コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N ■概要 ■特長 ELM34600AA-N は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A Id=-5A ・ Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V) Vds=-30V ・ Rds(on) < 40.0mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 80mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 記号 Vds N-ch (Max.) 30 Vgs ±20 ±20 V Id 7 6 -5 -4 A 20 2.0 1.3 -20 2.0 1.3 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -30 V Pd Tj,Tstg A 3 W ℃ ■熱特性 項目 記号 チャンネル 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 Rθja Rθja N-ch P-ch ■端子配列図 Typ. Max. 単位 62.5 62.5 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE1 2 3 4 GATE1 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D1 G1 D2 G2 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 Vds=24V, Vgs=0V 1 10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=7A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A Gfs Vds=5V, Id=7A Vsd If=1A, Vgs=0V 20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 1.5 2.5 20.5 27.5 30.0 40.0 16 1 1.3 2.6 Vgs=0V, Vds=15V f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V Id=7A td(on) tr Vgs=10V, Vds=10V td(off) Id=1A, Rgen=3Ω tf 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 7- 2 V A 1 mΩ 1 S V 1 1 A A 3 680 pF 105 75 pF pF 14.0 1.9 3.3 nC nC nC 2 2 2 4.6 7.0 4.0 6.0 20.0 30.0 ns ns ns 2 2 2 ns 2 5.0 備考 : μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 8.0 NIKO-SEM P5003QVG N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N N-CHANNEL (N-ch) ■標準特性曲線 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125°C Is - Reverse Drain Current(A) 10 7- 3 -55°C 0.1 0.01 0.001 4 25°C 1 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 DEC-19-2005 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ELM34600AA-N 7- 4 5 P5003QVG SOP-8 Lead-Free DEC-19-2005 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -30 Vds=-24V, Vgs=0V -1 -10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-20V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-5A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-4A Gfs Vds=-5V, Id=-5A Vsd If=-1A, Vgs=0V -20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 -1.5 -2.5 37.5 45.0 62.0 80.0 13 -1 -1.3 -2.6 Vgs=0V, Vds=-15V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-10V td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω tf 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 7- 5 V A 1 mΩ 1 S V 1 1 A A 3 780 pF 145 79 pF pF 15.1 2.1 4.0 nC nC nC 2 2 2 7.7 11.5 5.7 8.5 20.0 30.0 ns ns ns 2 2 2 ns 2 9.5 備考 : μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 14.0 NIKO-SEM P5003QVG N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET Field Effect Transistor ELM34600AA-N SOP-8 Lead-Free ■標準特性曲線 (P-ch) P-CHANNEL -Is - Reverse Drain Current(A) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V 10 1 0.1 7- 6 25°C -55°C 0.01 0.001 0 6 T A = 125°C 0.2 0.6 0.8 1.0 1.2 0.4 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.4 DEC-19-2005 10 N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET Field Effect Transistor ELM34600AA-N Gate Charge Characteristics ID = -5A VDS = -5V -10V 8 -15V 6 4 Ciss 800 600 400 0 5 10 Qg -Gate Charge(nC) 15 Lead-Free f=1 MHz VGS=0V Coss 200 0 SOP-8 1000 2 0 P5003QVG Capacitance Characteristics 1200 Capacitance(pF) -VGS - Gate-to-Source Voltage(V) NIKO-SEM 20 7- 7 7 Crss 0 5 10 15 -VDS ,Drain-to-Source Voltage(V) 20 DEC-19-2005