コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N ■概要 ■特長 ELM34605AA-N は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A ・ Rds(on) < 25mΩ(Vgs=10V) Id=-6A Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 37mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 記号 Vds N-ch (Max.) 30 Vgs ±20 ±20 V Id 7 6 -6 -5 A 20 2.0 1.3 -20 2.0 1.3 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -30 V Tj,Tstg A 3 W ℃ ■熱特性 項目 記号 チャンネル Typ. Max. 単位 最大接合部 - 周囲温度 Rθja N-ch 48.0 62.5 ℃/W 最大接合部 - 周囲温度 Rθja P-ch 48.0 62.5 ℃/W ■端子配列図 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE1 GATE1 3 4 5 SOURCE2 GATE2 DRAIN2 6 7 8 DRAIN2 DRAIN1 DRAIN1 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D1 G1 D2 G2 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 Vds=24V, Vgs=0V 1 10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=7A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A Gfs Vds=5V, Id=7A Vsd If=1A, Vgs=0V 20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vgs=0V, Vds=10V f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V Id=6A td(on) tr Vgs=10V, Vds=10V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω tf 1.5 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 7- 2 2.5 V A 1 mΩ 1 1 S V 1 1 1.3 2.6 A A 3 790 988 pF 175 65 245 98 pF pF 18 25 25 19 37 16.0 2.5 2.1 nC nC nC 2 2 2 2.2 4.4 7.5 15.0 11.8 21.3 ns ns ns 2 2 2 ns 2 3.7 備考 : μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 7.4 P3503QVG N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N ■標準特性曲線 (N-ch) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125° C Is - Reverse Drain Current(A) 10 -55° C 0.1 0.01 0.001 7- 3 25° C 1 4 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 OCT-08-2004 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM34605AA-N Field Effect Transistor 7- 4 P3503QVG SOP-8 Lead-Free コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -30 Vds=-24V, Vgs=0V -1 -10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-6A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-5A Gfs Vds=-5V, Id=-5A Vsd If=-1A, Vgs=0V -20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vgs=0V, Vds=-10V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 7- 5 μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V -1.5 -2.5 V A 1 mΩ 1 -1 S V 1 1 -1.3 -2.6 A A 3 28 35 44 10 60 970 1213 pF 370 180 520 270 pF pF 28 6 12 nC nC nC 2 2 2 20 17 160 ns ns ns 2 2 2 75 ns 2 N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET FieldELM34605AA-N Effect Transistor P3503QVG SOP-8 Lead-Free ■標準特性曲線 (P-ch) 7- 6 6 OCT-08-2004 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM34605AA-N Field Effect Transistor 7- 7 P3503QVG SOP-8 Lead-Free