CGH27060F 60 W峰值，28V，用于VHF到3 GHz噪音通讯的GaN HEMT Cree的CGH27060F是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设计的氮化镓（GaN） 高电子迁移率晶体管（HEMT），因而是VHF、Comms、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器应用的理想选择。这一出色的晶体管采用陶瓷／金属法兰封装。 封装类型：44 0193 部件号：CGH 27060F 示范放大器在2.3-2.7GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 2.3 GHz 2.4 GHz 2.5 GHz 2.6 GHz 2.7 GHz 单位 小信号增益 15.1 14.7 14.3 14.3 14.5 dB EVM @ 39 dBm 2.35 2.16 2.01 2.13 2.82 % 39 dBm时的漏极效率 28.3 27.6 27.3 26.7 26.3 % 输入回波损耗 10.0 7.3 6.0 7.0 10.3 dB 参数 注意： 在CGH27060F-TB放大器电路中测得，采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，5毫秒脉冲 串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3，PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 特点 • VHF - 3.0 GHz工作频率 • 14 dB小信号增益 • 8 W平均功率时，27 %的漏极效率 • WiMAX固定接入802.16-2004 OFDM • WiMAX移动接入802.16e OFDMA 修订版本4.0— —2013年2月 • < 2.0 % EVM时，8.0 W PAVE SiC和GaN可用的大型信号型号 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 84 伏 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C 最大正向栅极电流 IGMAX 15 mA 25˚C 最大漏极电流1 IDMAX 6 A 25˚C 焊接温度2 TS 245 ˚C 螺丝扭矩 τ 80 in-oz RθJC 2.8 ˚C/W 85˚C TC -40, +150 ˚C 30秒 热阻，结点到表面3 表面工作温度3 注意： 1 确保长期可靠工作的电流限制 2 请访问以下网址参阅有关焊接的应用说明：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 3 PDISS = 56 W时对CGH27060F测得。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) -3.5 -3.0 -2.0 VDC VDS = 10 V, ID = 14.4 mA 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC VDD = 28 V, IDQ = 300 mA 饱和漏极电流 IDS 11.6 14.0 - A VBR 120 – – VDC VGS = -8 V, ID = 14.4 mA GSS 11.0 13.0 – dB VDD = 28 V, IDQ = 300 mA % VDD = 28 V, IDQ = 300 mA, PAVE = 8 W 直流特性1 漏源击穿电压 VDS = 6.0 V, VGS = 2 V 射频特性2，3（TC = 25˚C，F0 = 2.5 GHz，除非另有说明） 小信号增益 η 21 24 – 误差矢量幅度 EVM – 2.0 – 输出失配应力 VSWR – – 10 :1 Y 在所有相角均无损伤， VDD = 28 V, IDQ = 300 mA, PAVE = 8 W CGS – 19.0 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 输出电容 CDS – 5.9 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.8 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 4 漏极效率 VDD = 28 V, IDQ = 300 mA, PAVE = 8 W 动态特性 输入电容 注： 1 封装前在晶片上测得。 2 在CGH27060F-TB测试夹具中测得。 3 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，5毫秒脉冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类 型2/3，PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 4 漏极效率 = POUT / PDC。 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型WiMAX性能 CGH27060F在CGH27060F-TB宽带放大器电路中的增益和回波损耗与频率 VDD = 28 V, IDQ = 300 mA 20 2 S21 18 0 S11 16 -2 S21 12 -6 10 -8 8 S11（dB） -4 S21（dB） 14 -10 S11 6 -12 4 -14 2 -16 0 -18 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 频率（GHz） CGH27060F在CGH27060F-TB宽带放大器电路中的典型EVM （24 dBm和39 dBm时）与频率 6.0 36% 5.5 33% 5.0 30% 4.5 27% 4.0 24% 3.5 21% 3.0 18% 2.5 15% 2.0 效率 EVM（%） 漏极效率 12% EVM 1.5 9% 36 dBm时的EVM 1.0 6% 25 dBm时的EVM 0.5 3% 效率 0% 0.0 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 频率（GHz） 注意： 采用802.16-2004 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串， 符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3。 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型WiMAX性能 CGH27060F在CGH27060F-TB中的漏极效率和EVM与输出功率 VDD = 28 V, IDQ = 300 mA, 802.16-2004 OFDM, PAR = 9.8 dB 4.0 32% EVM 3.5 28% 效率 3.0 24% 20% 效率 2.0 16% 1.5 12% EVM 1.0 效率 EVM（%） 2.5 8% 0.5 4% 0.0 0% 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 输出功率（dB） CGH27060F在CGH27060F-TB中的典型增益和效率与功率输出 VDD = 28 V, IDQ = 300 mA, 802.16-2004 OFDM, PAR=9.8 dB 20 40% 19 38% 18 17 34% 漏极效率 16 32% 增益 30% 14 28% 13 26% 12 24% 11 22% 10 20% 9 18% 效率 8 16% 7 14% 6 12% 5 10% 4 8% 3 6% 2 4% 1 2% 0 漏极效率 15 增益（dB） 36% 增益 0% 22 24 26 28 30 32 输出功率（dBm） 34 36 38 40 注意： 采用802.16-2004 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串， 符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3。 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能数据 K因数 MAG（dB） CGH27060F的模拟最大可用增益和K因数 VDD = 28 V, IDQ = 300 mA 频率（GHz） 典型噪声性能 噪声电阻（欧姆） 最小噪声系数（dB） CGH27015的模拟最小噪声系数和噪声电阻与频率 VDD = 28 V, IDQ = 100 mA 频率（GHz） 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电装置模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 500 3.34 + j4.56 10.8 + j8.24 1000 2.07 + j0.05 6.18 + j4.17 2000 1.3 – j3.37 4.65 + j0.05 3000 1.64 – j8.15 4.75 – j3.4 4000 1.9 – j10.8 4.56 – j7.9 注1. 注在440193封装中，VDD = 28V, IDQ = 300mA。 注2. 为PSAT和PAE进行了优化。 注3. 在低频下使用本装置时，应使用串联电阻来保持放大器稳定性。 CGH27060功耗降额曲线 CGH40045F CW Power Dissipation De-rating Curve 60 50 功耗（W） 40 30 注1 20 10 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 最高表面温度（°C） 注1. 超过最高表面工作温度的部分（参阅第2页）。 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH27060F-TB示范放大器电路材料表 符号 R1 R2 描述 RES, 1/16W, 0603, 1%, 5.1 OHMS 数量 1 RES, 1/16W, 0603, 1%, 100 OHMS 1 CAP, 470PF, 10%,100V, 0603 3 C16,C22 CAP, 33 UF, 20%, G CASE 1 C15,C21 CAP, 1.0UF, 100V, 10%, X7R, 1210 1 CAP 10UF 16V 钽 1 CAP, 8.2pF, +/-5%, 100B 1 C1 CAP, 0.9pF, +/-0.05pF, 0603 1 C2 CAP, 2.2pF, +/-0.1pF, 0603 1 CAP, 10.0pF,+/-5%, 0603 3 C6,C13,C19 C8 C10 C4,C11,C17 C5,C12,C18,C30,C31 C7,C14,C20 J2,J3 J1 CAP, 82pF, +/-5%, 0603 5 CAP,33000PF, 0805,100V, X7R 3 CONN SMA STR PANEL JACK RECP 1 HEADER RT>PLZ .1CEN LK 9POS 1 - PCB, RO4350B, Er = 3.48, h = 20密耳 1 - CGH27060F 1 CGH27060F-TB示范放大器电路 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH27060F-TB示范放大器电路示意图 漏极 栅极 法兰式包装 射频输出 射频输入 CGH27060F-TB示范放大器电路平面图 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH27060的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 300 mA，角的单位为度） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.935 -171.10 7.31 80.30 0.013 -4.81 0.629 -171.50 600 MHz 0.935 -173.48 6.08 76.43 0.013 -7.68 0.635 -171.81 700 MHz 0.936 -175.34 5.20 72.85 0.013 -10.25 0.642 -171.96 800 MHz 0.937 -176.87 4.54 69.47 0.013 -12.62 0.649 -172.04 900 MHz 0.937 -178.19 4.03 66.24 0.013 -14.82 0.656 -172.11 1.0 GHz 0.938 -179.38 3.62 63.13 0.013 -16.89 0.664 -172.18 1.1 GHz 0.939 179.54 3.28 60.12 0.013 -18.84 0.672 -172.28 1.2 GHz 0.939 178.52 3.00 57.20 0.012 -20.69 0.680 -172.42 1.3 GHz 0.940 177.55 2.77 54.36 0.012 -22.44 0.688 -172.60 1.4 GHz 0.941 176.60 2.57 51.59 0.012 -24.10 0.695 -172.83 1.5 GHz 0.942 175.68 2.39 48.89 0.012 -25.67 0.703 -173.11 1.6 GHz 0.942 174.77 2.24 46.24 0.012 -27.15 0.710 -173.42 1.7 GHz 0.943 173.87 2.11 43.66 0.012 -28.56 0.718 -173.78 1.8 GHz 0.943 172.96 2.00 41.12 0.011 -29.88 0.724 -174.18 1.9 GHz 0.944 172.04 1.90 38.63 0.011 -31.12 0.731 -174.61 2.0 GHz 0.944 171.11 1.81 36.19 0.011 -32.29 0.737 -175.07 2.1 GHz 0.944 170.16 1.73 33.78 0.011 -33.39 0.743 -175.57 2.2 GHz 0.944 169.19 1.67 31.41 0.011 -34.42 0.748 -176.10 2.3 GHz 0.945 168.19 1.61 29.06 0.011 -35.38 0.753 -176.65 2.4 GHz 0.944 167.16 1.55 26.74 0.010 -36.28 0.758 -177.23 2.5 GHz 0.944 166.10 1.51 24.43 0.010 -37.11 0.762 -177.83 2.6 GHz 0.944 165.00 1.47 22.14 0.010 -37.88 0.765 -178.45 2.7 GHz 0.944 163.85 1.43 19.85 0.010 -38.60 0.769 -179.10 2.8 GHz 0.943 162.64 1.41 17.56 0.010 -39.27 0.771 -179.77 2.9 GHz 0.942 161.38 1.38 15.27 0.010 -39.90 0.774 179.54 3.0 GHz 0.941 160.06 1.36 12.96 0.010 -40.48 0.776 178.82 3.2 GHz 0.939 157.18 1.34 8.27 0.010 -41.54 0.778 177.32 3.4 GHz 0.935 153.93 1.33 3.43 0.010 -42.52 0.779 175.73 3.6 GHz 0.931 150.21 1.34 -1.65 0.010 -43.50 0.778 174.01 3.8 GHz 0.925 145.88 1.37 -7.06 0.010 -44.60 0.774 172.17 4.0 GHz 0.916 140.74 1.43 -12.95 0.011 -45.95 0.769 170.17 4.2 GHz 0.906 134.55 1.50 -19.47 0.011 -47.77 0.760 167.98 4.4 GHz 0.891 126.90 1.61 -26.85 0.012 -50.32 0.749 165.56 4.6 GHz 0.872 117.26 1.75 -35.39 0.013 -53.96 0.733 162.84 4.8 GHz 0.848 104.85 1.92 -45.48 0.014 -59.15 0.713 159.74 5.0 GHz 0.817 88.57 2.14 -57.60 0.016 -66.44 0.688 156.11 5.2 GHz 0.784 67.16 2.37 -72.25 0.018 -76.37 0.654 151.74 5.4 GHz 0.759 39.85 2.58 -89.71 0.020 -89.30 0.609 146.35 5.6 GHz 0.757 8.00 2.70 -109.65 0.021 -104.92 0.546 139.55 5.8 GHz 0.788 -24.14 2.67 -130.98 0.022 -122.14 0.460 130.98 6.0 GHz 0.836 -52.18 2.49 -152.33 0.021 -139.60 0.347 119.94 请访问以下网址下载“.s2p”格式的该s参数文件：http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH27060F产品尺寸（封装类型——440193） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M ‒ 1982 规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008" 。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。不会通过暗示或以其他方式授予Cree的任何专利或专利权的任何许可。Cree不对 其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值，仅供参考。这 些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客户的技术专 家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命的应用；若 Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2007-2013 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGH27060F Rev 4.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf