2553

NTE2553
Silicon NPN Transistor
Darlington, Motor Driver, Switch
TO−220 Full Pack
Features:
D High DC Current Gain
D High Breakdown Voltage
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Collector Power Dissipation, PC
TA = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
TC = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C
Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cut−Off Current
ICBO
VCB = 300V, IE = 0
−
−
100
A
Emitter Cut−Off Current
IEBO
VEB = 6V, IC = 0
50
−
150
mA
Collector−Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0
300
−
−
V
Collector−Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) IC = 250mA, L 40mH
200
−
−
V
VCE = 2V, IC = 5A
500
−
5000
VCE = 2V, IC = 10A
100
−
−
DC Current Gain
hFE
Collector−Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 10A, IB = 100mA
−
−
2.0
V
Base−Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC = 10A, IB = 100mA
−
−
2.3
V
IE = 10A, IB = 0
−
1.5
2.0
V
VCE = 2V, IC = 1A
−
40
−
MHz
Emitter−Collector Forward Voltage
Transition Frequency
VECF
fT
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
−
200
−
pF
Turn−On Time
ton
−
−
1.0
s
Storage Time
tstg
VCC = 100V,
IB1 = −IB2 = 100mA
−
−
12
s
−
−
2.0
s
Fall Time
tf
Rev. 6−15
C
B
E
.173 (4.4)
Max
.402 (10.2) Max
.224 (5.7) Max
.122 (3.1)
Dia
.114
(2.9)
Max
.295
(7.5)
.165
(4.2)
.669
(17.0)
Max
B
C
E
.531
(13.5)
Min
.100 (2.54)
.059
(1.5)
Max
NOTE: Tab is isolated