NTE2682 (NPN) & NTE2683 (PNP) Silicon Complementary Darlington Transistors Audio Power Output TO3PL Type Package Features: D High Forward Current Transfer Ratio, hFE D Low Collector−Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) D Optimum for 120W HiFi Output Applications Absolute Maximum Ratings: (TC = +255C unless otherwise specified) Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A Collector Power Dissipation, PD TC = +255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W TA = +255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5W Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1505C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C Electrical Characteristics: (TC = +255C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector−Emitter Voltage VCEO IC = 30mA, IB = 0 160 − − V Collector−Base Cutoff Current ICBO VCB = 160V, IE = 0 − − 100 5A Emitter−Emitter Cutoff Current ICEO VCE = 160V, IB = 0 − − 100 5A Emitter−Base Cutoff Current IEBO VEB = 5V, IC = 0 − − 100 5A Forward Current Transfer Ratio hFE VCE = 5V, IC = 1A 1000 − − VCE = 5V, IC = 7A 3500 − 20000 IC = 7A, IB = 7mA − − 3.0 V Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Transition Frequency fT VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 30MHz − 20 − MHz Turn−On Time NTE2682 ton IC = 7A, IB1 = −IB1 = 7mA, VCC = 50V − 2.0 − 5s − 1.0 − 5s − 6.0 − 5s − 1.5 − 5s − 1.2 − 5s NTE2683 Storage Time NTE2682 tstg NTE2683 Fall Time tf NTE2682 NTE2683 C C B B E E .197 (5.0) .787 (20.0) .236 (6.0) 1.024 (26.0) .130 (3.3) Dia Max .118 (3.0) .815 (20.7) .215 (5.45) .047 (1.2) B C E .023 (0.6)