2642

NTE2642
Silicon NPN Transistor
Horizontal Deflection Output
High Speed Switch
TO3P Full Pack
Features:
D High Breakdown Voltage
D High Reliability
D High Speed Switching
D Wide Area of Safe Operation (ASO)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Collector−Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Collector Current, IC
Continuous DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Collector Power Dissipation, PC
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65W
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Symbol
ICBO
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCB = 1000V, IE = 0
−
−
50
μA
VCB = 1700V, IE = 0
−
−
1
mA
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 7V, IC = 0
−
−
50
DC Current Gain
hFE
VCE = 5V, IC = 8A
6
−
12
Collector−Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 8A, IB = 2A
−
−
3
V
Base−Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC = 8A, IB = 2A
−
−
1.5
V
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 0.5MHz
−
3
−
MHz
Transition Frequency
fT
Rev. 3−11
Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
−
−
3.0
μs
−
−
0.2
μs
Switching Time
Storage Time
tstg
Fall Time
IC = 8A, Resistance loaded,
IB1 = 2A, IB2 = −4A
tf
.217 (5.5)
.118 (3.0)
.610 (15.5)
.177
(4.5)
.441
(11.2)
.906
(23.0)
Isol
.965
(24.5)
B
1.709
(43.4)
Max
.079
(2.0)
.429 (10.9)
C
E