BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2015-05-12 Power dissipation – Verlustleistung 3 Type Code 1 40 V Plastic case Kunststoffgehäuse 1.3±0.1 2.4 ±0.2 0.4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 +0.1 -0.05 310 mW SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 2 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 1.9±0.1 Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAS40-series 1 Power dissipation – Verlustleistung ) Ptot 310 mW 2) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM 0.6 A VRRM 40 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage 3) Durchlass-Spannung 3) IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 40 mA VF VF VF < 380 mV < 500 mV < 1.00 V Leakage current Sperrstrom VR = 30 V VR = 40 V IR IR < 200 nA < 10 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 5 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns RthA < 400 K/W 2) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Single Diode Einzeldiode 1=A 2 3 1 1 = A1 3 3=C 2 = C2 BAS40-04 = 44 3 = C1/A2 Dual diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Katode 1 = A1 2 3 1 2 = n.c./frei BAS40 = 43 Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 2 1 Marking – Stempelung 2 = A2 BAS40-05 = 45 3 = C1/C2 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 = C1 2 120 2 = C2 BAS40-06 = 46 3 = A1/A2 1 [%] [A] 100 10-1 80 60 10 -2 40 10 -3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 http://www.diotec.com/ Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG