P2500T P2500Y

P2500T ... P2500Y
P2500T ... P2500Y
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2015-06-09
Nominal current
Nennstrom
Type
7.5±0.1
62.5±0.5
Ø 8±0.1
25 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1300...2000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
2.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Rated DC voltage
Anschlussgleichspannung
VRD [V]
P2500T
1300
1000
P2500W
1600
1200
P2500X
1800
1400
P2500Y
2000
1600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
25 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
100 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
500/550 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
1250 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
P2500T ... P2500Y
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 25 A
VF
< 0.90 V
< 1.10 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 4 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 2.0 K/W
120
3
10
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
2
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
10
400a-(25a-1,1v)
-1
0
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
103
[A]
102
îF
10
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG