コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM3F601JA-S ■概要 ■特長 ELM3F601JA-S は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7.3A ・ Rds(on) < 24mΩ(Vgs=10V) Id=-4.3A Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 38mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 85mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 記号 Vds N-ch (Max.) 30 Vgs ±20 7.3 5.8 ±20 -4.3 -3.4 V A 2 Idm Ias 60 17.4 -30 -18.0 A A 1 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ 電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -30 V Id アバランシェ エネルギ L=0.1mH Eas 15.0 16.2 mJ 最大許容損失 Tc=25℃ Tc=70℃ Pd 2.0 1.3 1.7 1.1 W 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj,Tstg -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - ケース Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 Rθja チャンネル 7.5 8.0 61.0 P-ch 70.0 6 5 • 1 2 単位 備考 ℃/W ℃/W 3 ■回路 PDFN-3x3(TOP VIEW) 7 Max. N-ch P-ch N-ch ■端子配列図 8 Typ. 3 4 端子番号 端子記号 1 2 SOURCE1 GATE1 3 4 5 SOURCE2 GATE2 DRAIN2 6 7 8 DRAIN2 DRAIN1 DRAIN1 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D1 D1 D2 D2 G2 G1 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM3F601JA-S ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 Vds=24V, Vgs=0V 1 10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=8A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A Gfs Vds=10V, Id=8A Vsd If=8A, Vgs=0V 60 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Rg Qg Qgs Qgd td(on) Vgs=0V, Vds=15V f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V Id=8A tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω tf trr Qrr If=8A, dlf/dt=100A/μs μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 1.5 2.5 17 24 25 22 38 1 V A 4 mΩ 4 S V 4 4 591 77 pF pF 65 pF 3.5 Ω 13.0 nC 5 2.5 3.4 14 nC nC ns 5 5 5 10 30 10 ns ns ns 5 5 5 12.4 3.2 ns nC 備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 2. パッケージの制限電流は 30A です 3. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 4. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 5. 動作温度は独立しています 7- 2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM3F601JA-S ■標準特性曲線 (N-ch) � � � � � � � � 7- 3 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM3F601JA-S � � 7- 4 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM3F601JA-S ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -30 Vds=-24V, Vgs=0V -1 -10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-4.5A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-3.5A Gfs Vds=-10V, Id=-4.5A Vsd If=-4.5A, Vgs=0V -30 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Rg Qg Qgs Qgd td(on) Vgs=0V, Vds=-15V f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-4.5A tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf trr Qrr V If=-4.5A, dlf/dt=100A/μs μA ±100 nA -1.5 -2.5 V 38 60 54 11 85 -1.1 A 4 mΩ 4 S V 4 4 548 87 pF pF 86 pF 12 Ω 14.0 nC 5 2.0 3.5 16 nC nC ns 5 5 5 13 35 14 ns ns ns 5 5 5 16.7 4.5 ns nC 備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 2. パッケージの制限電流は 30A です 3. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 4. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 5. 動作温度は独立しています 7- 5 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM3F601JA-S ■標準特性曲線 (P-ch) � � � � 7- 6 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM3F601JA-S � � � � � � 7 - 7