Verbesserte Signalintegrit t durch impedanzangepasste Leiterplatten

Webinar 2013: Verbesserte Signalintegrität durch
impedanzangepasste Leiterplatten
Würth Elektronik Circuit Board Technology
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01.10.2013
Agenda
S Impedanz und Leiterplatte
I Materialaspekte/ parameter
G Impedanzberechnung
N Lagenaufbauten
A Impedanz und HDI (EMV)
L Hochfrequenz - Midperformance Material
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01.10.2013
Leiterplatte und Impedanz
Impedanzanpassung notwendig um
Veränderung der Signalqualität so klein
wie möglich zu halten!
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01.10.2013
Leiterplatte und Impedanz
Jede Leiterplatte besitzt einen ohmschen, kapazitiven und induktiven
Anteil
kein optimales Übertragungsmedium zwischen Sender und
Empfänger
Veränderung des Signals in der Leiterplatte wird von folgenden
Parametern beeinflusst
Länge des Leiters
Basismaterial - Verlustfaktor und Dielektrizitätskonstante
Reflektionen aufgrund von DK - Bohrungen
Impedanzanpassung
Übersprechen zwischen Leitern (crosstalk)
Störeinstrahlung von externen Quellen (EMV Abschirmung)
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01.10.2013
Wichtige Parameter
Impedanz - Einflussgrößen
mittel
klein
stark
stark
Leiterbahnbreite
Kupferschichtdicke
Lagenabstand
Dielektrizitätkonstante
εr
w+h = Layouter / Entwickler
+ Leiterplattenhersteller
t = Galvanikprozess, Basiskupfer
εr = Basismaterial
t
w
h
Unser Angebot: kompetente Zusammenarbeit!
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01.10.2013
Materialparameter Epsilon R
FR4 Prepreg Typ 106
FR4 Prepreg Typ 2116
Dicke 90 – 110 µm
εr = 3,6 – 3,8
Harzanteil ~50%
Dicke 50 µm
εr = 2,8 – 3,7
Harzanteil ~70%
FR4 Prepreg Typ 1080
FR4 Prepreg Typ 7628
Dicke 170 – 190 µm
εr = 4,1 – 4,6
Harzanteil ~45%
Dicke 60 - 70 µm
εr = 3,2 – 3,7
Harzanteil ~60%
Glass r ~6,1 / Harz r ~3,2
Kerne sind laminierte Prepregs mit Kupferfolie.
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Epsilon R
Dielektrische Verluste
εr
Werte in Abhängigkeit vom Lagenabstand FR4
(verlustbehaftestes
1080
2x
1080
3x
1080
2116
2x
2116
3x
2116
Tg 135
3.2
3.5
3.6
3.6
3.9
4.7
Tg 150 hf
3.5
3.7
3.9
3.8
4.3
4.6
60 µm
100 µm
150 µm
250 µm
510 µm
710 µm
Tg 135
3.2
3.5
3.6
3.6
3.9
4.7
Tg 150 hf
3.5
3.7
3.9
3.8
4.3
4.6
Prepreg
Kerne
Einflüsse:
- Lagenabstand
- Frequenz ….
Effektives εr
Auswirkungen auf Wellenwiderstand und
Flankensteilheit …
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εr)
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Ermittlung εr effektiv
Berechnung des Er anhand der Schliffbilder mit
Polar Software
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H1
Lagenabstand
W1
Leiterbahnbreite Fuss
W2
Leiterbahnbreite Kopf
T1
Kupferschichtdicke
C1
Lötstopplack auf Substrat (FR4)
C2
Lötstopplack auf Leiterbahn
CEr
Dielektrikum Lack (Herstellerangabe)
Er
Dielektrikum
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Lagenabstände
Prepreg
17 µm Kupfer
35 µm Kupfer
1 x 1080
65 µm
60 µm
2 x 1080
134 µm
128 µm
Prepreg
17 µm Kupfer
35 µm Kupfer
2 x 1080
128 µm
120 µm
Prepreg
17 µm Kupfer
35 µm Kupfer
1 x 1080
70 µm
68 µm
2 x 1080
140 µm
136 µm
Layout gegen Plane oder Folie
Layout gegen Layout
Plane gegen Plane oder Folie
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01.10.2013
Modelle
Lagen / Leiterbahn Konfiguration
Lagen Konfiguration:
Embedded
Microstrip
Surface
Microstrip
Stripline
line width
line width
Single
Differential
space
Leiterbahn Konfiguration:
Gnd
Coplanar
Gnd
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Es erfolgt eine Umfrage
Welche Parameter haben den größten Einfluss auf die Impedanz
einer Leiterbahn?
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Parameter bei der Impedanzberechnung
C2
Dicke Lötstopplack
über Leiterbahn
[15 µm]
S1
Leiterbahnabstand
Layout
W2
Leiterbahnbreite (Kopf)
T1
Kupferschichtdicke
r
Dielektrizitätskonstante
Lötstopplack
[typ. 3,5]
C1=C3
Dicke Lötstopplack
über FR4
[42 µm]
H1
Isolationschicht
Signal > Referenzlage
r
W1
Leiterbahnbreite (Fuß)
= Layout
Dielektrizitätskonstante
FR4
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01.10.2013
Service „impedanzdefinierte Lagenaufbauten“
Notwendige Informationen:
• Typ Lagenaufbau: Standard <>HDI / Viatypen
• Anzahl Lagen
• LP – Dicke (Messstelle falls nicht Gesamtdicke)
• Kupferschichtdicken (insbesondere Innenlagen)
• Lagenreihenfolge: Wo sind Signallagen, wo die dazugehörigen Masse = Referenzlagen
• Anzahl Signal und Anzahl Referenzlagen (Gnd, Power, VCC)
• Impedanzanforderungen (Single z.B. 50 Ohm) (Differenziell z.B. 90 und 100 Ohm)
• Welche Leiterbahnbreiten und Leiterbahnabstände gewünscht / möglich?
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Impedanzberechnung
Microstrip Außenlage
Prepregs: TG 150°, gefüllt, halogenfrei
Prepreg (je 1 mal)
1080
2113
2116
Lagenabstand
über Masselage
68 µm
92 µm
108 µm
εr effektiv 3.5
εr effektiv 3.6
εr effektiv 3.8
109 µm
154 µm
179 µm
(mit εr 4.2: 94 µm)
(mit εr 4.2: 136 µm)
(mit εr 4.2: 165 µm)
100 µm
100 µm
100 µm
305 µm
137 µm
122 µm
(verpresste Dicke, 35 µm Kupfer L2)
LB-Breite
50 Ω Single Impedanz
LB-Breite
LB-Abstand
100 Ω diff. Impedanz
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01.10.2013
Beispiel Lagenaufbau
LAGENAUFBAU
12 - Lagen
ML12
WE-Artikel Nr.:
Kunde:
CBT SH
LAGENBEZEICHNUNG
KUNDE
AUFBAU
BASISMaterial
PREPREG
ANZAHL/TYP
CU
WE
TOP/VS
S1
S3
Foil
17,5 µm
100
134
16
3.8
17,5 µm
REF
Impedanzberechnung:
S1 Zdiff 100 Ohm @ 180 / 185 / 180 µm
100
16
3.6
17,5 µm
S
87
S1 Zdiff 110 Ohm @ 170 / 270 / 170 µm
16
0,100 mm
S
3.7
17,5 µm
S2
175
33
1 x 2113
7
4.25
3.8
0,100 mm
6
[µm]
35 µm
REF
REF
[µm]
33
2 x 1080
5
[εr]
35 µm
REF
4
KUNDENFORDERUNG
16
0,100 mm
3
ENDDICKE
1)
1 x 1080
1 x 2116
2
Dielektrizitätskonstante
3.8
17,5 µm
100
S2 Zdiff 100 Ohm @ 94 / 186 / 94 µm
16
S2 Zdiff 108 Ohm @ 80 / 200 / 80 µm
S3 Zo 75 Ohm @ 385 µm LB-Breite
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01.10.2013
Impedanzmessung Polar
Technology TDR
(Polar Instruments)
Übergang
TC - LP
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01.10.2013
Impedanzmessung Testcoupons
am TC
Single
23 mm
150 x 23 mm
max. 6 Messungen
TC‘s notwendig weil:
Differentiell
28 mm
150 x 28 mm
max. 2 Messungen
-
150 mm
Saubere Kontaktierung
sicher gestellt
Definierte Messstrecke
Leiterplatten pro Fertigungs-Nutzen???
Testcoupons müssen in der
Produktionsnutzenauslastung berücksichtigt werden!!!
Unter Umständen schlechtere Auslastung/Belegung!!!
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01.10.2013
Impedanzreport
Inhalt
• Kundendaten
• Vorgaben zur Impdanzmessung
• Messergebnisse
• kleinst mögliche Toleranz +/- 10%
Impedanzen innerhalb
der Toleranz:
• Platten + Testreport werden an Kunden
geschickt
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01.10.2013
Es erfolgt eine Umfrage
Aus welchem Grund hat Würth Elektronik das Prepreg 2113 eingeführt?
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Signalintegrität
HDI
Störstellen in verschiedenen Verbindungssystemen
Version 2:
Microvia / Buried Via
Version 1:
PTH
open ends
antenna
Microvias in Verbindung mit innenliegenden Durchkontaktierungen
ergeben weniger Störungen!
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01.10.2013
Signalintegrität
HDI
Via in Pad Technology
BGA area
Aussenlagen vollflächig Kupfer
(keine Leiterbahnen auf Außenlage)
Signale auf Innenlagen vor
externen Störquellen geschützt
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GND als Außenlage (Beispiel)
Tip: keine durchgehenden Vias verwenden
sobald Burried Vias verwendet werden.
Layer 1 GND
Layer 2 Signal 1
Layer 3 Signal 2
Layer 4 GND
Layer 1 GND
Layer 2 Signal 1
Layer 3 Signal 2
Layer 4 GND
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Beispiel AL als Gnd anhand eine komplexen HDI Aufbaus
S
Wlow
Wup
layer 1 / 12 GND
Prepreg
T = 30 µm
layer 2 / 11 Sig
T = 16 µm
layer 3 / 10 Sig
H1 = 130 µm
H2 = 81 µm
H3 = 100 µm
Core
layer 4 / 9 GND
Layer 2 / 11
Layer 3 / 10
Edge Coupled
Offset strip line
Edge Coupled
Offset strip line
Distance layer 1 / 12 GND
130 µm
211 µm
Distance layer 4 / 9 GND
181 µm
100 µm
Cu Thickness T
30 µm
16 µm
Upper trace width Wup
82 µm
95 µm
Lower trace width Wlow
100 µm
100 µm
Separation S
214 µm
152 µm
3.8 / 3.5 / 3.8
3.8 / 3.5 / 3.8
100,0 Ω
100,0 Ω
Typ
Substrate Dielectric εr
Impedance
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01.10.2013
Signalintegrität
HDI
Beispiel:
INTEL Atom
Pitch 0.593 mm diagonal
Noch nahezu ohne Einschränkungen für Impedanzen machbar
Lagenabstand bis ca. 100 µm
LB-Breiten 90 µm
Bis Pitch 0,6 mm
Bei kleineren Pitch z.B. 0,4 mm und 0,5 mm µVia Lagenabstände max. 60-70 µm
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01.10.2013
Zusammenfassung: EMV Schutz mit Microvias
Nutzen der Aussenlage als GND ermöglicht:
direkter Kontakt des Lötpads mit der ersten und
zweiten Innenlage mit der Nutzung Mircovias
optimales x – y Routing verhindert Übersprechen
(crosstalk) zwischen den Leitern
gute EMV – Abschirmung vor externen Quellen
100 µm Dielektrizitätsabstand bei µVias ermöglichen:
Noch nahezu ohne Einschränkungen impedanzdefinierte
Leitungen auf den entsprechenden Signallagen zu routen
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Materialkosten Hochfrequenzmaterial
Materialkosten im Vergleich
(100 Zuschnitte)
1500%
1000%
FR4 Standard 100%
High Performance
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Prepreg
100 µm
Mid Performance 2
0%
Kern
0.25
Mid Performance 1
500%
Kern
0.10
FR4 low CTE
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Signalintegrität Ausblick Materialien
Nächster Schritt
Projektpartner gesucht
Mid Performance Material in der Fertigung einführen
Materialien mit Frequenzbereich 2,5 GHz - ca. 10 GHz oder 15 GHz
Geringere Materialkosten im Vergleich zu High Performance Material
z.B. EMC Elite EM888, Isola FR408 HR, Megtron2, Megtron6
Bei Bedarf mit Würth Elektronik in Verbindung setzten
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01.10.2013
Dientleistungen
Zusammenfassung
 Signalintegrität:
Höhere Übertragungsraten und Frequenzen erfordern
immer öfter Impedanzanpassungen.
Für hohe Übertragungsraten sind oft
Hochfrequenzmaterialien erforderlich
In Zukunft werden auch kostengünstige
Hochfrequenzmaterialien erforderlich sein.
Wir sind darauf vorbereitet!
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01.10.2013
Die Kenntnis der Zusammenhänge ist ein Erfolgsgeheimnis!
Vielen Dank für Ihre Aufmerksamkeit!
Philipp Reeb
WÜRTH ELEKTRONIK GmbH & Co. KG
Produkt Management
Signalintegrität
Circuit Board Technology
T.: +49 7622 397 277
M.:+
E. [email protected]
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