ESW3006 ESW3006 Superfast Efficient Rectifier Diodes Superschnelle Epitaxial Gleichrichterdioden for Rectification of High Frequencies für Gleichrichtung hoher Frequenzen Version 2015-06-25 Features 5.5 ±0.1 16±0.3 21 Type Typ 4±0.2 ±0.2 Ø 6.9 4 3 2 19.8±0.3 min. 13 ±0.3 Ø 3.1±0.1 1 0.9 ±0.4 TO-3P / ~TO-247 0.6±0.2 Kenndaten Nominal current 30 A Nennstrom Peak reverse voltage 600 V Spitzensperrspannung Soft Reverse Recovery 35 ns Sperrverzug mit Soft Recovery Case material UL 94V-0 Weight approx. 6g Packed in tubes Packaging Gehäusematerial Gewicht ca. Verpackt in Stangen 1.2 ±0.2 Commercial grade, see 10.9±0.2 1, 4 = C 3=A Dimensions - Maße [mm] Solder & Assembly Notes Quality 260°C/10s Compliance: RoHS, REACH, Conflict Minerals Standardausführung, siehe Löt- und Einbauvorschrift Konformität: RoHS, REACH, Konfliktmineralien Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] ESW3006 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 115°C IFAV 30 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom TC = 115°C IFRM 60 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 250/270 A Power dissipation Verlustleistung TC = 115°C Ptot 66 W Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur © Diotec Semiconductor AG Tj TS http://www.diotec.com/ -50...+175°C -50...+175°C 1 ESW3006 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Tj = 150°C IF = 30 A IF = 30 A VF VF < 1.6 V < 1.25 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 20 µA < 1 mA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 1.0 A, di/dt = -200 A/µs, VR = 30 V, Tj = 25°C trr typ. 35 ns Reverse recovery current Rückstromspitze IF = 15 A, di/dt = -200 A/µs, VR = 30 V, Tj = 100°C IRM typ. 6 A Reverse recovery charge Speicherladung IF = 15 A, di/dt = -200 A/µs, VR = 30 V, Tj = 100°C Qrr typ. 300 nC RthC < 0.9 K/W Thermal resistance junction to case (metal backside) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (metallische Rückseite) 120 10 [%] 3 [A] 100 10 2 80 Tj = 25°C Tj = 125°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 10 0 0 TC 100 50 150 [°C] 220a-(30a-1,5v) -1 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 120 60 [ns] Tj = 100°C VR = 30V [ns] 110 Tj = 100°C VR = 30V 50 100 40 IF = 30A IF = 30A 90 80 30 IF = 15A 20 IF = 15A 70 10 trr IRM 60 0 -di/dt 200 400 0 600 [A/µs] Typical reverse recovery time versus di/dt Typische Sperrverzugszeit in Abh. von di/dt 0 -di/dt 200 400 600 [A/µs] Typical reverse recovery current versus di/dt Typische Rückstromspitze in Abh. von di/dt Disclaimer: See data book page 2 or website / Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG