KBPC10/15/25 00...16 FP/WP KBPC10/15/25 00...16 FP/WP Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2015-02-12 Nominal current Nennstrom Type “FP“ 7.3+0.7 - 0.1 ±0.5 0.8 16.6 ~ 14.3±0.5 16.6±0.5 Ø 5.2 + ±0.2 7.9 ~ ~ 6.3 + Type 6.7 = 18.1±0.5 28.6±0.5 Alternating input voltage Eingangswechselspannung 35...1000 V Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] FP = Fast-on 2) WP = Wire 2) Terminals Anschlüsse 21.6±1 = 10 / 15 / 25 A Weight approx. Gewicht ca. Type “WP“ 17 g ±0.5 7.3+0.7 - 0.1 ±0.5 11.6 ~ - ~ 18 ±0.5 5.3±0.9 Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Type Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton ~ Ø 5.2±0.2 5.3±0.9 18±0.5 + + Ø 1.2 28.6 min. 30 Marking (Example) Bestempelung (Beispiel) Dimensions - Maße [mm] 1) Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type 3) Typ 3) Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspg. VRRM [V] 4) KBPC10/15/2500 35 50 KBPC10/15/2501 70 100 KBPC10/15/2502 140 200 KBPC10/15/2504 280 400 KBPC10/15/2506 420 600 KBPC10/15/2508 560 800 KBPC10/15/2510 700 1000 KBPC10/15/2512 800 1200 KBPC10/15/2514 900 1400 KBPC10/15/2516 1000 1600 1 2 3 4 Edge at the “+“ connector may be bevelled – Die Ecke am “+“ Anschluss kann abgeschrägt sein Solderable per MIL-STD-202, Method 208, terminal temperature not exceeding 260°C Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208, Temperatur der Anschlussdrähte nicht höher als 260°C Add index “FP“ or “WP“, according to connector type – Je nach Anschlussversion ist der Index “FP“ oder “WP“ zu ergänzen Valid per diode – Gültig pro Diode © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KBPC10/15/25 00...16 FP/WP Maximum ratings Grenzwerte f > 15 Hz IFRM 60 A 1) KBPC10/15/2500FP/WP … KBPC10/15/2510FP/WP TA = 25°C IFSM 270/300 A KBPC10/15/2512FP/WP … KBPC10/15/2516FP/WP TA = 25°C IFSM 200/220 A TA = 25°C i2t Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 375 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Characteristics Kennwerte Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 25 A 20 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF < 1.2 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.0 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 120 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 270a-(12a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG