XP202A0003PR-G JTR1129-004 P-channel 4V(G-S) MOSFET ■用途 ■特長 スイッチング用 ・低オン抵抗 ・超高速スイッチング ・-4V 駆動 ・EU RoHS 指令対応 ■製品名 製品名 詳細内容 個数 XP202A0003PR-G* SOT-89 1,000/Reel *”-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ EU RoHS 対応製品になります。 * 但し，本製品はダイ・アタッチメントに高融点半田（鉛含有）を使用しており ます。 ■絶対最大定格 ■端子配列 項 目 記 号 定 格 単 位 ドレイン・ソース間電圧 ゲート・ソース間電圧 ドレイン電流(DC) ドレイン電流(パルス)(* 1) 許容チャネル損失(*2) チャネル温度 保存温度 VDSS VGSS ID IDP Pd Tch Tstg -30 ±20 -5 -20 1.5 +150 - 55 ~ +150 V V A A W ℃ ℃ 1.Gate 2.Drain 3.Source ( 1) * PW≦10μs,duty cycle≦1% * セラミック基板(250mm2×0.8mm)実装時 SOT-89(TOP VIEW） ( 2) ■電気的特性 項 目 ドレイン・ソース間降伏電圧 ドレイン・ソース間遮断電流 ゲート･ソース漏れ電流 ゲート･ソース遮断電圧 記 号 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) 測 定 条 件 ID=-1mA, VGS=0V VDS=-30V, VGS=0V VGS=±16V,VDS=0V VDS=-10V,ID=-1mA MIN. 定 格 TYP. MAX. -30 -1.2 - -1 ±10 -2.6 単 位 V μA μA V |yfs| VDS=-10V,ID=-3A - 8.0 - S RDS(ON)1 ID=-3A,VGS=-10V - 47 59 mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)2 ID=-1.5A,VGS=-4.5V - 70 100 mΩ 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 上昇時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 RDS(ON)3 Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VSD ID=-1.5A,VGS=-4V VDS=-10V,f=1MHz VDS=-10V,f=1MHz VDS=-10V,f=1MHz ID=-3A ID=-3A ID=-3A ID=-3A VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-5A VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-5A VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-5A IS=-5A, VGS=0V - 80 450 110 80 7 8 31 6 10 1.5 2.5 -0.9 113 -1.2 mΩ pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC V 順伝達アドミッタンス 1/5 XP202A0003PR-G ■スイッチングタイム測定回路 0V 90% S 50Ω VI VI 10% G 0V 90% D Oscilloscope VO 90% VO 10% RL 10% td(off) tf td(on) tr Oscilloscope ■外形寸法図 ■内部接続図 ●SOT-89 (unit : mm) 4.5±0.1 1.6 +0.15 -0.2 +0.03 0.4 -0.02 φ1.0 0.42±0.06 0.47±0.06 0.42±0.06 +0.03 0.4 -0.02 8° 1.5±0.1 1.5±0.1 ■マーキング ③ ⑤ ④ 6 ① ② マーク① 製品番号を表す。 シンボル 製品番号 1 2 3 XP202*******-G マーク②，③ 品種番号，管理番号を表す。 シンボル 品種番号 管理番号 ② ③ A D 00 03 品名表記例 XP202A0003**-G マーク④，⑤ 製造ロットを表す。01～09，0A～0Z，11～9Z，A1～A9，AA～Z9， ZA～ZZ を繰り返す。（但し、G, I, J, O, Q, W は除く。反転文字は 使用しない。） 2/5 XP202A0003PR-G ■特性例 (2) ドレイン電流–ゲート・ソース間電圧 特性例 (1) ドレイン電流–ドレイン・ソース間電圧 特性例 XP202A0003PR XP202A0003PR Ta= 25℃ -5.0 -4.5 -16.0V -10.0V -6.0V -4.5V -3.5 -3.0 -2.5 Drain Current： ID (A) Drain Current： ID (A) -4.0 -2.0 -1.5 -4.0V -3.5V -3.0V -1.0 -0.5 V GS= -2.5V 0.0 0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 VDS= -10V， Pulse Test -6.0 -5.5 -5.0 -4.5 -4.0 -3.5 -3.0 -2.5 -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 -1.0 Ta= 75℃ Ta= 25℃ Ta= -25℃ 0.0 -1.0 Drain-Source Voltage： V DS (V) XP202A0003PR Ta= 25℃ 140 180 Static Drain-source On-State Resistance： RDS(on) （ｍΩ) Static Drain-source On-State Resistance：RDS(on) （ｍΩ) 200 160 140 120 ID= -3.0A 80 60 40 ID= -1.5A 0 0 -2 -4 -6 -8 100 V GS= -4.5V, ID= -1.5A 80 60 40 V GS= -10V, ID= -3A 20 0 25 50 75 100 125 150 Ambient Temperature： Ta ( ℃) Gate-to-Source Voltage： V GS (V) (6) ソース電流–ダイオード順電圧 特性例 XP202A0003PR (5) 順伝達アドミタンス–ドレイン電流 特性例 XP202A0003PR VGS= 0V 10 VDS= -10V Ta= 75℃ Ta= -25℃ 10 Source Current： IS (A) Forward Transfer Admittance ： |yfs| (S) V GS= -4.0V, ID= -1.5A 120 0 -50 -25 -10 -12 -14 -16 100 -4.0 (4) ドレイン・ソース間オン抵抗–周囲温度 特性例 XP202A0003PR 20 -3.0 Gate-Source Voltage： V GS (V) (3) ドレイン・ソース間オン抵抗–ゲート・ソース間電圧 特性例 100 -2.0 Ta=25℃ 1 1 Ta= 25℃ 0.1 Ta=75℃ 0.1 0.01 Ta= -25℃ 0.01 -0.2 0.1 1 Drain Current： ID (A) 10 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 Diode Forw ard Voltage： V SD (V) 3/5 XP202A0003PR-G (7) スイッチングタイム–ドレイン電流 特性例 (8) Ciss, Coss, Crss –ドレイン・ソース間電圧 特性例 XP202A0003PR XP202A0003PR VGS= -10V, VDS= -15V 100 Ciss tf Ciss, Coss, Crss (pF) Switching Time： t (ns) td(off) tr 10 f=1MHz 1000 td(on) Coss 100 Crss 10 1 0.1 1 0 10 5 VDS= -15V， ID = -5A Drain Current : DI (A) Gate-Source Voltage： V GS (V) -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 10 limitedby RDS(on) ID =-5A 0.1ms 1 4 5 6 7 Gate Charge： Qg (nc) 8 9 10 1ms 10ms 100ms 0.1 -1 3 30 Operation in this area is ID =-20A 0 4/5 100 -9 2 25 XP202A0003PR XP202A0003PR 1 20 (10) 安全動作領域 (9) ゲート・ソース間電圧–ゲート入力電荷量 特性例 0 15 Drain - Source Voltage： V DS (V) Drain Current： ID (A) -10 10 0.01 0.01 1000ms o Ta=25 C Single pulse When mounted on ceramic substrate DC Operation (250mm2 X 0.8mm) 0.1 1 10 Drain-Source Voltage : V DS (V) 100 XP202A0003PR-G 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 5/5