„Low Vf“ Bipolar Dioden Eine interessante Alternative zu hochsperrenden Schottky-Dioden “Low Vf“ Bipolar Diodes An interesting alternative to high blocking Schottky diodes 1 © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Anwendungsbeispiele von Schottky-Dioden, außerhalb der „Gleichrichtung“ Application Examples of Schottky Diodes, beside „Rectification“ DC Verpolschutzdiode Blocking Diode OR-ing Diode OR-ing Diodes + 24_ V DC 96 V Hauptforderung VF ↓ ! Main Request Bypass-Dioden Bypass Diodes DC 2 Freilaufdioden Freewheeling diodes AC © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Typische Eigenschaften von Silizium-Dioden (Nennstrom 5 … 10 A) Typical Characteristics of Silicon Diodes (nominal current 5 … 10 A) Schottky ≤ 100 V Standard Rectifier Ultrafast Rectifier 20 … 100 50 … 1200 50 … 1000 VF [V] 0.55 … 0.79 1.0 1.0 … 1.7 IR [µA] 500 … 600 25 25 trr [ns] <50 ~ 1500 75 … 100 Costs 100% 48% 57% SB5 20 … 100 P600 A … S UF600 A… M VRRM [V] @ IF=5A @ Tj=25°C Example 3 © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Hochsperrende Schottky-Dioden („High Vr“) High Blocking Schottky Diodes („High Vr“) Schottky ≤ 100 V Schottky > 100 V 20 … 100 150…200 VF [V] 0.55 … 0.79 0.93 IR [µA] 500 … 600 trr [ns] Costs VRRM [V] Standard Rectifier Ultrafast Rectifier ? 50 … 1200 50 … 1000 ? 1.0 1.0 … 1.7 50 25 25 <50 <50 ~ 1500 75 … 100 100% 210% 48% 57% SB5 20 … 100 Compet. P600 A … S UF600 A… M @ IF=5A @ Tj=25°C Example 4 ? © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US „Low Vf“ Bipolar-Dioden „Low Vf“ Bipolar Diodes Schottky ≤ 100 V Schottky > 100 V Diotec „Low Vf“ Rectifier Standard Rectifier Ultrafast Rectifier 20 … 100 150 50 … 400 50 … 1200 50 … 1000 VF [V] 0.55 … 0.79 0.93 0.84 1.0 1.0 … 1.7 IR [µA] 500 … 600 50 25 25 25 trr [ns] <50 <50 ~ 100 ~ 1500 75 … 100 Costs 100% 210% 120% 48% 57% SB5 20 … 100 Compet. P1200 A … G P600 A … S UF600 A… M VRRM [V] @ IF=5A @ Tj=25°C Example 5 © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Vergleich der Durchlass- und Sperrkennlinien Comparison of Forward and Reverse Curves Standard 200 V 10 A Low Vf bipolar High Vr Schottky 5A 1A 25 µA 50 µA 6 © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Auswahl des richtigen Bauelements für „Low Vf“ Anwendungen How to choose the correct device for „Low Vf“ Applications Systemspannung System Voltage < 50 V Schottky 7 12 … 100 (300) V Taktfrequenz Switching Frequency DC … einige/several kHz einige/several 10 kHz Low Vf Bipolar High Vr Schottky > 200 V Standard © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Erhältliche Ausführungen Available Types 62.5 Type P 1200 A…G ± 0.5 ±0. 1 Ø8 ± 0.05 Ø 1.2 ±0 .1 7,5 Vrrm = 50V (A) – 100V (B) – 200V (D) – 400V (G) Nennstrom / Nominal current 12 Ampere Vf < 0.84 V bei/at If = 5 A Standard Recovery Diotec P600-Gehäuse / Package: Ø 8.0 mm, L 7.5 mm 8 © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Erhältliche Ausführungen Available Types 62.5 Type F 1200 A…G ± 0.5 Ø8 ±0. 1 ± 0.05 Ø 1.2 ±0 .1 7,5 Vrrm = 50V (A) – 100V (B) – 200V (D) – 400V (G) Nennstrom / Nominal current 12 Ampere Vf < 0.82 V bei/at If = 5 A Fast Recovery: trr typ. 100 ns / max. 200 ns Diotec P600-Gehäuse / Package: Ø 8.0 mm, L 7.5 mm 9 © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Erhältliche Ausführungen Available Types F T 2000 K/A A…G Vrrm = 50V (A) – 100V (B) – 200V (D) – 400V (G) ±0.2 3 10 13.2 Type Typ 3.4 15.7 3.8 1.5 0.9 5.08 10 K = Kathode an Kühlkörper / Cathode to heatsink A = Anode an Kühlkörper / Anode to heatsink Erleichtert die Reihenschaltung! / For easy series connection! Nennstrom / Nominal current 20 Ampere Vf < 0.94 V bei/at If = 20 A TO-220AC Fast Recovery: trr typ. 100 ns / max. 200 ns © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US Danke für Ihre Aufmerksamkeit! Thanks for your Attention! 11 © Diotec Semiconductor AG 2005 V04 US