁気部品メーカー数社と 協力してきました。これらのいくつかのトランスの詳細 を表2に示します。 表1．トランスの推奨パラメータ PARAMETER NAME LPRI Primary Inductance LLEAK Primary Leakage Inductance TYPICAL RANGE LT3468 TYPICAL RANGE LT3468-1 TYPICAL RANGE LT3468-2 >5 >10 >7 µH 100 to 300 200 to 500 200 to 500 nH UNITS N Secondary: Primary Turns Ratio 8 to 12 8 to 12 8 to 12 VISO Secondary to Primary Isolation Voltage >500 >500 >500 V ISAT Primary Saturation Current >1.6 >0.8 >1.0 A RPRI Primary Winding Resistance <300 <500 <400 mΩ RSEC Secondary Winding Resistance <40 <80 <60 Ω VIN = 5V VOUT = 320V “B” “A” VSW 50Vより低く なければならない 40Vより低く なければならない VSW 10V/DIV 0V 3420 F07 100ns/DIV 3468 G18 図3．LT3468のSW電圧波形 図4．新しいトランスの設計チェック（実際の大きさではない） sn346812 346812fs 8 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 アプリケーション情報 表2．予め設計されたトランス - 注記がない限り標準値 FOR USE WITH LT3468/LT3468-2 LT3468-1 LT3468 LT3468-1 LT3468-2 LT3468/LT3468-1 LT3468-1 SIZE (W × L × H) mm LPRI (µH) LPRI-LEAKAGE TRANSFORMER NAME (nH) N RPRI (mΩ) RSEC (Ω) SBL-5.6-1 SBL-5.6S-1 5.6 × 8.5 × 4.0 5.6 × 8.5 × 3.0 10 24 200 Max 400 Max 10.2 10.2 103 305 26 55 LDT565630T-001 LDT565630T-002 LDT565630T-003 5.8 × 5.8 × 3.0 5.8 × 5.8 × 3.0 5.8 × 5.8 × 3.0 6 14.5 10.5 200 Max 500 Max 550 Max 10.4 10.2 10.2 100 Max 10 Max 240 Max 16.5 Max 210 Max 14 Max TDK Chicago Sales Office (847) 803-6100 (ph) www.components.tdk.com T-15-089 T-15-083 6.4 × 7.7 × 4.0 8.0 × 8.9 × 2.0 12 20 400 Max 500 Max 10.2 10.2 211 Max 27 Max 675 Max 35 Max Tokyo Coil Engineering Japan Office 0426-56-6262 (ph) www.tokyo-coil.co.jp コンデンサの選択 入力バイパス・コンデンサには高品質のX5RまたはX7R のタイプを使います。デバイスの電圧定格が十分である ことを確認します。 出力ダイオードの選択 整流ダイオードは逆電圧定格と順方向電流定格が十分な 低容量タイプにします。ダイオードに加わるピーク逆電 圧はおよそ次式で与えられます。 VPK −R = VOUT + (N • VIN ) VENDOR Kijima Musen Hong Kong Office 852-2489-8266 (ph) [email protected] (email) 図 6の回路でVINが 5Vのとき、VPK-Rは371V、IPK-SECは 137mAです。LT3468/LT3468-1/LT3468-2のほとんどのア プリケーションにはGSD2004Sのデュアル・シリコン・ ダイオードを推奨します。別の選択肢としては、 BAV23Sデュアル・シリコン・ダイオードを使います。 東芝は1SS306という名称のデュアル・ダイオードを製 造していますが、これもすべての要件を満たします。 CRF02は 逆 電 圧 定 格 が 800Vの シ ン グ ル ・ ダ イ オ ー ド で、これも適しています。いくつかのダイオードとその 仕様を表3に示します。必要な逆方向ブレークダウン電 圧を達成するのに十分な個数のダイオードを使います。 ダイオードのピーク電流は簡単に計算できます。 SWピンのクランプ・ダイオードの選択 図6のダイオードD2はSWノードをクランプするのに必 要です。LT3468/LT3468-1/LT3468-2の新しい制御方式に より、SWノードはスイッチ・サイクルのあいだグラン ドより下に下がることがあります。クランプ・ダイオー ドはSWノードがグランドより下に下がり過ぎるのを防 ぎます。 1.4 IPK −SEC = (LT3468) N IPK −SEC = 1.0 (LT3468-2) N IPK −SEC = 0.7 (LT3468-1) N 表3．推奨出力ダイオード MAX REVERSE VOLTAGE (V) MAX FORWARD CONTINUOUS CURRENT (mA) CAPACITANCE (pF) GSD2004S (Dual Diode) 2x300 225 5 Vishay (402) 563-6866 www.vishay.com BAV23S (Dual Diode) 2x250 225 5 Philips Semiconductor (800) 234-7381 www.philips.com 1SS306 (Dual Diode) CRF02 2x250 100 3 1x800 500 Not Specified Toshiba (949) 455-2000 www.semicon.toshiba.co.jp PART VENDOR sn346812 346812fs 9 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 アプリケーション情報 ダイオードは回路の正常動作に必要です。ピーク順方向 電流能力が少なくとも500mAあるショットキー・ダイ オードを推奨します。ダイオードの順方向電圧降下は 500mAの順方向電流で少なくとも600mV以下にします。 逆方向電圧定格は40V以上にします。推奨クランプ・ダ イオードを表4に示します。 表4．推奨クランプ・ダイオード MAX REVERSE VOLTAGE (V) VENDOR 40 B0540W Zetex (631) 360-2222 www.zetex.com 40 MA2Z720 Diodes Inc. (805) 446-4800 www.diodes.com 40 VIN C1 R1 CHARGE 4 3 • 2 Panasonic (408) 487-9510 www.panasonic.co.jp 基板のレイアウト LT3468/LT3468-1/LT3468-2は高電圧で動作するので、基 板のレイアウトには細心の注意が必要です。レイアウト に注意を払わないと記載されているとおりの性能を得ら れません。推奨部品配置を図5に示します。 D1 (DUAL DIODE) DONE 5 T1 SECONDARY ZHCS400 PRIMARY PART 2次側の高電圧端の面積をできるだけ小さくします。回 路基板のブレークダウン電圧の要件を満たすため、すべ ての高電圧ノードには最小間隔より広い間隔がとられて いることに注意してください。C1、T1の1次側、および LT3468/LT3468-1/LT3468-2で形成される電気経路はでき るだけ短くすることが不可欠です。この経路を不注意に 長くすると、T1の漏れインダクタンスが実効的に増加 し、SWピンに過電圧状態が生じるおそれがあります。 • COUT PHOTOFLASH CAPACITOR + 1 D2 3468 F05 図5．推奨レイアウト：C1、トランスの1次側、および LT3468/LT3468-1/LT3468-2で形成される経路は短くする 標準的応用例 T1 1:10.2 VIN 2.5V TO 8V C1 4.7µF D1 1 4 2 5 320V + R1 100k DONE CHARGE SW VIN COUT PHOTOFLASH CAPACITOR D2 LT3468 DONE T1 1:10.2 VIN 2.5V TO 8V C1 4.7µF R1 100k CHARGE CHARGE 4 5 3 6 320V + DONE GND D1 VIN SW COUT PHOTOFLASH CAPACITOR D2 LT3468-1 GND DONE CHARGE 3468 F06 C1: 4.7µF, X5R OR X7R, 10V T1: KIJIMA MUSEN PART# SBL-5.6-1, LPRI = 10µH, N = 10.2 D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES D2: ZETEX ZHCS400 OR EQUIVALENT R1: PULL UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED 図6．LT3468フォトフラッシュ・チャージャに 高さ4mmの高効率トランスを使用 C1: 4.7µF, X5R OR X7R, 10V T1: KIJIMA MUSEN PART# SBL-5.6S-1, LPRI = 24µH, N = 10.2 D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES D2: ZETEX ZHCS400 OR EQUIVALENT R1: PULL UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED 3468 F07 図7．LT3468-1フォトフラッシュ・チャージャに 高さ3mmの高効率トランスを使用 sn346812 346812fs 10 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 標準的応用例 T1 1:10.2 VIN 2.5V TO 8V C1 4.7µF D1 5 4 8 1 320V + SW VIN R1 100k COUT PHOTOFLASH CAPACITOR D2 LT3468-2 GND DONE DONE CHARGE CHARGE C1: 4.7µF, X5R OR X7R, 10V T1: TDK LDT565630T-003 LPRI = 10.5µH, N = 10.2 D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES D2: ZETEX ZHCS400 OR EQUIVALENT R1: PULL UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED 3468 F08 図8．LT3468-2フォトフラッシュ・チャージャに 高さ3mmの高効率トランスを使用 パッケージ寸法 S5パッケージ 5ピン・プラスチックTSOT-23 (Reference LTC DWG # 05-08-1635) 0.62 MAX 0.95 REF 2.90 BSC (NOTE 4) 1.22 REF 1.4 MIN 3.85 MAX 2.62 REF 2.80 BSC 1.50 – 1.75 (NOTE 4) PIN ONE RECOMMENDED SOLDER PAD LAYOUT IPC CALCULATORを使った PER IPC CALCULATOR 推奨半田パッド・レイアウト 0.30 – 0.45 TYP 5 PLCS (NOTE 3) 0.95 BSC 0.80 – 0.90 0.20 BSC 0.01 – 0.10 1.00 MAX DATUM ‘A’ 0.30 – 0.50 REF 0.09 – 0.20 (NOTE 3) NOTE: NOTE： ARE IN MILLIMETERS 1. DIMENSIONS 寸法はミリメートル NOT TO SCALE 2. DRAWING 図は実寸とは異なる ARE INCLUSIVE OF PLATING 3. DIMENSIONS 寸法には半田を含む ARE EXCLUSIVE OF MOLD FLASH AND METAL BURR 4. DIMENSIONS 寸法にはモールドのバリやメタルのバリを含まない FLASH SHALL NOT EXCEED 0.254mm 5. MOLD モールドのバリは0.254mmを超えてはならない PACKAGE REFERENCE IS MO-193 6. JEDEC JEDECパッケージ参照番号はMO-193 1.90 BSC S5 TSOT-23 0302 sn346812 346812fs リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、 その使用に関する責務は一切 負いません。 また、 ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。 なお、 日本語の資料はあくまで も参考資料です。 訂正、 変更、 改版に追従していない場合があります。 最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。 11 LT3468/LT3468-1/LT3468-2 標準的応用例 LT3468フォトフラッシュ回路に高さ3mmの小型トランスを使用 T1 1:10.4 C1 4.7µF 充電時間 D1 5, 6 4 7, 8 1 9 8 + R1 100k 3 DONE 4 CHARGE 5 1 VIN SW COUT PHOTOFLASH CAPACITOR D2 LT3468 2 GND DONE 10 320V CHARGE TIME (s) VIN 2.5V TO 8V CHARGE 7 6 5 4 COUT = 100µF 3 2 COUT = 50µF 1 C1: 4.7µF, X5R OR X7R, 10V T1: TDK PART# LDT565630T-001, LPRI = 6µH, N = 10.4 D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES D2: ZETEX ZHCS400 OR EQUIVALENT R1: PULL UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED 0 2 3 4 5 6 VIN (V) 3468 TA03 7 8 9 3468 TA05 LT3468-1フォトフラッシュ回路に高さ3mmの小型トランスを使用 T1 1:10.2 C1 4.7µF 充電時間 D1 5 4 8 1 9 + R1 100k DONE CHARGE 3 4 10 320V 5 1 VIN SW 8 COUT PHOTOFLASH CAPACITOR D2 LT3468-1 2 GND DONE CHARGE C1: 4.7µF, X5R OR X7R, 10V T1: TDK PART# LDT565630T-002, LPRI = 14.5µH, N = 10.2 D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES D2: ZETEX ZHCS400 OR EQUIVALENT R1: PULL UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED CHARGE TIME (s) VIN 2.5V TO 8V 7 6 5 4 COUT = 50µF 3 2 1 COUT = 20µF 0 2 3468 TA04 3 4 5 6 VIN (V) 7 8 9 3468 TA06 関連製品 製品番号 説明 LTC3407 デュアル600mA （IOUT） 、 1.5MHz、 同期式降圧DC/DCコンバータ 96%の効率、VIN：2.5V∼5.5V、 VOUT(MIN)：0.6V、 IQ：40µA、ISD：<1µA、MS10E LT3420/LT3420-1 1.4A/1A、フォトフラッシュ・コンデンサ・チャージャ、 自動トップオフ付き LTC3425 注釈 5Vで220µFを3.7秒で320Vまで充電、 VIN：2.2V∼16V、IQ：90µA、ISD：<1µA、MS10 5A ISW、8MHz、マルチフェーズ同期式昇圧DC/DCコンバータ 95%の効率、VIN：0.5V∼4.5V、 VOUT(MIN)：5.25V、 IQ：12µA、ISD：<1µA、QFN-32 LTC3440/LTC3441 600mA/1A (IOUT)、同期式降圧/昇圧DC/DCコンバータ 95%の効率、VIN：2.5V∼5.5V、 VOUT(MIN)：2.5V∼ DFN-12 5.5V、IQ：25µA、ISD：<1µA、MS-10、 sn346812 346812fs 12 リニアテクノロジー株式会社 〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6秀和紀尾井町パークビル8F TEL 03-5226-7291• FAX 03-5226-0268 • www.linear-tech.co.jp 0304 0.2K • PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2004