XA202A0003MR-G JTR11031-002 2011/11/8 P-channel 4V(G-S) MOSFET ■特長 ■用途 ・低オン抵抗 ・超高速スイッチング ・-4V 駆動 ・EU RoHS 指令対応、鉛フリー スイッチング用 ■製品名 ■絶対最大定格 PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITS Drain-Source Voltage VDSS -30 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Drain Current ( DC ) ID -3 A Drain Current ( Pulse ) (*1) IDP -12 A Pd 1.0 W Channel Temperature Tch 150 ℃ Storage Temperature Tstg -55 ～ +150 ℃ Channel Power Dissipation (*2) 製品名 パッケージ XA202A0003MR-G SOT-23 (*1) “-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ EU RoHS 対応製品です。 ■端子配列 3 (*1) PW ≦ 10μs, duty cycle ≦ 1% (*2) セラミック基板 （ 900mm2 × 0.8mm ） 実装時 2 1 1.Gate 2.Source 3.Drain SOT-23 ( TOP VIEW ) ■電気的特性 PARAMETER SYMBOL Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS ID= -1mA, VGS= 0V -30 - - V Drain-Source Cut-Off Current IDSS VDS= -30V, VGS= 0V - - -1 μA Gate-Source Leakage Current Gate-Source Cut-Off Voltage Forward Transfer Admittance Drain-Source ON Resistance CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNITS IGSS+ VGS= +16V, VDS= 0V - - 10 μA IGSS- VGS= -16V, VDS= 0V - - -10 μA VGS(off) VDS= -10V, ID= -1mA -1.2 - -2.6 V VDS= -10V, ID= -3A - 8.0 - S RDS(ON)1 |yfs| ID= -1.5A, VGS= -10V - 45 67 mΩ RDS(ON)2 ID= -1.0A, VGS= -4.5V - 67 95 mΩ RDS(ON)3 ID= -1.0A, VGS= -4.0V - 76 110 mΩ VDS= -10V, f=1MHz - 435 - pF Input Capacity Ciss Output Capacity Coss VDS= -10V, f=1MHz - 110 - pF Feedback Capacity Crss VDS= -10V, f=1MHz - 85 - pF Turn on Delay Time td(on) ID= -1A - 6 - ns Rise Time tr ID= -1A - 12 - ns Turn off Delay Time td(off) ID= -1A - 28 - ns Fall Time tf ID= -1A - 10 - ns All Gate Charge Amount Qg VDS= -15V, VGS= -10V, ID= -3A - 10 - nC Gate Source Charge Amount Qgs VDS= -15V, VGS= -10V, ID= -3A - 1.2 - nC Gate Drain Charge Amount Qgd VDS= -15V, VGS= -10V, ID= -3A - 2.2 - nC Diode Forward Voltage VSD IS= -3A, VGS= 0V - -0.8 -1.2 V 1/7 XA202A0003MR-G ■スイッチングタイム測定回路図 0V 90% S 50Ω VI VI 10% G 0V 90% Oscilloscope D VO 90% VO 10% RL td(on) tr Oscilloscope ■内部接続図 ■外形寸法図 ●SOT-23 2/7 10% td(off) tf XA202A0003MR-G ■マーキング 1 マーク① 製品番号を表す。 シンボル 3 6 ① ② ③ ④ 1 製品番号 XA202*******-G ⑤ マーク②，③ 品種番号，管理番号を表す。 シンボル 管理番号 品種番号 ② ③ 2 A D 00 03 品名表記例 XA202A0003**-G マーク④，⑤ 製造ロットを表す。01～09，0A～0Z，11～9Z，A1～A9，AA～Z9， ZA～ZZ を繰り返す。（但し、G, I, J, O, Q, W は除く。反転文字は 使用しない。） ■マーキング 2 ○ マーキング文字は下記仕様にて作製する。 ①マーキング方式 ガラスマスク方式 ②文字書体 ヘルベチカ・メディウム・コンデンス部分修正 ③寸法、位置 下記に示す。 ④モールド樹脂は、黒色を使用し、表面状態は梨地とする。 ■SOT-23 5 桁マーキング BCBCBCBCB 1 A 0.60±0.1 B 0.30±0.1 C 0.10±0.1 D 1.90±0.2 E (0.3) F (0.15) E 12345 寸法(mm) A 3 シンボル 2 F D ※上記図内 1 2 3 4 5 はマーキングを表し各製品のマーク仕様内、①②③④⑤に対応する。 3/7 XA202A0003MR-G ■特性例 (1) ドレイン電流–ドレイン・ソース間電圧 特性例 (2) ドレイン電流–ゲート・ソース間電圧 特性例 XA202A0003MR-G XP202A0003MR -3.5 Drain Current： ID (A) -5 -6.0V -2.5 -4.5V -2.0 -1.5 -4.0V -3.5V -3.0V -1.0 -0.5 V GS= -2.5V -4 -3 Ta= 75℃ -2 Ta= 25℃ -1 0.0 0.0 -0.2 -0.4 -0.6 VDS= -10V， Pulse Test -6 -16.0V -10.0V -3.0 Drain Current： ID (A) XA202A0003MR-G XP202A0003MR Ta= 25℃， Pulse Test -4.0 -0.8 0 0.0 -1.0 Ta= -25℃ 0.5 1.0 Drain-Source Voltage： V DS (V) Static Drain-source On-State Resistance：RDS(on) （ｍΩ) Static Drain-source On-State Resistance: RDS (on) (ｍΩ) 200 ID= -1.5A ID= -1.0A 50 0 -2 -4 -6 -8 100 V GS= -4.5V, ID= -1.5A 80 60 40 20 Gate-Source Voltage： V GS (V) V GS= -10V, ID= -1.5A 0 50 75 100 125 150 (6) ソース電流–ダイオード順電圧 特性例 XA202A0003MR-G XP202A0003MR XP202A0003MR XA202A0003MR-G VDS= -10V VGS= 0V 10 Ta= 75℃ Ta= -25℃ Source Current： IS (A) Forward Transfer Admittance ： |yfs| (S) 25 Ambient Temperature： Ta ( ℃) (5) 順伝達アドミタンス–ドレイン電流 特性例 10 Ta=25℃ 1 0.1 0.01 Ta=75℃ 0.1 1 Drain Current： ID (A) 4/7 4.0 V GS= -4.0V, ID= -1.0A 120 0 -50 -25 -10 -12 -14 -16 100 3.5 140 250 0 3.0 XA202A0003MR-G XP202A0003MR Ta= 25℃ 100 2.5 (4) ドレイン・ソース間オン抵抗–周囲温度 特性例 XP202A0003MR XA202A0003MR-G 150 2.0 Gate-Source Voltage： V GS (V) (3) ドレイン・ソース間オン抵抗–ゲート・ソース間電圧 特性例 300 1.5 10 1 Ta=25℃ 0.1 Ta=-25℃ 0.01 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 Diode Forw ard Voltage： V SD (V) -1.2 XA202A0003MR-G ■特性例 (8) Ciss, Coss, Crss–ドレイン・ソース間電圧 特性例 (7) スイッチングタイム–ドレイン電流 特性例 XA202A0003MR-G XP202A0003MR XP202A0003MR XA202A0003MR-G VGS= -10V, VDS= -15V 1000 f=1MHz 1000 100 tf Ciss, Coss, Crss (pF) Switching Time： t (ns) Ciss td(off) tr 10 td(on) 1 Coss 100 Crss 10 0.1 1 10 0 5 Drain Current： ID (A) 10 -8 Drain Current: ID (A) Gate-Source Voltage： V GS (V) 100 -9 -7 -6 -5 -4 -3 -2 0 3 4 5 6 7 8 Gate Charge: Qg (nc) 9 10 Operation in this area is limited by RDS(on) ID =-12A 10 ID =-3A 0.1ms 1 1ms 10ms 0.1 -1 2 30 XA202A0003MR-G XP202A0003MR VDS= -15V, ID = -3A 1 25 (10) 安全動作領域 XA202A0003MR-G XP202A0003MR 0 20 Drain-Source Voltage： V DS (V) (9) ゲート・ソース間電圧–ゲート入力電荷量 特性例 -10 15 0.01 0.01 Ta=25℃ Single pulse When mounted on ceramic substrate 100ms 1000ms DC Operation (900mm2 X 0.8mm) 0.1 1 10 100 Drain-Source Voltage: V DS (V) 5/7 XA202A0003MR-G ＜変更履歴＞ 2011/11/8 11031－001 新規作成 2012/03/29 11031－001a P1 ■製品名 2014/10/29 11031-002 ■特長 6/7 発注単位を削除 4V 駆動⇒ -4V 駆動 XA202A0003MR-G 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 7/7