下载PDF - Power Integrations - AC

TNY284-290
™
产品系列
TinySwitch-4
带线电压补偿过载功率的高效离线式开关IC
产品特色
最低的系统成本及更出色的灵活性
• 采用额定值725 V的功率MOSFET
• 增大了BV降额裕量
• 线电压补偿过载功率 – 无需额外元件
• 大幅降低通用输入电压范围内的最大过载变化
• ±5%导通欠压(UV)阈值：使用一个外部电阻进行线电压检测
• 简单的ON/OFF控制，无需环路补偿
• 通过BP/M引脚电容值可选择不同的电流限流点
• 更高的电流限流点可得到更高的峰值功率，或在敞开式应用
中得到更高的连续输出功率
• 更低的电流限流可提高封闭式适配器/充电器设计的效率
• 可允许TinySwitch-4系列相邻产品之间相互替换，而无需重
新设计电路
• 严格的I2f参数公差范围降低系统成本
• 高效利用MOSFET及磁芯材料
• 导通时间延长 - 更低输入电压下维持输出的稳定/维持时间，可
以使用更低容量的输入电解电容
• 自偏置：无需偏置绕组或偏置元件
• 频率调制降低EMI滤波成本
• 引脚布局简化了PCB板上的散热铺铜的设计
• 源极引脚为“电气”上的安静点，从而降低了EMI
增强的安全及可靠性能
• 精确的迟滞热关断保护并具备自动恢复功能，无需人工重新置位
• 自动重启动功能在短路及开环故障状况下实现<3%的最大输出
功率
• 可选择使用齐纳二极管实现输出过压关断
• 可选择使用一个外部电阻进行快速AC复位
• 元件数目很少，增强可靠性及实现单面印刷电路板的布局
• 高带宽提供快速的无过冲启动及出色的瞬态负载响应
• 扩大了漏极与其它引脚间的爬电距离，提高了应用的可靠性
EcoSmart – 极高效率
• 轻松满足全球所有能效标准
• 在265 VAC输入时，有偏置绕组下的空载能耗<30 mW；无偏
置绕组下的空载能耗<150 mW
• ON/OFF控制可在极轻负载时具备恒定的效率-是达到强制性
CEC标准及ErP待机要求的理想选择
™
应用
• PC待机及其它辅助电源
• DVD/PVR及其它低功率机顶盒
• 电器、工业系统、电表等使用的电源
• 手机或无绳电话、PDA，数码相机、MP3或便携式音频设备、
剃须刀等使用的充电器/适配器
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+
+
图 1. 典型待机应用
SO-8C（D封装）
DIP-8C（P封装）
eSOP-12B（K封装）
图 2. 封装选项
输出功率表
230 VAC ± 15%
产品3
TNY284P/D/K
适配器1
峰值或
敞开式2
85-265 VAC
适配器1
峰值或
敞开式2
6W
11 W
5W
8.5 W
TNY285P/D
8.5 W
15 W
6W
11.5 W
TNY285K
11 W
15 W
7.5 W
11.5 W
TNY286P/D
TNY286K
10 W
19 W
7W
15 W
13.5 W
19 W
9.5 W
15 W
TNY287P
13 W
23.5 W
8W
18 W
TNY287D
11.5 W
23.5 W
7W
18 W
TNY287K
18 W
23.5 W
11 W
18 W
TNY288P
16 W
28 W
10 W
21.5 W
TNY288D
14.5 W
26 W
9W
19.5 W
TNY288K
23 W
28 W
14.5 W
21.5 W
TNY289P
18 W
32 W
12 W
25 W
TNY289K
25 W
32 W
17 W
25 W
TNY290P
20 W
36.5 W
14 W
28.5 W
TNY290K
28 W
36.5 W
20 W
28.5 W
表 1. 输出功率表
注释：
1. 最小连续输出功率是在典型的无风冷密闭适配器中、环境温度为+50 °C的条件
下测量得到的。使用一个外部散热片将提高输出功率的能力。
2. 在任何设计中的最小峰值功率或在敞开式设计中的最小持续功率（参考主要应
用指南）。
3. 封装：P: DIP-8C, D: SO-8C, K: eSOP-12B。参考元件订购信息。
2013年8月
TNY284-290
BYPASS/
MULTI-FUNCTION
(BP/M)
DRAIN
(D)
REGULATOR
5.85 V
LINE UNDERVOLTAGE
25 µA
FAULT
PRESENT
AUTORESTART
COUNTER
115 µA
6.4 V
RESET
+
BYPASS PIN
UNDER-VOLTAGE
BYPASS
CAPACITOR
SELECT AND 5.85 V
VI
4.9 V
LIMIT
CURRENT
LIMIT STATE
MACHINE
LINE
COMPENSATION
CURRENT LIMIT
COMPARATOR
ENABLE
+
1.0 V + VT
JITTER
CLOCK
DCMAX
ENABLE/
UNDERVOLTAGE
(EN/UV)
1.0 V
THERMAL
SHUTDOWN
OSCILLATOR
S
Q
R
Q
LEADING
EDGE
BLANKING
OVP
LATCH
SOURCE
(S)
PI-6639-081613
图 3. 功能结构图
引脚功能描述
漏极(D)引脚：
功率MOSFET的漏极连接点。在开启及稳态工作时提供内部操
作电流。
D Package (SO-8C)
EN/UV 1
8S
BP/M 2
7S
6S
旁路/多功能(BP/M)引脚：
该引脚有多项功能：
• 一个外部旁路电容连接到这个引脚，用于生成内部5.85 V的供
电电源。
• 作为外部限流点设定，根据所使用电容的数值选择电流限流
值。使用数值为0.1 μF的电容会工作在标准的电流限流值上。
使用数值为1 μF的电容会将电流限流值降低到相邻更小型号的
标准电流限流值。使用数值为10 μF的电容会将电流限流值增
加到相邻更大型号器件(TNY285-290)的标准电流限流值。
• 它还提供了关断功能。在输入掉电时，或者通过将外部电阻
连接到BP/UV引脚来发挥UV功能时（使UV/EN引脚电流低于
IUV减去复位迟滞电流，典型值为18.75 μA），当流入旁路引
脚的电流超过ISD时关断器件，直到BP/M电压下降到4.9 V以
下。还可将一个稳压管从旁路/多功能引脚连接到偏置绕组供
电端实现输出过压保护。
5S
D4
Exposed Pad (On Bottom)
Internally Connected to
SOURCE Pin
K Package
(eSOP-12B)
P Package (DIP-8C)
EN/UV 1
8S
BP/M 2
7S
6S
D4
EN/UV 1
12 S
BP/M 2
11 S
N/C 3
10 S
N/C 4
9S
5S
8S
D6
7S
PI-6577-053112
图 4. 引脚配置
2
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使能/欠压(EN/UV)引脚：
这一引脚有多项功能：输入使能信号及线电压欠压检测。在正
常工作下，功率MOSFET的开关由此引脚控制。当从此引脚拉
出的电流大于某个阈值电流时，MOSFET将被关断。当此引脚
拉出的电流小于某个阈值电流时，MOSFET将被重新开启。
对阈值电流的调制可以防止群脉冲现象的发生。阈值电流介于
75 μA和115 μA之间。
在使能/欠压引脚和DC电压间连接一个外部电阻可以用来感测输
入电压的欠压情况。如果没有外部电阻连接到此引脚，
TinySwitch-4可检测出这一情况并禁止输入电压欠压保护功能。
源极(S)引脚：
内部连接到MOSFET的源极，用于高压功率的返回节点及控制
电路的参考点。
TinySwitch-4功能描述
TinySwitch-4在一个器件上集成了一个高压功率MOSFET开关
及一个电源控制器。与传统的PWM（脉宽调制）控制器不同，
它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。
600
500
VDRAIN
400
PI-2741-041901
这个控制器包括了一个振荡器、使能电路（检测及逻辑）、
流限状态调节器、5.85 V稳压器、旁路/多功能引脚欠压及过压电
路、电流限流选择电路、过热保护、电流限流电路、前沿消隐电
路以及一个725 V功率MOSFET管。此外，TinySwitch-4还增加了
欠压检测、自动重启动、自动调整的开关周期导通时间延长及频
率抖动功能。图3显示了具备以上重要特性的功能结构图。
300
200
100
0
136 kHz
128 kHz
0
5
Time (µs)
10
振荡器
典型的振荡器频率内部设置在132 kHz的平均水平。此振荡器产
生两个信号：最大占空比信号(DCMAX)及显示每个开关周期开始
的时钟信号。
振荡器电路可产生轻微的频率抖动，通常为8 kHz的峰峰值，用
来将EMI降低到最小。频率抖动的调制速率设置在1 kHz的水平，
目的是降低平均及准峰值的EMI，并给予优化。测量频率抖动时
应将示波器触发设定在漏极电压波形的下降沿。图5的波形显示
了频率抖动状态。
输入使能和流限状态调节器
使能/欠压引脚的输入使能电路包括了一个输出设置在1.2 V的低
阻抗源极跟随器。流经此源极跟随器的电流被限定为115 μA。
当流出此引脚的电流超过了阈值电流，在此使能电路的输出端
会产生一个低逻辑电平（禁止），直到流出此引脚的电流低于
阈值电流。在每个周期开始时，对应时钟信号的上升沿对这一
使能电路输出进行采样。如果为高电平，功率MOSFET会在那
个周期导通（使能）。如果为低电平，功率MOSFET将仍处于
关闭状态（禁止）。由于取样仅在每个周期的开始时进行，此周
期中随后产生的使能/欠压引脚电压或电流的变化对MOSFET状
态都不构成影响。
在轻载状态下，当TinySwitch-4开关频率有可能进入音频范围内
时，流限状态调节器以非连续方式降低流限。较低的电流限流
值使开关频率保持在音频范围之上，降低变压器的磁通密度从
而减轻了音频噪音。状态调节器监测使能的开关序列以确定负
载情况，并以非连续方式相应地调节流限。
在大多数的工作状态下（除非接近空载时），在开关周期被禁
止时低阻抗源极跟随器会控制使能/欠压引脚的电压，使其不会
远远低于1.2 V。这改善了连接到此引脚的光耦器的响应时间。
5.85 V稳压器及6.4 V分流电压箝位
在MOSFET处在关闭期间，5.85 V稳压器就会从漏极电压吸收电
流，将连接到旁路引脚的旁路电容充电到5.85 V。旁路/多功能
引脚是内部供电电压节点。当MOSFET导通时，器件利用储存
在旁路电容内的能量工作。内部电路极低的功率耗散使
TinySwitch-4可使用从漏极吸收的电流持续工作。一个0.1 μF的
旁路电容就足够实现高频率的去耦及能量存储。
此外，当有电流从外部电阻提供给旁路/多功能引脚时，一个6.4 V
的分流稳压箝位电路会将旁路/多功能引脚电压箝在6.4 V。利用
偏置绕组经过外部电阻向TinySwitch-4供电，可以将空载能耗降
低到50 mW以下。
图 5. 频率抖动
3
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旁路/多功能引脚欠压电路
在稳态工作下，当旁路/多功能引脚电压下降到4.9 V以下时，旁
路/多功能引脚欠压电路将关断功率MOSFET。在稳态工作下一
旦旁路/多功能引脚电压下降到4.9 V之下，它必须再上升回5.85 V
才可重新使能（导通）功率MOSFET。
过热保护
热关断电路检测结的温度。阈值设置在142°C并具备75°C的迟
滞范围。当结温度超过这个阈值，功率MOSFET开关被禁止，
直到结温度下降75°C，MOSFET才会重新使能。采用75°C（典
型值）的迟滞可防止因持续故障而使PC板出现过热现象。
电流限流点
电流限流电路检测功率MOSFET的电流。当电流超过内部阈值
(ILIMIT)时，在该周期剩余阶段会关断功率MOSFET。电流限流状
态调节器在中轻度负载条件下以非连续方式降低电流限流阈
值。
V
300
PI-4098-082305
在功率MOSFET导通后，前沿消隐电路会将电流限流比较器抑制
片刻(tLEB)。通过设置前沿消隐时间，可以防止由电容及次级整流
管反向恢复时间产生的电流尖峰所引起开关脉冲的提前误关断。
DRAIN
200
自动重启动
一旦出现故障，例如在输出过载、输出短路或开环情况
下，TinySwitch-4进入自动重启动操作。每当使能/欠压引脚电
压拉低时，一个由振荡器记时的内部记数器会重新置位。如果
64 ms内使能/欠压引脚未被拉低，功率MOSFET开关通常被禁止
2.5秒（除欠压状态下，因MOSFET在欠压时已被关断）。自动
重启动电路对功率MOSFET进行交替使能和关闭，直到故障排
除为止。图6显示了输出短路时自动重启动电路的工作情况。
在欠压状态下，功率MOSFET开关的禁止时间超过通常的
2.5 秒，直到欠压状态结束为止。
自适应的开关周期导通时间延长
自适应开关周期导通延长是指在初级电流未达到电流限流点前
继续保持此开关周期导通，而不是在最大占空比DC MAX达到后提
前结束此周期。这一特性降低了维持稳压所需的最小输入电
压，延长了维持时间并降低了所需电解电容的尺寸。导通时间
延长功能在电源通电开启时被禁止，直到电源输出电压达到稳
定时。
输入欠压检测电路
连接在直流电压与使能/欠压引脚间的外接电阻可用于监测直流
输入电压。在通电或自动重启动时功率MOSFET开关禁止期
间，流入使能/欠压引脚的电流必须超过25 μA，才能启动功率
MOSFET。在通电时，旁路/多功能引脚在欠压情况下会被维持
在4.9 V。一旦欠压情况消除，旁路/多功能引脚会从4.9 V上升到
5.85 V。如果在自动重启动模式下功率MOSFET禁止开关期间出
现欠压情况，则自动重启动计数器会停止计数。这使禁止时间
从正常的2.5秒延长到欠压消除为止。
100
欠压电路还能同时检测到没有外部电阻连接到使能/欠压引脚的
状况（低于~2 μA的电流流入此引脚）。在此情况下则禁止欠压
保护功能。
0
10
V
DC-OUTPUT
5
0
0
2500
Time (ms)
图 6. 自动重启动操作
5000
TinySwitch-4工作原理
TinySwitch-4器件以流限模式工作。在使能状态下，振荡器在每
个时钟周期开始时开启功率MOSFET。当电流达到限流点或达
到最大占空比(DCMAX)时，MOSFET才会关断。由于TinySwitch-4
设计的最高流限值与频率是定值，它提供给负载的功率与变压
器初级电感及峰值初级电流的平方成正比。因此，电源的设计
包括变压器初级电感量的计算，以满足最大输出功率的要求。
如果根据功率选择了正确的TinySwitch-4，那么流过电感内的电
流会在达到DCMAX极限前上升到流限值。
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使能
TinySwitch-4检测使能/欠压引脚来判定是否进入下一个开关周
期。周期序列用于确定流限。一个周期一旦开始，就会完成整
个周期（即使在周期进行中途使能/欠压引脚状态发生变化也是
如此）。这种工作方式使得电源的输出电压纹波由输出电容、
每一开关周期传输的总能量及反馈延时决定。
电源输出电压与参考电压在次级比较产生使能/欠压引脚信号。
当电源输出电压低于参考电压时，使能/欠压引脚信号为高电平
状态。在典型的应用当中，使能/欠压引脚由光耦驱动。光耦晶
体管的集电极连接到使能/欠压引脚，发射极连接到源极引脚。
将光耦LED与一个齐纳二极管串联连接在需稳压的直流输出电压
的两端。当输出电压超出目标稳压值时（光耦LED压降加上齐纳
二极管电压），光耦LED开始导通，将使能/欠压引脚拉低。如
要改善输出稳压精度，齐纳二极管可用一个TL431电压参考电路
替代。
V
EN
V
EN
CLOCK
CLOCK
DC
DC
MAX
MAX
I DRAIN
I DRAIN
V DRAIN
V DRAIN
PI-2749-082305
图 7. 在接近满载时的操作
PI-2667-082305
图 8. 在较重负载时的操作
V
EN
V
EN
CLOCK
CLOCK
DC
DC
MAX
MAX
I DRAIN
I DRAIN
V DRAIN
V DRAIN
PI-2661-082305
PI-2377-082305
图 9. 在中等负载时的操作
图 10. 在极轻负载时的操作
5
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接近最大负载时，TinySwitch-4将在大部分时钟周期内导通
（如图7）。当负载稍轻时，它会“跳过”附加周期以保持电源
输出电压的稳定（如图8）。中等负载条件下，某些周期会被跳
过，同时限流点也会降低（图9）。而在负载极轻时，电流限流
点会进一步降低（图10）。仅有少部分的周期导通以供给电源
本身的功率消耗。
V
100
PI-2383-030801
200
DC-INPUT
因此，ON/OFF控制电路的响应时间要比PWM控制快得多。
这样可获得精确的稳压及出色的瞬态响应。
通电/断电
TinySwitch-4的旁路/多功能引脚上仅需要一个0.1 μF的电容即可
实现标准的电流限流。由于容量很小，电容的充电时间极短，通
常为0.6 ms。充电时间与选择了不同电流限流的相应旁路/多功能
引脚电容值成正比。由于开/关反馈的高带宽，电源输出无
过冲。当在直流输入正极与使能/欠压引脚间连接一个外部电阻
(4MW)，在通电期间功率MOSFET开关将被延迟，直到直流电压
超过阈值(100 V)之后。图11及图12显示了使能/欠压引脚在有外
接电阻及没有外接电阻(4 MW)的应用中，TinySwitch-4的通电时
序波形。在启动及过载状态下，当导通时间少于400 ns时，器件
将降低开关频率以维持对峰值漏极电流的控制。
200
0
10
10
V
5
DC-INPUT
V
5
BYPASS
0
0
400
400
200
V
100
0
BYPASS
200
V
PI-2381-1030801
带流限状态调节的ON/OFF控制
TinySwitch-4的内部时钟始终工作。它在每个时钟周期上升沿对
使能/欠压引脚进行取样，来决定是否执行一个开关周期，并根
据多个周期的取样序列确定适当的流限。重负载时，流限状态
调节器将流限设置到最高值。负载减轻时，流限状态调节器会
相应将流限值的设置降低。
V
DRAIN
DRAIN
0
0
1
0
2
Time (ms)
PI-2348-030801
200
V
DC-INPUT
200
V
100
0
0
400
400
300
300
DC-INPUT
V
200
V
200
2
图 12 未使用连接到EN/UV引脚的可选外部UV电阻的通电时序
图 11 使用连接到EN/UV引脚的可选外部UV电阻(4 MW)的通电时序
100
1
Time (ms)
DRAIN
PI-2395-030801
0
DRAIN
100
100
0
0
0
.5
Time (s)
图 13 正常断电时序波形（无UV）
1
0
2.5
5
Time (s)
图 14 使用连接到EN/UV引脚的可选外部UV电阻(4 MW)的缓慢断电时序
6
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图13显示了一个典型的断电时序波形。图14显示了一个在待机
应用中一个非常缓慢断电的时序波形。此处在使能/欠压引脚采
用了一个外接电阻(4 MW)以避免重启动。
TinySwitch-4直接由漏极引脚供电，因此无需偏置绕组来为芯片
提供供电（参考功能描述）。益处体现在两个方面：首先，对
于一般应用，这节约了偏置绕组及相关元件的成本；其次，对
于电池充电器应用，电流-电压特性常要求输出电压降至接近0 V
时仍保持有功率输出。TinySwitch-4在无需正向偏置绕组及许多
相关元件的情况下就可实现。如果应用要求空载功耗非常低
(50 mW)，可在偏置绕组与旁路/多功能引脚间连接一个电阻来
向芯片供电。建议最小供电电流在1 mA以上。此时旁路/多功能
引脚将箝位在6.4 V。这种方法将不再由漏极供电，因此降低了
空载功耗并提高满载效率。
电流限流工作方式
各开关周期在漏极电流达到器件的电流限流值时终止。流限操
作能很好地抑制线电压纹波，并提供不受输入电压影响的恒定
输出功率。
旁路/多功能引脚电容
旁路/多功能引脚可使用一个数值为0.1 μF的小陶瓷电容来实现
内部电源的去耦。另外可使用更大的电容来调节流限。对于
TNY285-290而言，一个1 μF的旁路/多功能引脚电容将选择一个
与相邻更小型号相同的流限值，一个10 μF的旁路/多功能引脚电
容将选择一个与相邻更大型号相同的流限值。较高限流点的
TNY290通常设定在850 mA。TNY284的MOSFET没有提高流限
的能力，因此不具备此项特性。
Maximum Over Power (W)
40
TNY290
TNY280
35
PI-6788-052312
断电时，如果使用了外接电阻，功率MOSET在输出失调后仍将
继续开关64 ms。之后由于低压时欠压保护功能禁止MOSFET重
启动，功率MOSFET将保持关断而不会造成输出的不良波动。
30
25
20
85 100 115 130 145 160 175 190 205 220 235 250 265
Input Voltage (VAC)
图 15. TinySwitch-4 和 TinySwitch-III 作为输入电压的函数时的最大过载比较
（数据收集自RDK-295 20 W参考设计）
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图 16. 采用TNY290PG的5 V、4 A通用输入电源
应用范例
图16所示为采用TNY290PG的通用输入、5 V及4 A输出的反激式
低成本高效率电源电路。
此电源具有的特性包括欠压锁定、初级检测的输出过压锁定关
断保护、高效率(>80%)以及极低的空载功耗（265 VAC输入时
<50 mW）。使用一个简单的齐纳二极管参考及光耦反馈可对输
出电压进行稳压。
经整流及滤波的输入电压加在T1的初级绕组上。U1中集成的
MOSFET驱动变压器初级的另一侧。二极管D1、C3、R1及VR1
组成箝位电路，将漏极的漏感关断电压尖峰控制在安全值范围
以内。
输出电压由TL431 U2进行调整。当输出电压纹波超过U2
(CATHODE D6)与光耦LED正向电压降之和时，电流将流向光耦
LED。从而下拉光耦中晶体管的电流。当此电流超出使能引脚
阈值电流时，将抑制下一个开关周期。当下降的输出电压低于
反馈阈值时，会使能一个开关周期。通过调节使能周期的数
量，可对输出电压进行调节。随负载的减轻，使能周期也随之
减少，从而降低有效的开关频率，根据负载情况减低开关损
耗。因此能够在负载极轻时提供恒定的效率，易于满足能效标
准的要求。
由于TinySwitch-4完全是自供电的，因此在变压器上无需辅助或
偏置绕组。如果使用偏置绕组，可实现输出过压保护功能，在
反馈出现开环故障时保护负载。
当发生过压情况时，如偏置电压超过VR2与旁路/多功能引脚电
压之和时，电流开始流向旁路/多功能引脚。当此电流超过ISD
时，TinySwitch-4的内部锁定关断电路将被激活。在每个AC输
入半周期中，当流经R12和R13的使能/欠压引脚电流下降到低
于18.75 mA时，TinySwitch-4的内部锁定关断电路将被复位。因
此，图16中的配置为针对过压故障的非锁存方式。通过将R12
和R13连接到C2的正极端子，可以较高的待机功耗为代价来实
现过压锁定保护。如范例所示，在环路开环时，OVP的输出电
压为17 V。
对于有更低输入空载功耗的应用，可使用偏置绕组向
TinySwitch-4供电。电阻R4将电流送入旁路/多功能引脚，抑制
了内部高电压电流源，通常此高压恒流源在内部MOSFET关断
期间维持旁路/多功能引脚的电容电压(C7)。此连接方式将
265 VAC输入时的空载功耗从140 mW降低到40 mW。
8
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欠压锁定是通过将R5连接在DC总线和U1的使能/欠压引脚之间
来实现的。当发生欠压锁定时，开关周期被抑制，直到使能/欠
压引脚电流超过25 μA为止。这样可以对电源的启动电压进行设
定，使其在正常的输入电压范围内工作。在非正常的输入电压
过低及AC断电时防止在输出端出现不良的电压波动。
特性
TinySwitch-III
TinySwitch-4
BVDSS
700 V
725 V
线电压补偿OCP
不适用
是
>40%
<15%
UV阈值
25 mA ±10%
25 mA ±5%
VBP复位电压
典型值2.6 V
典型值3.0 V
封装
DIP-8C (P),
SMD-8C (G)
DIP-8C (P),
eSOP-12B (K),
SO-8C (D)
典型OCP从85 VAC
更改为265 VAC
除了用于差模EMI衰减的简单的pi型输入滤波器（C1、L1、C2）
之外，此设计还在变压器上采用了E-Shield™屛蔽技术来降低共
模EMI位移电流，R2及C4作为衰减网络来降低高频变压器振荡。
这些技术与TNY288的频率抖动相结合，令此设计具有出色的传
导及辐射EMI性能，比EN55022 B级对传导EMI所规定的要求还
多出12 dBμV的裕量。
表 2. TinySwitch-III与TinySwitch-4比较
设计灵活性方面，可选用C7的数值在U1的三个电流限流点之间
选择。设计师可根据应用选用相应的电流限流点。
•
•
•
当使用0.1 μF的旁路/多功能引脚电容，器件会工作在标准的
电流限流(ILIMIT)点上，通常适合封闭式适配器应用。
当使用1 μF的旁路/多功能引脚电容，器件工作的限流点会降
低（ILIMITred或ILIMIT-1），从而降低流经器件的RMS电流值并因
此提高效率，但会影响最大输出功率的能力。非常适用于对
温度要求高、要考虑更好散热的设计。
当使用10 μF的旁路/多功能引脚电容，器件工作的电流限流点
会升高（ILIMITinc或ILIMIT+1），在温度允许的情况下，使器件的
峰值输出功率或连续输出功率有所增加。
此外，设计灵活性还表现在TinySwitch-4产品系列相邻型号之间
的电流限流值的相互兼容。某一器件降低的电流限流点与相邻
更小型号的标准电流限流点相同，而提高的电流限流点与相邻
更大型号的标准电流限流点相同。
主要应用指南
TinySwitch-4与TinySwitch-III比较
表 2 比 较 了 T i n y S w i t c h - 4 与 T i n y S w i t c h - I I I 的 特 性 及 性 能差
异。TinySwitch-4具备许多改进的特性，其引脚与TinySwitch-III
兼容。它不需要过多的修改即可调整到新设计。除特性增强之
外，TinySwitch-4还提供两个新封装 - eSOP-12B (K)和SO-8C (D)，
可满足不同的应用要求。
TinySwitch-4设计考量
输出功率表
输出功率表（表1）列出了在以下条件下能获得的最小实际持续
输出功率：
1. 85VAC输入时，最小DC输入电压为100 V或更高，亦或当
230VAC输入或115VAC输入并使用倍压整流时，最小DC电
压为220 V或更高。输入电容值的大小应足够适用交流输入
电压的要求。
2. 效率为75%。
3. I2f的最小数据值。
4. 变压器初级电感公差为±10%。
5. 反射输出电压(VOR)为135 V。
6. 输出电压为12 V且输出采用快速PN整流二极管来整流。
7. 瞬态KP*值为0.25的连续工作方式。
8. 峰值及开放式应用的输出功率是通过选择增加的电流限流点
实现的，对于适配器应用中所列出的输出功率是采用标准的
电流限流点得到的。
9. 将器件贴装在电路板上，源极焊接在足够的铺铜区域上，并
且/或者使用一个散热片将源极引脚温度控制在110°C或之下。
10. 敞开式设计的环境温度为50°C，密闭式适配器应用的环境温
度为40°C。
*当K P值小于1时，K P是初级电流脉动部分与峰值部分的比率。
为防止开关周期的提前误关断所导致的输出功率能力的降低，
建议KP值要满足≥0.25。这样将避免在MOSFET开启时初始电流
尖峰(IINIT)触发到器件限流点。
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表3列出了每个产品型号在选择了三个不同电流限流值时的最小
实际输出功率，以供参考。假定前提为敞开式工作环境（不受
温度影响），否则需要上述前提条件的支持。这些数据有助于
根据所用的器件及输出功率选择正确的电流限流点。
过压保护
TinySwitch-4内部的锁存电路可以实现对输出电压的过压保护。
该电路由流入旁路/多功能引脚的约为5.5 mA的阈值电流触发。
旁路/多功能引脚电容除起到内部滤波的作用，还作为外部滤波
器，避免噪音信号引起保护电路的误触发。为使旁路电容达到
有效的高频滤波，应将电容尽量放置在距器件源极和旁路/多功
能引脚最近的地方。
峰值输出功率表
230 VAC ± 15%
产品
ILIMIT-1
ILIMIT
TNY284P
9.1 W
10.9 W
9.1 W
7.1 W
8.5 W
7.1 W
TNY285P
10.8 W
12 W
15.1 W
8.4 W
9.3 W
11.8 W
TNY286P
11.8 W 15.3 W 19.4 W
9.2 W
11.9 W 15.1 W
TNY287P
15.1 W 19.6 W 23.7 W 11.8 W 15.3 W 18.5 W
TNY288P
19.4 W
TNY289P
23.7 W 28.4 W 32.2 W 18.5 W
TNY290P
28 W
24 W
ILIMIT+1
85-265 VAC
28 W
ILIMIT-1
ILIMIT
ILIMIT+1
15.1 W 18.6 W 21.8 W
22 W
25.2 W
32.7 W 36.6 W 21.8 W 25.4 W 28.5 W
噪音
TinySwitch-4的跳周期工作方式会使变压器产生音频分量的噪
音。为抑制噪音，应将变压器的峰值磁芯磁通密度设计在低于
3000高斯(300 mT)之下。采用此方法并使用标准的变压器生产
浸漆工艺就可以基本上消除音频噪声。不要对变压器采用真空
浸渍方式，这会引起较高的初级电容，因而导致更大损耗。也
可采用更高的磁通密度，但在批准设计前，必须使用变压器生
产样品来进行细致的噪音评估。
在箝位电路中使用类似Z5U介质的陶瓷电容也可能会产生音频
噪音。在这种情况下，尝试使用其他不同介质材料或结构的
电容，例如薄膜型电容。
TinySwitch-4布局的注意事项
布局
参见图17了解TinySwitch-4的推荐电路板布局。
单点接地
在输入滤波电容与连接源极引脚的铜铂区域使用一个单一接
地点。
旁路电容(CBP)
旁路/多功能引脚电容必须放置在距离旁路/多功能引脚和源极引
脚最近的地方。
表 3. 三种可选电流限流值下的最小实际输出功率。
为更好发挥OVP功能，建议使用一个相对高的、范围在15 V - 30 V
的偏置绕组电压。这可以降低偏置绕组上由漏感引起的误差电
压影响，并保证空载时有足够电压供应给旁路/多功能引脚，以
降低空载损耗。
在大多数设计中实现OVP的功能，齐纳二极管的电压应比偏置
绕组电压高出6 V左右（偏置绕组电压为22 V时齐纳二极管的电
压为28 V），但也可因漏感值的变化进行调整。此外，也可将一
个小电阻（10W到47W）与偏置绕组二极管及/或OVP齐纳二极
管串联接入，作为额外的滤波，如图16中R7及R3所示。同OVP
齐纳二极管串联在一起的电阻同样可以控制流入旁路/多功能引
脚的最大电流。
降低空载功耗
TinySwitch-4可通过旁路/多功能引脚电容进行自供电，因此无需
在变压器上使用辅助或偏置绕组。265 VAC输入、自供电下的典
型空载功耗<150 mW。增加偏置绕组后，可由更低的偏置电压
向TinySwitch-4供电，并抑制了内部高压电流源供电，从而将空
载功耗降低到<50 mW。应选择合适的电阻值（图16所示R8）来
实现数据手册内所注明的漏极供电电流。在实际设计时，由于
低负载时偏置电压随之降低，最初选定一个电阻值使得供电电
流为数据手册中规定的最大电流的40%，然后再增大电阻的数值
以满足最低空载功耗的要求。
如果已选用0.1 mF旁路电容，则该电容应为高频陶瓷电容（如，
含X7R电介质）。它必须直接放置在使能和源极引脚之间，以对
进入旁路引脚的外部噪音进行滤波。如果选用了1 mF或10 mF旁
路电容，那么应在旁路和源极引脚之间添加一个额外的0.1 mF电
容，以提供噪音滤波（见图17）。
使能/欠压引脚
使连接到使能/欠压引脚的走线尽可能短，且尽可能远离所有其
他走线和器件源极上的节点，包括但不限于旁路、漏极和偏置
供电二极管阳极节点。
初级环路面积
由输入滤波电容、变压器初级及TinySwitch-4组成的初级环路面
积应尽可能小。
初级箝位电路
可以使用箝位电路来限制MOSFET在关断时漏极引脚的峰值电
压。在初级绕组上使用一个RCD箝位或一个齐纳稳压管(~200 V)
及二极管箝位即能够实现。在任何情况下，为改善EMI，从箝位
元件到变压器再到TinySwitch-4的电路路径应保证最小。
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Maximize hatched copper
areas (
) for optimum
heat sinking
Safety Spacing
Y1Capacitor
+
High-Voltage
Output
Rectifier
Input Filter Capacitor
-
PRI
BIAS
PRI
D
S
S
TOP VIEW
TinySwitch-4
S
BP/M
BIAS
T
r
a
n
s
f
o
r
m
e
r
Output Filter
Capacitor
SEC
S
*CHF/CBP
EN/
UV
CBP
Optocoupler
-
DC +
OUT
*CHF is a 0.1 µF high frequency noise bypass capacitor (the high frequency 0.1 µF capacitor eliminates need for CBP if ILIMIT selection requires 0.1 µF).
PI-6651-060612
图 17. 带欠压锁定电阻的TinySwitch-4推荐电路板布局
散热考量
源极引脚都从内部连接到IC的引线部位，是器件散热的主要路
径。因此，所有的源极引脚都应连接到TinySwitch-4下的铺铜区
域，不但作为单点接地，还可作为散热片使用。因它连接到安
静的源极节点，可以将这个区域扩大以实现良好的散热。对于
轴向输出二极管亦如此，应将连接到阴极的PCB区域最大化。
Y电容
应将Y电容直接放置在初级输入滤波电容正极和变压器次级的共
地/返回极接脚之间。这样放置会使高幅值的共模浪涌电流远离
TinySwitch-4器件。注意：如果在输入端使用了π（C、L、C）
型EMI滤波器，那么滤波器内的电感应放置在输入滤波电容的负
极之间。
光耦器
将光耦器置于靠近TinySwitch-4的地方来缩短初级侧铺铜走线的
长度。令高电流、高电压的漏极及箝位电路的铺铜走线远离光
耦器以避免噪声信号的干扰。
输出二极管
要达到最佳的性能，连接次级绕组、输出二极管及输出滤波电
容的环路区域面积应最小。此外，与二极管的阴极和阳极连接
的铜铂区域应足够大，以便用来散热。最好在安静的阴极留有
更大的铜铂区域。阳极铺铜区域过大会增加高频辐射EMI。
PC板漏电流
TinySwitch-4的设计理念是在整个功率范围内，尤其是在待机及
空载情况下实现效率的最优化。为实现这一性能，TinySwitch-4
的电流损耗已经降至最低。例如，使能/欠压引脚欠压检测电路
具有一个低阈值(~1 μA)，可检测是否存在欠压电阻。
当PCB板的装配环境控制良好时，流入使能/欠压引脚的寄生漏
电流通常都低于1 μA的阈值。然而，在空气潮湿并伴有PCB板
及/或封装的污染，如使用低成本的“免洗助焊剂”进行焊接或
存在其他污染时，将会降低PCB板表面的电阻率，令大于1 μ的
寄生漏电流流入使能/欠压引脚。这些电流可从附近电压较高的
焊盘流入使能/欠压引脚，如旁路/多功能引脚焊盘，从而阻止器
件启动。如果设计中在高压母线及使能/欠压引脚间放置了一个
连接电阻以实现欠压锁定功能，则不受任何影响。
在某些生产环境中，如果无法控制在完成焊接后PCB板的污染
程度，如敞开式应用或生产环境的污染程度较高，并且设计未
使用欠压锁定的功能，可以在使能/欠压引脚和源极引脚间放置
一个备选的390 kW电阻，以确保流入使能/欠压引脚的寄生漏电
流低于1 μA。
请注意，如果根据供应商的指导使用免洗助焊剂，PCB板表面
绝缘电阻(SIR)通常大于10 MW，因此将不会出现此类问题。
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快速设计校验
对于任何使用TinySwitch-4的电源设计，都应经过全面测试以确
保在最差条件下元件的规格没有超过规定范围。建议至少进行
如下测试：
1. 最大化漏极电压 – 校验在最高输入电压和峰值（过载）输出
功率时VDS没有超过675 V。给725 V的BVDSS规格增加50 V的
裕量，使得在设计变更时留有一定的设计裕量。
2. 最大漏极电流 - 在最高环境温度、最大输入电压及峰值输出
（过载）功率情况下，检查漏极电流以确定变压器是否出现
饱和，另外也要检测电源开启时是否出现过高的前沿导通电
流尖峰。在稳态工作下重复以上操作，校验前沿电流尖峰在
t LEB(MIN)结束时低于ILIMIT(MIN)。在任何条件下，最大漏极电流应
低于规定的绝对最大额定值。
3. 热检测 – 在规定的最大输出功率、最小输入电压及最高环境
温度情况下，检查TinySwitch-4、变压器、输出二极管及输
出电容的温度没有超标。应有足够的温度裕量以保证
LinkSwitch-4不会因为零件与零件间RDS(ON)的差异而引起过热
问题出现，参见数据手册中关于RDS(ON)的说明。建议在低压
输入及最大输出功率的情况下，TinySwitch-4源极引脚的最
高温度不高于110°C，这样就可以适应上述参数的变化。
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绝对最大额定值(1,4)
漏极电压 ............................................................ -0.3 V到725 V
漏极峰值电流：
TNY284 ......................... 400 (750) mA(2)
TNY285 ....................... 560 (1050) mA(2)
TNY286 ....................... 720 (1350) mA(2)
TNY287 ....................... 880 (1650) mA(2)
TNY288 ..................... 1040 (1950) mA(2)
TNY289 ..................... 1200 (2250) mA(2)
TNY290 ..................... 1360 (2550) mA(2)
EN/UV电压 .............................................................. -0.3 V到9 V
EN/UV电流........................................ ............................ 100 mA
BP/M电压.................................................. ............. -0.3 V到9 V
贮存温度..... ......................................................-65 °C到150 °C
最大结温度(3) .....................................................-40 °C到150 °C
引线温度(4) .......................................................................260 °C
注释：
1. 所有电压都是以TA = 25°C时的源极为参考点。
2. 当漏极电压同时低于400 V时，可允许更高的峰值漏极电流。
3. 通常由内部电路控制。
4. 在距壳体1/16英寸处测量，持续时间5秒。
5. 在短时间内施加器件允许的最大额定值不会引起产品永久性
的损坏。但长时间用在器件允许的绝对额定条件下时，会对
产品的可靠性造成影响。
热阻抗
热阻抗：P封装：
(qJA) ............................ ....70 °C/W(2); 60 °C/W(3)
(qJC)(1) ..................................................11 °C/W
D封装：
(qJA) ............................ ..100 °C/W(2); 80 °C/W(3)
(qJC)(1) ..................................................30 °C/W
K封装：
(qJA) ............................ ....45 °C/W(2); 38 °C/W(3)
(qJC)(4) ....................................................2 °C/W
参数
符号
注释：
1. 在靠近塑料表面的源极引脚测得。
2. 焊在0.36平方英寸(232 mm2)、2盎司(610 g/m2)铜铂区域。
3. 焊在1平方英寸(645 mm2)、2盎司(610 g/m2)铜铂区域。
4. 外壳温度在底侧裸焊盘测得。
条件
源极 = 0 V；TJ = -40到125°C
见图18
（除非另有说明）
最小值
典型值
最大值
124
132
140
单位
控制功能
标准模式下的输出频率
最大占空比
fOSC
DCMAX
EN/UV引脚最大关断阈
值电流
IDIS
EN/UV引脚电压
VEN
IS1
漏极供电电流
IS2
Average
TJ = 25 °C
见图5
Peak-to-peak Jitter
S1 Open
8
62
67
-150
-122
-90
IEN/UV = 25 mA
1.8
2.2
2.6
IEN/UV = -25 mA
0.8
1.2
1.6
EN/UV Current > IDIS
(MOSFET Not Switching)见注释A
EN/UV Open
(MOSFET
Switching at fOSC)
见注释B
kHz
%
mA
V
mA
330
TNY284
360
400
TNY285
410
440
TNY286
430
470
TNY287
510
550
TNY288
615
650
TNY289
715
800
TNY290
875
930
mA
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符号
条件
源极 = 0 V；TJ = -40到125°C
见图18
（除非另有说明）
最小值
典型值
最大值
ICH1
VBP/M = 0 V, TJ = 25 °C
见注释C, D
-6.5
-4.5
-2.5
ICH2
VBP/M = 4 V, TJ = 25 °C
见注释C, D
-4.7
-2.8
-1.4
BP/M引脚电压
VBP/M
见注释C
5.6
5.85
6.3
V
BP/M引脚电压迟滞
VBP/MH
0.80
0.95
1.20
V
BP/M引脚分流电压
VSHUNT
IBP = 2 mA
6.0
6.4
6.85
V
EN/UV引脚欠压阈值
ILUV
TJ = 25 °C
23.75
25
26.25
mA
TJ = 25 °C
见注释G
3
5
8
mA
参数
单位
控制功能（续上）
BP/M引脚充电电流
EN/UV引脚 - 复位迟滞
（跟随BP/M引脚电流
>ISD的锁存）
mA
电路保护
标准电流限流点
（BP/M电容 =
0.1 mF），见注释D
ILIMIT
di/dt = 50 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY284P/D/K
233
250
267
di/dt = 55 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY285P/D/K
256
275
294
di/dt = 70 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY286P/D/K
326
350
374
di/dt = 90 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY287P/D/K
419
450
481
di/dt = 110 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY288P/D/K
512
550
588
di/dt = 130 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY289P/K
605
650
695
di/dt = 150 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY290P/K
698
750
802
mA
14
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参数
符号
条件
源极 = 0 V；TJ = -40到125°C
见图18
（除非另有说明）
最小值
典型值
最大值
单位
电路保护（续上）
降低的电流限流点
（BP/M电容 =
1 mF），见注释D
提高的电流限流点
（BP/M电容 = 10 mF），
见注释D
ILIMITred
ILIMITinc
di/dt = 42 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY284P/D/K
196
210
233
di/dt = 50 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY285P/D/K
233
250
277
di/dt = 55 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY286P/D/K
256
275
305
di/dt = 70 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY287P/D/K
326
350
388
di/dt = 90 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY288P/D/K
419
450
499
di/dt = 110 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY289P/K
512
550
610
di/dt = 130 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY290P/K
605
650
721
di/dt = 42 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E, F
TNY284P/D/K
196
210
233
di/dt = 70 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY285P/D/K
326
350
388
di/dt = 90 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY286P/D/K
419
450
499
di/dt = 110 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY287P/D/K
512
550
610
di/dt = 130 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY288P/D/K
605
650
721
di/dt = 150 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY289P/K
698
750
833
di/dt = 170 mA/ms
TJ = 25 °C
见注释E
TNY290P/K
791
850
943
mA
mA
15
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TNY284-290
参数
符号
条件
源极 = 0 V；TJ = -40 到 125 °C
见图 18
（除非另有说明）
最小值
典型值
最大值
单位
电路保护（续上）
功率因数
I2f
Standard Current
Limit, I2f = ILIMIT(TYP)2 × fOSC(TYP)
TJ = 25 °C
TNY284-290
0.9 ×
I2f
I 2f
1.12 ×
I2f
Reduced Current
Limit, I2f = ILIMITred(TYP)2
× fOSC(TYP)
TJ = 25 °C
TNY284-290
0.9 ×
I2f
I 2f
1.16 ×
I2f
Increased Current
Limit, I2f = ILIMITinc(TYP)2 × fOSC(TYP)
TJ = 25 °C
TNY284-290
0.9 ×
I2f
I 2f
1.16 ×
I2f
初始电流限流点
IINIT
见图 20
TJ = 25 °C, 见注释 G
0.75 ×
ILIMIT(MIN)
前沿消隐时间
tLEB
TJ = 25 °C
见注释 G
170
电流限流点延迟
tILD
TJ = 25 °C
见注释 G, H
热关断温度
TSD
热关断迟滞
TSDH
135
A2Hz
mA
215
ns
150
ns
142
150
°C
°C
75
BP/M 引脚关断阈值电流
ISD
4
6.5
9
mA
BP/M 引脚通电复位阈值
电压
VBP/M(RESET)
1.6
3.0
3.6
V
TJ = 25 °C
28
32
TJ = 100 °C
42
48
TJ = 25 °C
19
22
TJ = 100 °C
29
33
TJ = 25 °C
14
16
TJ = 100 °C
21
24
输出
TNY284
ID = 25 mA
导通电阻
RDS(ON)
TNY285
ID = 28 mA
TNY286
ID = 35 mA
W
16
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TNY284-290
参数
符号
条件
源极 = 0 V；TJ = -40到125°C
见图18
（除非另有说明）
最小值
典型值
最大值
TJ = 25 °C
7.8
9.0
TJ = 100 °C
11.7
13.5
TJ = 25 °C
5.2
6.0
TJ = 100 °C
7.8
9.0
TJ = 25 °C
3.9
4.5
TJ = 100 °C
5.8
6.7
TJ = 25 °C
2.6
3.0
TJ = 100 °C
3.9
4.5
单位
输出（续上）
TNY287
ID = 45 mA
导通电阻
RDS(ON)
TNY288
ID = 55 mA
TNY289
ID = 65 mA
TNY290
ID = 75 mA
IDSS1
关断状态漏极漏电流
IDSS2
击穿电压
BVDSS
VBP/M = 6.2 V
VEN/UV = 0 V
VDS = 560 V
TJ = 125 °C
见注释I
TNY284-286
50
TNY287-288
100
TNY289-290
200
VBP/M = 6.2 V
VEN/UV = 0 V
VDS = 375 V,
TJ = 50 °C
见注释G, I
VBP = 6.2 V, VEN/UV = 0 V,
见注释J, TJ = 25 °C
漏极供电电压
自动重启动导通时间fOSC
自动重启动占空比
W
mA
15
725
V
50
V
tAR
TJ = 25 °C
见注释K
64
ms
DCAR
TJ = 25 °C
3
%
17
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注释：
A. IS1是空载时器件控制器所损耗电流的精确估算值，因为在此种情况下工作频率非常低。空载时器件的总电流损耗为IS1与IDSS2之和。
B. 由于输出MOSFET处在开关状态，很难将开关电流和来自漏极的供电电流区分开。可以替代的测量方法是在旁路/多功能引脚电
压为6.1 V时测量旁路/多功能引脚电流。
C. 旁路/多功能引脚不可作为外部电路的供电电流源。
D. 为确保获得正确的电流限流值，建议使用0.1 mF / 1 mF / 10 mF电容。此外，BP/M电容值的容差应与实际应用环境温度范围内要
求的容差相等或更高。电容值必须介于表征法中规定的最小及最大电容值之间。
与电容值相关的容差
BP/M引脚
电容值
最小值
最大值
0.1 mF
-60%
+100%
1 mF
-50%
+100%
10 mF
-50%
NA
E. 关于其它di/dt值时的电流限流点请参考图25。
F. TNY284没有限流点增加功能，当使用10 mF的旁路/多功能引脚电容时，电流限流值与使用1 mF的旁路/多功能引脚电容相等
（降低的电流限流值）。
G. 此参数是通过表征法得到的。
H. 此参数是通过限流点的改变得到的。 在电流波形分别为限流点(ILIMIT)规格中di/dt的一倍和四倍情况下测量的。
I. IDSS1为80%的BVDSS以及最大工作结温时最差的关断状态漏电流。IDSS2是在最差应用条件下（265VAC整流后）进行空载损耗计算
时的典型漏电流。
J. 可通过抬高漏极引脚电压，但不超过最小BVDSS的方式检查击穿电压。
K. 自动重启动状态时的导通时间与振荡器拥有同样的温度特性（与频率成反比）。
18
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470 Ω
5Ω
S2
470 Ω
S
D
S1
S
S
S
2 MΩ
50 V
BP/M
EN/UV
10 V
0.1 µF
150 V
NOTE: This test circuit is not applicable for current limit or output characteristic measurements.
PI-4079-080905
图 18. 常规测试电路
DCMAX
(internal signal)
tP
EN/UV
tEN/UV
VDRAIN
tP =
1
fOSC
PI-2364-012699
图 19. 占空比测量
图 20. 输出使能定时
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
Typical
Minimum
Maximum
0.75
0.70
0.65
0.60
0
1
2
3
4
TON (µs)
图 21. TNY284~287的限流点相对于TON的变化
5
6
1.10
TJ = 25 °C
1.05
1.00
PI-6804-060112
TJ = 25 °C
1.05
Current Limit (Normalized)
Current Limit (Normalized)
1.10
PI-6803-060512
典型性能特性
0.95
0.90
0.85
0.80
Typical
Minimum
Maximum
0.75
0.70
0.65
0.60
0
1
2
3
4
5
6
TON (µs)
图 22. TNY288~290的限流点相对于TON的变化
19
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典型性能特性（续上）
1.0
0.9
0
25
50
1.00
95
90
85
80
75 100 125 150
-40 -20
0
Junction Temperature (°C)
1.0
TNY284
TNY285
TNY286
TNY287
TNY288
TNY289
TNY290
0.4
0.2
Note: For the
normalized current
limit value, use the
typical current limit
specified for the
appropriate BP/M
capacitor.
Scaling Factors:
TNY284 1.0
TNY285 1.5
TNY286 2.0
TNY287 3.5
TNY288 5.6
TNY289 7.9
TNY290 11.2
250
200
150
100
TCASE=25 °C
TCASE=100 °C
50
0
0
2
3
0
4
2
Normalized di/dt
图 25. 标准限流点相对于di/dt的变化
6
8
10
图 26. 输出特性
Scaling Factors:
TNY284
1.0
TNY285
1.5
TNY286
2.0
TNY287
3.5
TNY288
5.6
TNY289
7.9
TNY290
11.2
30
Power (mW)
Scaling Factors:
TNY284
1.0
TNY285
1.5
TNY286
2.0
TNY287
3.5
TNY288
5.6
TNY289
7.9
TNY290
11.2
40
PI-6771-072513
1000
100
4
DRAIN Voltage (V)
10
PI-6772-051112
1
Drain Capacitance (pF)
80 100 120
300
Drain Current (mA)
PI-6785-052412
Normalized Current Limit
(See Figure 21)
1.2
0.6
60
图 24. 标准限流点相对于温度的变化
1.4
Normalized
di/dt = 1
50 mA/μs
55 mA/μs
70 mA/μs
90 mA/μs
110 mA/μs
130 mA/μs
150 mA/μs
40
Temperature (C)
图 23. 击穿电压相对于温度的变化
0.8
20
PI-6786-052412
-50 -25
PI-6787-053112
1.05
Standard Current Limit
(Normalized to 25 °C)
PI-2213-012301
Breakdown Voltage
(Normalized to 25 °C)
1.1
20
10
1
1
100
200
300
400
500
600
0
0
100
Drain Voltage (V)
图 27. COSS相对于漏极电压的变化
200
300
400
500
600
Drain Voltage (V)
图 28. 漏极电容功耗
20
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典型性能特性（续上）
PI-4281-012306
Under-Voltage Threshold
(Normalized to 25 °C)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
Junction Temperature (°C)
图 29. 欠压阈值相对于温度的变化
21
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DIP-8C
-E-
⊕D S
.004 (.10)
.240 (6.10)
.260 (6.60)
Pin 1
-D-
.367 (9.32)
.387 (9.83)
.057 (1.45)
.068 (1.73)
(NOTE 6)
.125 (3.18)
.145 (3.68)
-T-
Notes:
1. Package dimensions conform to JEDEC specification
MS-001-AB (Issue B 7/85) for standard dual-in-line (DIP)
package with .300 inch row spacing.
2. Controlling dimensions are inches. Millimeter sizes are
shown in parentheses.
3. Dimensions shown do not include mold flash or other
protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed
.006 (.15) on any side.
4. Pin locations start with Pin 1, and continue counter-clockwise to Pin 8 when viewed from the top. The notch and/or
dimple are aids in locating Pin 1. Pin 3 is omitted.
5. Minimum metal to metal spacing at the package body for
the omitted lead location is .137 inch (3.48 mm).
6. Lead width measured at package body.
7. Lead spacing measured with the leads constrained to be
perpendicular to plane T.
.015 (.38)
MINIMUM
SEATING
PLANE
.120 (3.05)
.140 (3.56)
.100 (2.54) BSC
.014 (.36)
.022 (.56)
.048 (1.22)
.053 (1.35)
⊕T E D
.137 (3.48)
MINIMUM
S .010 (.25) M
.008 (.20)
.015 (.38)
.300 (7.62) BSC
(NOTE 7)
.300 (7.62)
.390 (9.91)
P08C
PI-3933-100504
22
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TNY284-290
SO-8C (D Package)
4
B
0.10 (0.004) C A-B 2X
2
DETAIL A
4.90 (0.193) BSC
A
4
8
D
5
2 3.90 (0.154) BSC
GAUGE
PLANE
SEATING
PLANE
6.00 (0.236) BSC
0-8
C
1.04 (0.041) REF
2X
0.10 (0.004) C D
Pin 1 ID
1
4
1.35 (0.053)
1.75 (0.069)
0.25 (0.010)
BSC
0.40 (0.016)
1.27 (0.050)
0.20 (0.008) C
2X
7X 0.31 - 0.51 (0.012 - 0.020)
0.25 (0.010) M C A-B D
1.27 (0.050) BSC
o
1.25 - 1.65
(0.049 - 0.065)
DETAIL A
0.10 (0.004)
0.25 (0.010)
7X
0.10 (0.004) C
H
SEATING PLANE
C
Reference
Solder Pad
Dimensions
+
2.00 (0.079)
+
D07C
0.17 (0.007)
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
4.90 (0.193)
+
+
0.60 (0.024)
Notes:
1. JEDEC reference: MS-012.
2. Package outline exclusive of mold flash and metal burr.
3. Package outline inclusive of plating thickness.
4. Datums A and B to be determined at datum plane H.
5. Controlling dimensions are in millimeters. Inch dimensions
are shown in parenthesis. Angles in degrees.
PI-4526-040110
23
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TNY284-290
eSOP-12B (K Package)
0.356 [9.04]
Ref.
0.004 [0.10] C A 2X
2
0.400 [10.16]
Pin #1 I.D.
(Laser Marked)
0.325 [8.26]
Max. 7
2X
7
0.004 [0.10] C B
0.059 [1.50]
Ref, Typ
0.460 [11.68]
0.059 [1.50]
Ref, Typ
0.008 [0.20] C 1
2X, 5/6 Lead Tips
2
3
4
6
Gauge Plane
2
4
Seating Plane
0°- 8°
0.225 [5.72]
Max. 7
0.034 [0.85]
0.026 [0.65]
6
1
0.120 [3.05] Ref
BOTTOM VIEW
0.020 [0.51]
Ref.
0.092 [2.34]
0.086 [2.18]
0.032 [0.80]
0.029 [0.72]
0.006 [0.15]
0.000 [0.00]
Seating plane to
package bottom
standoff
0.004 [0.10] C
C
Seating
Plane
Detail A
0.217 [5.51]
3
0.019 [0.48]
Ref.
0.022 [0.56]
Ref.
0.016 [0.41]
0.011 [0.28]
11×
0.306 [7.77]
Ref.
END VIEW
SIDE VIEW
0.067 [1.70]
0.049 [1.23]
0.046 [1.16]
0.028 [0.71]
Ref.
0.070 [1.78]
TOP VIEW
0.098 [2.49]
0.086 [2.18]
C
DETAIL A (Scale = 9X)
B
3
H
0.010 [0.25]
12
0.350 [8.89]
0.023 [0.58]
11×
0.018 [0.46]
0.010 (0.25) M C A B
0.010 [0.25]
Ref.
0.055 [1.40] Ref.
Land Pattern
Dimensions
1
12
2
11
3
10
4
9
0.028 [0.71]
0.321 [8.15]
Notes:
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimensions noted are determined at the outermost
extremes of the plastic body exclusive of mold flash,
tie bar burrs, gate burrs, and interlead flash, but
including any mismatch between the top and bottom of
the plastic body. Maximum mold protrusion is 0.007
[0.18] per side.
3. Dimensions noted are inclusive of plating thickness.
4. Does not include interlead flash or protrusions.
5. Controlling dimensions in inches [mm].
6
0.429 [10.90]
8
6. Datums A and B to be determined at Datum H.
7
7. Exposed pad is nominally located at the centerline of
Datums A and B. “Max” dimensions noted include both
size and positional tolerances.
PI-5748a-100311
24
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TNY284-290
元件订购信息
• TinySwitch产品系列
• 序列号
• 封装信息
P
塑封DIP-8C
D
SO-8C
K
eSOP-12B
• 含铅封装
G
符合RoHS及无卤素封装
• 带装和卷轴装及其他包装形式
空白
TNY 288 P G - TL
TL
标准配置
带装和卷轴装，至少1000片
25
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修订版本
A
B
注释
初始版本。
日期
09/12
增加了TNY288DG封装。更新了表1中的TNY287K和TNY288D峰值或敞开式设计值。
08/13
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意大利
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