ESW3006 - Diotec

ESW3006
ESW3006
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Epitaxial Gleichrichterdioden
for Rectification of High Frequencies
für Gleichrichtung hoher Frequenzen
Version 2015-06-25
Features
5.5
±0.1
16±0.3
21
Type
Typ
4±0.2
±0.2
Ø 6.9
4
3
2
19.8±0.3
min. 13
±0.3
Ø 3.1±0.1
1
0.9
±0.4
TO-3P / ~TO-247
0.6±0.2
Kenndaten
Nominal current
30 A
Nennstrom
Peak reverse voltage
600 V
Spitzensperrspannung
Soft Reverse Recovery
35 ns
Sperrverzug mit Soft Recovery
Case material
UL 94V-0
Weight approx.
6g
Packed in tubes
Packaging
Gehäusematerial
Gewicht ca.
Verpackt in Stangen
1.2
±0.2
Commercial grade, see
10.9±0.2
1, 4 = C
3=A
Dimensions - Maße [mm]
Solder & Assembly Notes
Quality
260°C/10s
Compliance: RoHS,
REACH, Conflict Minerals
Standardausführung, siehe
Löt- und Einbauvorschrift
Konformität: RoHS,
REACH, Konfliktmineralien
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
ESW3006
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
600
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 115°C
IFAV
30 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
TC = 115°C
IFRM
60 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
250/270 A
Power dissipation
Verlustleistung
TC = 115°C
Ptot
66 W
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
© Diotec Semiconductor AG
Tj
TS
http://www.diotec.com/
-50...+175°C
-50...+175°C
1
ESW3006
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
Tj = 150°C
IF = 30 A
IF = 30 A
VF
VF
< 1.6 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 20 µA
< 1 mA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 1.0 A, di/dt = -200 A/µs,
VR = 30 V, Tj = 25°C
trr
typ. 35 ns
Reverse recovery current
Rückstromspitze
IF = 15 A, di/dt = -200 A/µs,
VR = 30 V, Tj = 100°C
IRM
typ. 6 A
Reverse recovery charge
Speicherladung
IF = 15 A, di/dt = -200 A/µs,
VR = 30 V, Tj = 100°C
Qrr
typ. 300 nC
RthC
< 0.9 K/W
Thermal resistance junction to case (metal backside)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (metallische Rückseite)
120
10
[%]
3
[A]
100
10 2
80
Tj = 25°C
Tj = 125°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
10
0
0
TC
100
50
150
[°C]
220a-(30a-1,5v)
-1
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
120
60
[ns]
Tj = 100°C
VR = 30V
[ns]
110
Tj = 100°C
VR = 30V
50
100
40
IF = 30A
IF = 30A
90
80
30
IF = 15A
20
IF = 15A
70
10
trr
IRM
60
0 -di/dt 200
400
0
600 [A/µs]
Typical reverse recovery time versus di/dt
Typische Sperrverzugszeit in Abh. von di/dt
0 -di/dt 200
400
600 [A/µs]
Typical reverse recovery current versus di/dt
Typische Rückstromspitze in Abh. von di/dt
Disclaimer: See data book page 2 or website / Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG