XP151A11B0MR-G - トレックス・セミコンダクター

XP151A11B0MR-G
JTR1117-003
パワーMOS FET
■概要
XP151A11B0MR-G は、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現した N チャネルパワーMOS FET です。スイッチング速度
の高速化ができ、セットの高効率化、省エネルギー化を図ることが可能です。
静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。
パッケージはミニモールド SOT-23 を使用しており高密度実装を可能にしています。
■特長
■用途
低オン抵抗
●ノートブック PC
●携帯電話
超高速スイッチング
駆動電圧
: 4.5V 駆動
N チャネル パワーMOS FET
DMOS 構造
ゲート保護ダイオード内蔵
パッケージ
: SOT-23
環境への配慮
: EU RoHs 指令対応, 鉛フリー
●オンボード電源
●Li イオン電池
■端子配列/マーキング
1 1
: Rds(on) = 0.12Ω@ Vgs = 10V
: Rds(on) = 0.17Ω@ Vgs = 4.5V
1 x
■製品名
製品名
パッケージ
発注単位
G:ゲート
XP151A11B0MR
SOT-23
3,000/Reel
S:ソース
XP151A11B0MR-G*
SOT-23
3,000/Reel
D:ドレイン
(*) ”-G”は、ハロゲン&アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。
* x は製造ロットを表す。
■等価回路
■絶対最大定格
Ta = 25℃
N チャネル MOSFET
(1素子内蔵)
項目
記号
定格
単位
ドレイン・ソース間電圧
Vdss
30
V
ゲート・ソース間電圧
Vgss
±20
V
ドレイン電流 (DC)
Id
1
A
ドレイン電流 (パルス)
Idp
4
A
逆ドレイン電流
Idr
1
A
許容チャネル損失 *
Pd
0.5
W
チャネル温度
Tch
150
℃
保存温度
Tstg
-55~150
℃
* セラミック基板実装時
1/5
XP151A11B0MR-G
■電気的特性
DC 特性
Ta = 25℃
項目
記号
条件
MIN.
TYP.
MAX.
単位
ドレイン遮断電流
Idss
Vds= 30V, Vgs= 0V
-
-
10
μA
ゲート・ソース間漏れ電流
Igss
Vgs= ±20V, Vds= 0V
-
-
±10
μA
ゲート・ソース間カットオフ電圧
Vgs(off)
Id= 1mA, Vds= 10V
1.0
-
3.0
V
ドレイン・ソース間オン抵抗 **
Rds(on)
Id= 0.5A, Vgs= 10V
-
0.09
0.12
Ω
Id= 0.5A, Vgs= 4.5V
-
0.13
0.17
Ω
順伝達アドミタンス **
| Yfs |
Id= 0.5A, Vds= 10V
-
2.4
-
S
ボディドレインダイオード
順方向電圧
Vf
If= 1A, Vgs= 0V
-
0.8
1.1
V
項目
記号
条件
MIN.
TYP.
MAX.
単位
入力容量
Ciss
-
150
-
pF
-
90
-
pF
-
30
-
pF
** パルステスト
ダイナミック特性
Ta = 25℃
出力容量
Coss
帰還容量
Crss
Vds= 10V, Vgs=0V
f=1MHz
スイッチング特性
Ta = 25℃
項目
記号
ターンオン遅延時間
td (on)
上昇時間
tr
ターンオフ遅延時間
td (off)
下降時間
tf
項目
記号
熱抵抗(チャネル一周囲)
Rth (ch-a)
条件
MIN.
TYP.
MAX.
単位
-
10
-
ns
-
15
-
ns
-
25
-
ns
-
45
-
ns
条件
MIN.
TYP.
MAX.
単位
セラミック基板実装
-
250
-
℃/W
Vgs= 5V, Id= 0.5A
Vdd= 10V
熱特性
2/5
XP151A11B0MR-G
■特性曲線
(1)ドレイン電流-ドレイン・ソース間電圧
特性例
(2)ドレイン電流-ゲート・ソース間電圧
ドレイン電流 Id(A)
Vds=10V, パルステスト
ドレイン電流 Id(A)
Ta=25℃, パルステスト
ドレイン・ソース間電圧 Vds(V)
ゲート・ソース間電圧 Vgs(V)
Ta=25℃, パルステスト
(4)ドレイン・ソース間オン抵抗-ドレイン電流 特性例
ドレイン・ソース間オン抵抗 Rds (on)(Ω)
(3)ドレイン・ソース間オン抵抗-ゲート・ソース間電圧 特性例
ドレイン・ソース間オン抵抗 Rds (on)(Ω)
特性例
ゲート・ソース間電圧 Vgs(V)
ドレイン電流 Id(A)
ドレイン・ソース間オン抵抗 Rds (on)(Ω)
(5)ドレイン・ソース間オン抵抗-周囲温度 特性例
(6)ゲート・ソース間カットオフ電圧変化量-周囲温度 特性例
パルステスト
Vgs(off)Variance(V)
Vds=10V, Id=-1mA
ゲート・ソース間カットオフ電圧変化量
周囲温度 Topr(℃)
Ta=25℃, パルステスト
周囲温度 Topr(℃)
3/5
XP151A11B0MR-G
■特性曲線
特性例
(8)スイッチングタイム-ドレイン電流
特性例
容量値 C(pF)
スイッチングタイム t(ns)
(7)容量値-ドレイン・ソース間電圧
ドレイン・ソース間電圧
ドレイン電流
Vds(V)
(9)ゲート・ソース間電圧-ゲート入力電荷量 特性例
Id(A)
(10)逆ドレイン電流-ソース・ドレイン間
特性例
逆ドレイン電流 Idr(A)
ゲート・ソース間電圧 Vgs(V)
Ta=25℃, パルステスト
ゲート入力電荷量
ソース・ドレイン間電圧
Qg(nc)
Vsd(V)
(11) Standardized transition Thermal Resistance vs. Pulse Width
(11) Standardized transition Thermal Resistance vs. Pulse Width
(11)規格化過渡熱抵抗-パルス幅
特性例
規格化過渡熱抵抗 ys(t)
Rth(ch-a)=250℃/W, セラミック基板実装時
パルス幅
4/5
PW(s)
XP151A11B0MR-G
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トレックス・セミコンダクター株式会社
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