シリアルEEPROMとMAX IIユーザ・フラッシュ・メモリの

10. シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・
フラッシュ・メモリの置き換え
この資料は英語版を翻訳したもので、内容に相違が生じる場合には原文を優先します。こちらの日本語版は参考用としてご利用
ください。設計の際には、最新の英語版で内容をご確認ください。
MII51012-1.4
はじめに
各 MAX® II デバイスには、最大 8K ビットのユーザ・データを格納する
ユーザ・フラッシュ・メモリ(UFM)ブロックが搭載されています。
UFM ブロックは、ASSP またはプロセッサ・コンフィギュレーション・
ビット、あるいは製造時にボードの電子 ID 情報を格納するのに使用さ
れる、オンボード・フラッシュおよび EEPROM メモリ・デバイスの置
き換えに使用できます。MAX II デバイスのロジック昨日により、これ
らのシリアル・フラッシュ機能に加えてシステムのパワー・オン・リセッ
ト(POR)、インタフェース・ブリッジ、I/O 拡張デザインの統合が可
能です。
この章では、MAX II UFM デバイスで置き換えられる可能性のある 2 K
ビット、4 K ビット、および 8 K ビットの不揮発性メモリ・デバイスの
詳細なリストを示します。表 10–1 に、すべての MAX II デバイスの UFM
ブロックの容量を示します。
表 10–1. MAX II UFM アレイ・サイズ
デバイス
EPM240
EPM570
EPM1270
EPM2210
トータル・
ビット数
8,192
セクタ
2(1 セクタあたり
4,096 ビット)
アドレス・
ビット
データ幅
9
16
この章は、以下の項で構成されています。
■
■
デザインの
検討事項
Altera Corporation
2007 年 12 月
10–1 ページの「デザインの検討事項」
10–3 ページの「ベンダおよびデバイス・リスト」
MAX II の UFM は、JTAG(Joint Test Action Group)ポートを介して、
または IEEE Std. 1532-2002 準拠のロジック・アレイとの接続によって、
プログラム、イレース、およびベリファイできます。UFM ブロックと
ロジック・アレイとの間に 13 のインタフェース信号があり、これによっ
てロジック・アレイは、デバイスがユーザ・モード中に UFM に読み出
しまたは書き込みを行うことができます。リファレンス・デザインまた
はユーザ・ロジックを使用して、UFM を SCI(Serial Communication
Interface)、SPI(Serial Peripheral Interface)、I2C(Inter-Integrated
10–1
暫定サポート
デザインの検討事項
Circuit)、Microwire、その他の独自プロトコルなど、多数の標準インタ
フ ェ ー ス・プ ロ ト コ ル に イ ン タ フ ェ ー ス で き ま す。ア ル テ ラ の
Quartus® II altufm メガファンクションは、これらのインタフェースの
サブセット(パラレルおよび SPI)用インタフェース・ロジックを提供
します。メガファンクションやデザイン例で提供されていないインタ
フェースでは、UFM ブロックを希望のインタフェース・プロトコルに
ブリッジするためのユーザ・ロジックをユーザ自身が作成する必要があ
ります。
UFM ブロックや altufm メガファンクションのプログラミングおよびイ
レースについて詳しくは、
「MAX II デバイス・ハンドブック」の「MAX II
デバイスにおけるユーザ・フラッシュ・メモリの使用」の章を参照して
ください。
シリアル EEPROM アプリケーションの統合の際に検討が必要な UFM ブ
ロックとシリアル EEPROM の違いは、セクタ・ベースの消去 および消
去 / 再プログラム・サイクルです。シリアル EEPROM は、バイト幅消
去をサポートしており、これはバイト・ライト・シーケンス中に自動的
に実装されます。UFM ブロックはバイト・ライトをサポートしますが、
プログラムまたは書き込みの前にセクタ・ベースのイレース・シーケン
スを必要とするバイト消去はサポートしません。特定のバイト位置の
データ内容を UFM 内で上書きする必要がある場合、そのバイト位置が
消去済み(すべて1)でない限り、当該バイトが存在するセクタ全体を
消去する必要があります。プログラム存続期間に制限があるため、UFM
消去 / 再プログラム・サイクルがシリアル EEPROM のように 107 サイ
クル以上になることはありません。
MAX II UFMブロックのイレース/プログラミング耐久仕様については、
「MAX II デバイス・ハンドブック」の「DC およびスイッチング特性」
の章を参照してください。
10–2
Altera Corporation
2007 年 12 月
シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・フラッシュ・メモリの置き換え
ベンダおよび
デバイス・
リスト
表 10–2 ∼ 10–10 は、ベンダおよび MAX II UFM ブロックで置き換え可
能なデバイスを示します。UFM ブロックおよび MAX II デバイスの動作
条件範囲は、ここに示すデバイスの範囲内です。
表 10–2. Asahi Kasei Microsystems Co. 製デバイスの特性
タイプ
デバイス
EEPROM
AK93C75AV
EEPROM
インタフェース
fMAX 動作電圧
サイズ
(ビット) SCI 1-Wire 2-Wire 3-Wire I2C Microwire(MHz) (V)(1)
8,192
—
—
—
—
—
√
—
1.8 ~ 5.5
AK93C75BH
8,192
—
—
—
—
—
√
—
1.8 ~ 5.5
EEPROM AK6480AF/M
8,192
√
—
—
—
—
—
1
1.8 ~ 5.5
EEPROM AK6480BH/L
8,192
√
—
—
—
—
—
1
1.8 ~ 5.5
EEPROM AK93C65AF/V
4,096
—
—
—
—
—
√
—
1.8 ~ 5.5
EEPROM
AK93C65BH
4,096
—
—
—
—
—
√
—
1.8 ~ 5.5
EEPROM
AK93C61AV
4,096
—
—
—
—
—
√
—
0.9 ~ 3.6
EEPROM AK6440AF/M
4,096
√
—
—
—
—
—
1
1.8 ~ 5.5
EEPROM AK6440BH/L
4,096
√
—
—
—
—
—
1
1.8 ~ 5.5
EEPROM
4,096
—
—
—
—
√
—
—
1.8 ~ 5.5
2,048
—
—
—
—
—
√
—
1.8 ~ 5.5
AK6004AF
EEPROM AK93C55AF/V
EEPROM
AK93C55BH
2,048
—
—
—
—
—
√
—
1.8 ~ 5.5
EEPROM
AK93C51AV
2,048
—
—
—
—
—
√
—
0.9 ~ 3.6
EEPROM AK6420AF/M
2,048
√
—
—
—
—
—
1
1.8 ~ 5.5
EEPROM
AK6420BH
2,048
√
—
—
—
—
—
1
1.8 ~ 5.5
EEPROM
AK6003AV
2,048
—
—
—
—
√
—
—
1.8 ~ 5.5
表 10–2 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、
MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
表 10–3. Atmel Corporation 製デバイスの特性 (1 / 2)
サイズ
(ビット) SCI
インタフェース
fMAX
動作電圧
(V)(1)
タイプ
デバイス
EEPROM
AT25020
2,048
—
√
—
—
—
—
3 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
EEPROM
AT25040
4,096
—
√
—
—
—
—
3 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
2,048
—
√
—
—
—
—
20 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM AT25020A
Altera Corporation
2007 年 12 月
SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
10–3
ベンダおよびデバイス・リスト
表 10–3. Atmel Corporation 製デバイスの特性 (2 / 2)
タイプ
デバイス
サイズ
(ビット) SCI
インタフェース
SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
EEPROM AT25040A
4,096
—
√
—
—
—
—
20 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM
8,192
—
√
—
—
—
—
3 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM AT25080A
8,192
—
√
—
—
—
—
20 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM
AT24C02
2,048
—
—
√
—
—
—
400 kHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
EEPROM
AT24C04
4,096
—
—
√
—
—
—
400 kHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
EEPROM
AT24C08
8,192
—
—
√
—
—
—
400 kHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
AT25080
1.8(1.8 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM AT24C02A
2,048
—
—
√
—
—
—
400 kHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
EEPROM AT24C04A
4,096
—
—
√
—
—
—
400 kHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM AT24C08A
8,192
—
—
√
—
—
—
400 kHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
EEPROM
2,048
—
—
√
—
—
—
400 kHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
AT34C02
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM
AT93C56
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
2.5(2.5 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
EEPROM
AT93C66
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz 2.7(2.7 ~ 5.5)
2.5(2.5 ~ 5.5)
1.8(1.8 ~ 5.5)
表 10–3 の注 :
(1)
10–4
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、
MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
Altera Corporation
2007 年 12 月
シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・フラッシュ・メモリの置き換え
表 10–4. Catalyst Semiconductor, Inc. 製デバイスの特性
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
√
1 MHz
1.8 ~ 6.0
—
√
1 MHz
1.8 ~ 6.0
—
√
1 MHz
1.8 ~ 6.0
タイプ
デバイス
EEPROM
CAT93C56
2,048
—
—
—
—
—
EEPROM
CAT93C57
2,048
—
—
—
—
EEPROM
CAT93C66
4,096
—
—
—
—
EEPROM
CAT34WC02
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT24WC03
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT24WC05
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT24WC02
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT24WC04
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT24WC08
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT64LC20
2,048
—
√
—
—
—
—
1 MHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM
CAT64LC40
4,096
—
√
—
—
—
—
1 MHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM
CAT25C02
2,048
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT25C03
2,048
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT25C04
4,096
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT25C05
4,096
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT25C08
8,192
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT25C09
8,192
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT25020
2,048
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
EEPROM
CAT25040
4,096
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 6.0
表 10–4 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、
MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
表 10–5. Dallas Semiconductor – Maxim Integrated Products, Inc. 製デバイスの特性
インタフェース
サイズ
タイプ デバイス
(ビット)SCI 1-Wire 2-Wire 3-Wire I2C
EEPROM DS2433
4,096
—
√
—
—
—
fMAX
動作電圧
(V) (1)
(MHz)
Microwire
—
—
2.8 ~ 6.0
表 10–5 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、
MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
Altera Corporation
2007 年 12 月
10–5
ベンダおよびデバイス・リスト
表 10–6. Fairchild Semiconductor 製デバイスの特性
タイプ
インタフェース
サイズ
(ビット)SCI SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
デバイス
fMAX
動作電圧
(V)(1)
EEPROM FM34W02UL
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
FM93C56L
2,048
—
—
—
—
—
√
1 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
FM93C66L
4,096
—
—
—
—
—
√
1 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
FM93CS56L
2,048
—
—
—
—
—
√
1 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
FM93CS66L
4,096
—
—
—
—
—
√
1 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
FM24C08UL
8,192
—
—
√
—
—
—
400 kHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
FM24C09UL
8,192
—
—
√
—
—
—
400 kHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
NM24C02L
2,048
—
—
√
—
—
—
400 kHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
NM25C020L
2,048
—
√
—
—
—
—
2.1 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
NM25C040L
4,096
—
√
—
—
—
—
2.1 MHz
2.7 ~ 5.5
表 10–6 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、
MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
表 10–7. Holtek Semiconductor, Inc. 製デバイスの特性
タイプ
デバイス
インタフェース
クロック・
サイズ
レート(MHz)動作電圧
(V)(1)
(ビット)SCI 1-Wire 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
(VCC = 5.0 V)
EEPROM HT24LC02
2,048
—
—
√
—
—
—
0.4
2.2 ~ 5.5
EEPROM HT24LC04
4,096
—
—
√
—
—
—
0.4
2.4 ~ 5.5
EEPROM HT24LC08
8,192
—
—
√
—
—
—
0.4
2.4 ~ 5.5
EEPROM HT93LC56
2,048
—
—
—
√
—
—
1
読み出し :
2.0 ~ 5.5
書き込み :
2.4 ~ 5.5
EEPROM HT93LC66
4,096
—
—
—
√
—
—
1
読み出し :
2.0 ~ 5.5
書き込み :
2.4 ~ 5.5
表 10–7 の注 :
(1)
10–6
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
Altera Corporation
2007 年 12 月
シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・フラッシュ・メモリの置き換え
表 10–8. Microchip Technology Inc. 製デバイスの特性
サイズ
(ビット)SCI SPI
タイプ
デバイス
EEPROM
24LCS62
2,048
—
—
インタフェース
2-Wire
—
3-Wire I2C Microwire
—
√
—
fMAX
動作電圧
(V)(1)
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
24LCS52
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
24LC22A
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
24LC02B
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
24LC025
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
24LC024
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM 24C02SC
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM 24LCS22A
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
2,048
—
—
—
—
√
—
100 kHz
1.8 ~ 5.5
100 kHz
1.8 ~ 5.5
24AA52
EEPROM
24AA02
2,048
—
—
—
—
√
—
EEPROM
24AA04
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz (2) 1.8 ~ 5.5
400 kHz (2) 1.8 ~ 5.5
EEPROM
24AA08
8,192
—
—
—
—
√
—
EEPROM
24LC04B
4,096
—
—
—
—
√
—
EEPROM
24LC08B
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
8,192
—
—
Advanced
Communication
Riser (4)
—
—
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM 24LC09 (3)
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
93LC66A
4,096
—
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM
93AA66
4,096
—
—
—
—
—
√
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
93LC66B
4,096
—
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM
93LC56A
2,048
—
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM
93AA56
2,048
—
—
—
—
—
√
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
93LC56B
2,048
—
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM
25LC080
8,192
—
√
—
—
—
—
2 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
25LC040
4,096
—
√
—
—
—
—
2 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
25AA080
8,192
—
√
—
—
—
—
1 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
25AA040
4,096
—
√
—
—
—
—
1 MHz
1.8 ~ 5.5
表 10–8 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、
MAX IIG
(2)
(3)
(4)
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
VCC < 2.5 V では 100 kHz。
このデバイスは独自のプロトコルに適合するように設計されています。
Microchip Technology Inc. 独自のプロトコル。
Altera Corporation
2007 年 12 月
10–7
ベンダおよびデバイス・リスト
表 10–9. Philips Semiconductors 製デバイスの特性
タイプ
デバイス
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI
EEPROM PCF8582C-2
2,048
SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
—
—
—
—
√
—
fMAX
動作電圧
(V)(1)
100 kHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM PCF8594C-2
4,096
—
—
—
—
√
—
100 kHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM PCF8598C-2
8,192
—
—
—
—
√
—
100 kHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM PCF85102C-2
2,048
—
—
—
—
√
—
100 kHz
2.5 ~ 6.0
EEPROM PCF85103C-2
2,048
—
—
—
—
√
—
100 kHz
2.5 ~ 6.0
表 10–9 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
表 10–10. Rohm Co., Ltd. 製デバイスの特性 (1 / 2)
タイプ
デバイス
インタフェース
サイズ
(ビット)SCI SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
EEPROM
BR24L02-W
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L04-W
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L08-W
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L02F-W
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L04F-W
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L08F-W
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L02FJ-W
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L04FJ-W
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L08FJ-W
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L02FV-W
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L04FV-W
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L08FV-W
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L02FVM-W
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L04FVM-W
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR24L08FVM-W
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR93L56-W
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR93L66-W
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR93L56F-W
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR93L66F-W
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
BR93L56RF-W
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
10–8
Altera Corporation
2007 年 12 月
シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・フラッシュ・メモリの置き換え
表 10–10. Rohm Co., Ltd. 製デバイスの特性 (2 / 2)
インタフェース
サイズ
(ビット)SCI SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
—
—
—
√
—
—
2 MHz
1.8 ~ 5.5
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
BR9080AF-W
8,192
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
BR9020F-W
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
タイプ
デバイス
EEPROM
BR93L66RF-W
4,096
—
—
—
√
—
EEPROM
BR93L56FJ-W
2,048
—
—
—
√
EEPROM
BR93L66FJ-W
4,096
—
—
—
√
EEPROM
BR93L56RFJ-W
2,048
—
—
—
EEPROM
BR93L66RFJ-W
4,096
—
—
—
EEPROM
BR93L56FV-W
2,048
—
—
EEPROM
BR93L66FV-W
4,096
—
—
EEPROM
BR93L56RFV-W
2,048
—
EEPROM
BR93L66RFV-W
4,096
—
EEPROM BR93L56RFVM-W
2,048
EEPROM BR93L66RFVM-W
4,096
EEPROM
BR9020-W
EEPROM
BR9040-W
EEPROM
EEPROM
EEPROM
BR9040F-W
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
BR9080ARFV-W
8,192
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
BR9020FV-W
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
BR9040FV-W
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM BR9080ARFVM-W
8,192
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
BR9020RFV-W
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM
BR9040RFV-W
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM BR9020RFVM-W
2,048
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
EEPROM BR9040RFVM-W
4,096
—
—
—
√
—
—
2 MHz
2.7 ~ 5.5
表 10–10 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
Altera Corporation
2007 年 12 月
10–9
ベンダおよびデバイス・リスト
表 10–11. Seiko Instruments Inc. 製デバイスの特性 (1 / 4)
タイプ
デバイス
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI 1-Wire 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
EEPROM S-93C66B
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.7 ~ 5.5
EEPROM S-93C56B
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
2.0 ~ 5.5
書き込み :
2.4 ~5.5
EEPROM S-93C76A
8,192
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.7 ~ 5.5
EEPROM S-93C66A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 1.8 ~ 5.5
EEPROM S-93C56A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 1.8 ~ 5.5
EEPROM
S-29430A
8,192
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.5 ~ 5.5
EEPROM
S-29453A
8,192
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.5 ~ 5.5
EEPROM
S-29330A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29230A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29220A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29331A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
10–10
Altera Corporation
2007 年 12 月
シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・フラッシュ・メモリの置き換え
表 10–11. Seiko Instruments Inc. 製デバイスの特性 (2 / 4)
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI 1-Wire 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
タイプ
デバイス
EEPROM
S-29231A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29221A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29390A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29290A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29391A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29291A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29394A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29294A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.5 ~ 6.5
EEPROM
S-29355A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込 :
2.7 ~ 6.5
EEPROM
S-29255A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz 読み出し :
1.8 ~ 6.5
書き込み :
2.7 ~ 6.5
Altera Corporation
2007 年 12 月
10–11
ベンダおよびデバイス・リスト
表 10–11. Seiko Instruments Inc. 製デバイスの特性 (3 / 4)
タイプ
デバイス
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI 1-Wire 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
EEPROM S-29L330A
4,096
—
—
—
√
—
—
fMAX
動作電圧
(V)(1)
2.0 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM S-29L220A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM S-29L331A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM S-29L221A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM S-29L394A
4,096
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz
1.8 ~ 5.5
1.8 ~ 5.5
EEPROM S-29L294A
2,048
—
—
—
√
—
—
2.0 MHz
EEPROM S-29U330A
4,096
—
—
—
√
—
—
500 kHz 読み出し :
0.9 ~ 3.6
書き込み :
1.8 ~3.6
EEPROM S-29U220A
2,048
—
—
—
√
—
—
500 kHz 読み出し :
0.9 ~ 3.6
書き込み :
1.8 ~3.6
EEPROM S-29U331A
4,096
—
—
—
√
—
—
500 kHz 読み出し :
0.9 ~ 3.6
書き込み :
1.8 ~3.6
EEPROM S-29U221A
2,048
—
—
—
√
—
—
500 kHz 読み出し :
0.9 ~ 3.6
書き込み :
1.8 ~3.6
EEPROM S-29U394A
4,096
—
—
—
√
—
—
500 kHz 読み出し :
0.9 ~ 3.6
書き込み :
1.8 ~3.6
EEPROM S-29U294A
2,048
—
—
—
√
—
—
500 kHz 読み出し :
0.9 ~ 3.6
書き込み :
1.8 ~3.6
EEPROM S-29Z330A
4,096
—
—
—
√
—
—
500 kHz
0.9 ~ 3.6
EEPROM S-29ZX30A
8,192
—
—
—
√
—
—
500 kHz
0.9 ~ 3.6
EEPROM S-24CS08A
8,192
—
—
√
—
—
—
400 kHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.7 ~ 5.5
10–12
Altera Corporation
2007 年 12 月
シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・フラッシュ・メモリの置き換え
表 10–11. Seiko Instruments Inc. 製デバイスの特性 (4 / 4)
タイプ
デバイス
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI 1-Wire 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
EEPROM S-24CS04A
4,096
—
—
√
—
—
—
400 kHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.7 ~ 5.5
EEPROM S-24CS02A
2,048
—
—
√
—
—
—
400 kHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.7 ~ 5.5
EEPROM S-24C08A
8,192
—
—
√
—
—
—
400 kHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.7 ~ 5.5
EEPROM S-24C04A
4,096
—
—
√
—
—
—
100 kHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.5 ~ 5.5
EEPROM S-24C02A
2,048
—
—
√
—
—
—
100 kHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.5 ~ 5.5
EEPROM S-24C04B
4,096
—
—
√
—
—
—
400 kHz
2.0 ~ 5.5
EEPROM S-24C02B
2,048
—
—
√
—
—
—
400 kHz
2.0 ~ 5.5
表 10–11 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
表 10–12. STMicroelectronics 製デバイスの特性 (1 / 2)
タイプ
デバイス
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
EEPROM M24C04-W
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM M24C02-W
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM M24C08-W
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
M24C04-L
4,096
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.2 ~ 5.5
EEPROM
M24C02-L
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.2 ~ 5.5
EEPROM
M24C08-L
8,192
—
—
—
—
√
—
400 kHz
2.2 ~ 5.5
Altera Corporation
2007 年 12 月
10–13
ベンダおよびデバイス・リスト
表 10–12. STMicroelectronics 製デバイスの特性 (2 / 2)
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI SPI 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
√
—
400 kHz
1.8 ~ 5.5
—
√
—
100 kHz
3.0 ~ 5.5
—
√
—
100 kHz
2.5 ~ 5.5
—
—
√
—
100 kHz
3.0 ~ 5.5
—
—
√
—
100 kHz
2.5 ~ 5.5
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 5.5
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 5.5
タイプ
デバイス
EEPROM
M24C04-R
4,096
—
—
—
—
√
EEPROM
M24C02-R
2,048
—
—
—
—
EEPROM
M24C08-R
8,192
—
—
—
—
EEPROM
ST24W04
4,096
—
—
—
EEPROM
ST25W04
4,096
—
—
—
EEPROM
ST24C04
4,096
—
—
EEPROM
ST25C04
4,096
—
—
EEPROM M93C76-W
8192
—
EEPROM M93C66-W
4,096
—
EEPROM M93C56-W
2,048
—
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
M93C76-R
8,192
—
—
—
—
—
√
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
M93C66-R
4,096
—
—
—
—
—
√
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
M93C56-R
2,048
—
—
—
—
—
√
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM M93S66-W
4,096
—
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM M93S56-W
2,048
—
—
—
—
—
√
2 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
M93S66-R
4,096
—
—
—
—
—
√
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
M93S56-R
2,048
—
—
—
—
—
√
2 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
M95080-W
8,192
—
√
—
—
—
—
10 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
M95040-W
4,096
—
√
—
—
—
—
5 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
M95020-W
2,048
—
√
—
—
—
—
5 MHz
2.5 ~ 5.5
EEPROM
M95080-R
8,192
—
√
—
—
—
—
10 MHz
1.8 ~ 5.5
EEPROM
M95040-S
4,096
—
√
—
—
—
—
5 MHz
1.8 ~ 3.6
EEPROM
M95020-S
2,048
—
√
—
—
—
—
5 MHz
1.8 ~ 3.6
表 10–12 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
10–14
Altera Corporation
2007 年 12 月
シリアル EEPROM と MAX II ユーザ・フラッシュ・メモリの置き換え
表 10–13. Toshiba Corporation 製デバイスの特性
タイプ
デバイス
インタフェース
サイズ
(ビット) SCI 4-Wire 2-Wire 3-Wire I2C Microwire
fMAX
動作電圧
(V)(1)
EEPROM TC9WMA2FK
2,048
—
√
—
√
—
—
1 MHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.3 ~ 5.5
EEPROM TC9WMB2FK
2,048
—
—
—
—
√
—
400 kHz 読み出し :
1.8 ~ 5.5
書き込み :
2.3 ~ 5.5
表 10–13 の注 :
(1)
MAX II デバイスは 2.375 V ∼ 2.625 V と 3.0 V ∼ 3.6 V の 2 つの異なる VCCINT 動作電圧範囲をサポートし、MAX IIG
デバイスは 1.71 V ∼ 1.89 V の動作電圧範囲をサポートしています。
まとめ
MAX II デバイスを使用して、デザイン・ボード上のロジック・デバイ
スとメモリ・デバイスを統合し、チップ間遅延の排除、ボード・スペー
スの最小化、トータル・システム・コストの削減を図ることができます。
UFM ブロックはニーズに合わせてプログラムできるため、MAX II デバ
イスでは従来の EEPROM デバイスよりもインタフェースの柔軟性が高
くなります。
参考資料
この章では以下のドキュメントを参照しています。
■ 「MAX II デバイス・ハンドブック」の「DC およびスイッチング特
性」の章
■ 「MAX II デバイス・ハンドブック」の「MAX II デバイスにおける
ユーザ・フラッシュ・メモリの使用」の章
Altera Corporation
2007 年 12 月
10–15
改訂履歴
表 10–14 に、本資料の改訂履歴を示します。
改訂履歴
表 10–14. 改訂履歴
日付 & ドキュメント・
バージョン
2007 年 12 月 v1.4
変更内容
「参考資料」の項を追加。
概要
—
改訂履歴を追加。
—
2005 年 1 月 v1.2
11 章から変更。内容の変更はなし。
—
2004 年 12 月 v1.1
デザインの検討事項の項を更新。
—
2006 年 12 月 v1.3
10–16
Altera Corporation
2007 年 12 月