2.0 MB

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
MB39C602
ASSP
LED 照明用高力率 LED ドライバ IC
Data Sheet (Full Production)
Publication Number MB39C602_DS405-00010
CONFIDENTIAL
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
D a t a S h e e t
2
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
MB39C602
ASSP
LED 照明用高力率 LED ドライバ IC
Data Sheet (Full Production)
 概要
MB39C602 は、フライバック方式スイッチングレギュレータコントローラです。
LED 負荷に応じてオン時間を制御することにより LED 電流を制御します。
商用および住居の電球の置換えなど、一般照明アプリケーション向けに適しています。
 特長
・シングルコンバージョンでの高力率を実現
・補助トランスのゼロカレント検出により高効率および低 EMI を実現
・FC 電流によりスイッチング周波数任意設定可能: 30kHz ~ 120kHz
・外部センス抵抗なしで 1 次側トランスの電流制御可能
・低電圧時誤動作防止回路内蔵
・出力過電圧保護内蔵
・過熱保護内蔵
・入力電圧範囲 VDD
:9V ~ 20V
・アプリケーション対応電圧
:AC110VRMS, AC230VRMS
・小型パッケージ
:SOP-8 (3.9mm × 5.05mm × 1.75mm [Max])
 アプリケーション
・一般 LED 照明
・PWM 調光対応 LED 照明
など
オンラインデザインシミュレータ
Easy DesignSim
本製品は、回路動作や周辺部品をオンライン上で手軽に確認できるシミュレーションツールを提供しています。
下記、URL よりご利用ください。
http://www.spansion.com/easydesignsim/jp/
Publication Number MB39C602_DS405-00010
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Spansion Inc.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みで
す。ただし、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。
CONFIDENTIAL
D a t a S h e e t
 端子配列図
(TOP VIEW)
FC
1
8
VDD
ZCD
2
7
GND
CL
3
6
DRN
OTC
4
5
VCG
(FPT-8P-M02)
 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
1
2
3
4
5
6
7
8
FC
ZCD
CL
OTC
VCG
DRN
GND
VDD
I
I
I
I
O
-
2
CONFIDENTIAL
機能説明
スイッチング周波数設定端子です。
トランス補助巻線のゼロカレント検出端子です。
トランス 1 次巻線のピーク電流制御用端子です。
オン時間コントロール端子です。
外部 MOSFET のゲートバイアス用端子です。
外部 MOSFET のソース接続端子です。
GND 端子です。
電源端子です。
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 ブロックダイヤグラム
CBULK
Rst
1
13V
Fault Latch
1
VVDD
Switch
VVCG
LDO
VVCG
Shunt
10V/6V
VDD
UVLO
8
Co
VCG
5
14V
1
HS
Drive
2
CVCG
2V
CVDD
Enable
PWM
10V/8V
IFC
FC
IFC
1
1
1
DRN
6
Freq. Modulator
D1
1/tSW
DBIAS
IFC
Enable
PWM
D
Q
VGATE
Current
Sense
Q
Zero Current
Detect
ZCD
2
Driver
20mV
OV
Fault
GND
1
7
5V
1
On-Time Modulation
Discharge
IOTC
Fault Timing
and Control
VGATE
Fault
3V
1V
OTC
Shutdown
and Restart
4
Current
Sence
Fault Latch
Reset
UVLO
Thermal
Shutdown
CL
3
RCL
1
MB39C602
2
Vs
1
Rs
1
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
2
2
3
D a t a S h e e t
 絶対最大定格
項目
電源電圧
入力電圧
入力電流
出力電流
記号
条件
VVDD
VDRN
VVCG
VZCD
VOTC
VCL
VFC
IVCG
IOTC
ICL
IFC
IDRN
VDD 端子
DRN 端子
VCG 端子
ZCD 端子
OTC 端子
CL 端子
FC 端子
VCG 端子
OTC 端子
CL 端子
FC 端子
DRN 端子
DRN 端子,
pulse 400ns /duty cycle2%時
Ta≦+25°C
IDRN
許容損失
PD
保存温度
TSTG
*: 2 層基板実装時の場合
参考: θja (風速 0m/s): +125°C/W
定格値
単位
最小
最大
－0.3
－0.3
－0.3
－0.3
－0.3
－0.3
－1
－1
0
-
+25.0
20
+16.0
+6.0
+6.0
+6.0
+2.0
10
0
0
1
800
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
－1.5
+6.0
A
－55
800*
+125
mW
°C
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを
破壊する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注
意ください。
4
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 推奨動作条件
項目
記号
条件
VDD 端子入力電圧
VDD VDD 端子
VCG 端子入力電圧
VCG
VCG 端子入力電流
規格値
最小 標準 最大
単位
9
-
20
V
VCG 端子 (from low - impedance source)
9
-
13
V
IVCG
VCG 端子 (from high - impedance source)
10
-
2000
µA
OTC 端子接地抵抗
ROTC
OTC 端子
10
-
100
kΩ
CL 端子接地抵抗
RCL
CL 端子
24.3
-
200.0
kΩ
ZCD 端子接続抵抗
RZCD
ZCD 端子 トランス補助巻線接続抵抗
50
-
200
kΩ
VCG 端子接地容量
CVCG
VCG 端子
33
-
200
nF
VDD 端子バイパス容量
CBP
VDD-GND 端子間 (セラミック容量)
0.1
-
1.0
µF
動作周囲温度
Ta
－40
+25
+85
°C
-
＜注意事項＞ 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的
特性の規格値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で
使用してください。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことが
あります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証
していません。
記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご
相談ください。
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
5
D a t a S h e e t
 電気的特性
(Ta = +25°C, VVDD = 12V)
項目
VDD and VCG
SUPPLY
MODULATION
DRIVER
記号
端子
動作時 VCG 電圧
VCG (OPERATING)
5
停止時 VCG 電圧
動作時, 停止時
VCG 電圧差
VCG (DISABLED)
5
ΔVCG
5
VCG Shunt 入力電流
IVCG (SREG)
5
VCG Shunt Load
Regulation
LDO Regulation 時
VCG 電圧
LDO Dropout 時
VCG 電圧
UVLO Turn-on
スレッショルド電圧
UVLO Turn-off
スレッショルド電圧
UVLO ヒステリシス
VDD スイッチ
ON 抵抗
Fault Latch Reset
VDD 電圧
最小スイッチング
周期
最大スイッチング
周期
ΔVCG (SREG)
5
VCG (LREG)
5
VCG (LREG, DO)
DRN ピーク電流
RCL 開放時
最小ピーク電流
ILIM ブランキング
時間
CL 電圧
FC 電圧
ドライバ ON 抵抗
ドライバ OFF 時
リーク電流
High-Side ドライバ
ON 抵抗
DRN ディスチャージ
電流
6
CONFIDENTIAL
条件
VVDD=14V,
IVCG=2.0mA
VOTC=0V, IVCG=26μA
VCG (DISABLED) VCG (OPERATING)
VVCG=VCG (DISABLED)100mV,
VOTC=0V
VOTC=0V
26μA<IVCG≦5mA
規格値
単位
最小 標準 最大
13
14
15
V
15
16
17
V
1.75
2.00
2.15
V
-
12
26
μA
-
125
200
mV
VVDD=20V, IVCG=-2mA
-
13
-
V
-
VDD-VCG, VVDD=11V,
IVCG=-2mA
-
2.0
2.8
V
VDD (ON)
8
-
9.7
10.2
10.7
V
VDD (OFF)
8
-
7.55
8.00
8.50
V
ΔVDD (UVLO)
8
1.9
2.2
2.5
V
RDS, ON (VDD)
6,8
-
4*
10*
Ω
5.6
6.0
6.4
V
VDD (ON) - VDD (OFF)
VVCG=12V, VVDD=7V,
IDRN=50mA
VDD (FAULT RESET)
8
-
tSW (HF)
6
IFC=5μA
7.215 7.760 8.305
μs
tSW (LF)
6
IFC= 165μA
31.5* 35.0* 38.5*
μs
IDRN (peak)
6
6
IFC=5μA, ICL=100μA
IFC=5μA, ICL=30μA
-
3*
1*
-
A
A
IDRN (peak, absmin)
6
RCL=OPEN
-
0.45*
-
A
tBLANK (ILIM)
6
-
400*
-
ns
VCL
VFC
RDS (on) (DRN)
3
1
6,7
IFC=5μA, RCL=100kΩ,
1.2A pull-up on DRN
IFC=5μA
IFC=10μA
IDRN=4.0A
IDRN (OFF)
6,7
VDRN=12V
RDS (on) (HSDRV)
5,6
IDIS
6,7
High-Side ドライバ
電流=50mA
VDD=OPEN,
DRN=12V,
Fault latch set
2.94 3.00 3.06
0.34 0.70 0.84
200* 400*
V
V
mΩ
-
1.5
20.0
μA
-
6*
11*
Ω
2.38
3.40
4.42
mA
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
項目
ゼロカレント
スレッショルド電圧
クランプ電圧
スタートタイマ動作
TRANSFORMER
スレッショルド電圧
ZERO CURRENT
ドライバ turn-on 遅延
DETECTION
時間
ゼロカレント検出
wait-time
スタートタイマ周期
過電圧保護
スレッショルド電圧
OVERVOLTAGE
OVP ブランキング
FAULT
時間
入力バイアス電流
シャットダウン
スレッショルド電圧
SHUTDOWN
シャットダウン時
THRESHOLD
OTC 電流
オン時間
MAXIMUM ON
OTC 電圧
TIME
シャットダウン温度
OTP
POWER SUPPLY
CURRENT
記号
端子
条件
VZCD (TH)
2
-
VZCD (CLAMP)
2
IZCD=-10μA
VZCD (START)
2
-
tDLY (ZCD)
6
tWAIT (ZCD)
6
tST
6
VZCD (OVP)
2
tBLANK, OVP
6
IZCD (bias)
2
VOTC (Vth)
規格値
単位
最小 標準 最大
5*
20*
50*
mV
-200 -160 -100
mV
0.10
0.15
0.20
V
-
150
-
ns
2.0
2.4
2.8
μs
150
240
300
μs
-
4.85
5.00
5.15
V
-
0.6
1.0
1.7
μs
VZCD=5V
-0.1
0
+0.1
μA
4
OTC=
0.7
1.0
1.3
V
IOTC, PU
4
VOTC= VOTC (vth)
-600 -450 -300
μA
tOTC
VOTC
TSD
6
4
-
3.4
3.8
4.2
2.7
3.0
3.3
- +150* -
μs
V
°C
ヒステリシス
TSD_HYS
-
電源電流
IVDD (STATIC)
IVDD (OPERATING)
8
8
UVLO 時電源電流
IVDD (UVLO)
8
ROTC=76kΩ
Tj, temperature rising
Tj, temperature
falling,degrees below
TSD
VVDD=20V, VZCD=1V
VVDD=20V
VVDD= VDD (ON) 100mV
150Ω pull-up 12V on
DRN
VZCD=0V
-
+25*
-
°C
1.36
-
1.80
3.0*
2.34
3.7*
mA
mA
-
285
500
uA
＊：設計標準値
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
7
D a t a S h e e t
 標準特性
電源電流 - Ta
4.0
3.8
3.8
3.6
3.6
3.4
3.4
IDD+ICG [mA]
IDD [mA]
電源電流 - VDD
4.0
3.2
3.0
2.8
3.2
3.0
2.8
2.6
2.6
2.4
2.4
VDD; decreasing from 20 V
VCG=OPEN
IFB=5μA
2.2
2.0
2.0
8
10
12
14
16
VDD=12V
VCG=12V
IFB=5μA
2.2
18
20
-40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
VDD [V]
スイッチング周波数 - IFB
DRN ピーク電流 - Ta
3.5
140
3.0
120
fSW [kHz]
Ta=-40°C
100
Ta=25°C
80
Ta=85°C
60
40
IDRN(peak) at RPCL=33.2kΩ[A]
160
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
20
0.0
0
0
50
100
150
-40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
200
Ta [°C]
IFB [μA]
DRN ピーク電流 - IPCL
オン時間 - ROTM
3.5
6
3.0
5
4
tOTM [μs]
IDRN(peak) [A]
2.5
2.0
1.5
3
2
1.0
Ta=-40°C
0.5
1
n=30
Ta=+25°C
Ta=+85°C
0
0.0
0
20
40
60
IPCL [μA]
8
CONFIDENTIAL
80
100
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
ROTM [kΩ]
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
ドライバ ON 抵抗 - Ta
High-side ドライバ ON 抵抗 - Ta
12
400
11
350
10
RDS(on)(HSDRN) [Ω]
RDS(on)(DRN) [mΩ]
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
3
100
2
50
1
0
-40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
0
-40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
許容損失- Ta
1000
900
800
許容損失[mW]
700
600
500
400
300
200
100
0
-50 -40 -30 -20 -10 0 +10+20+30+40+50+60+70+80+90+100
Ta[°C]
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
9
D a t a S h e e t
 機能説明
(1) LED 電流制御機能
MB39C602 は、フライバック方式スイッチングレギュレータコントローラです。
LED 負荷に応じてオン時間を制御することにより LED 電流を制御します。
LED 電流は、LED に直列に接続された検出抵抗(Rs)で検出電圧(Vs)に変換します。Vs は外付けの
誤差比較増幅器(Err AMP)にて比較され、Vs が基準電圧を下回ると Err AMP 出力は上昇し、フォト
カプラに流れる電流を減少させます。
オン時間制御においては、フォトカプラを介して OTC 端子電流を制御します。OTC 端子電流が減
少すると、オン時間は増加します。オン時間制御では周波数を一定値に設定するため、LED に供
給される平均電流が制御され、LED 電流は安定化されます。
(2)カスコードスイッチング
1 次巻き線のスイッチはカスコード接続です。外部 MOSFET のゲートは VCG 端子に接続され、
ソースは内部 Driver MOSFET のドレインに接続されます。
スイッチオン時、内部 Driver MOSFET がオン、HS Driver MOSFET がオフし、外部 MOSFET の
ソースは GND に引き下げられます。このときゲート電圧は常に DC バイアスが与えられるため、
外部 MOSFET はオンします。
スイッチオフ時、内部 Driver MOSFET がオフ、HS Driver MOSFET はオンし、外部 MOSFET の
ソースは VCG 端子電圧まで上昇します。このときゲート電圧は常に DC バイアスが与えられるた
め、外部 MOSFET はオフします。
また内部 Driver MOSFET に流れる電流は、1 次巻き線の電流と等しくなります。そのため、検出
抵抗を必要とすることなく 1 次巻き線のピーク電流を検出できます。
(3) Natural PFC (Power Factor Correction: 力率補正) 機能
力率は交流電圧入力において、入力電流波形を正弦波に近づけ、位相差をゼロに近づけることで
改善できます。
不連続モードのフライバック方式において入力コンデンサを小さく設定した場合、入力電流はト
ランス 1 次側のピーク電流(IPEAK)とほぼ等しくなり、
I PEAK =
VBULK × t ON
LMP
=
VBULK
LMP
tON
VBULK :1 次巻き線の印加電圧
LMP
:1 次巻き線のインダクタンス
tON
:オン時間
となります。
オン時間制御においては、外付け Err AMP の応答速度を交流電圧周波数より十分低く(交流電圧周
波数の 1/10 以下) 設定することで、オン時間を一定にできます。したがって、入力電流を入力電
圧に比例させることができ、高力率を実現できます。
10
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(4) 起動シーケンス
VBULK に電圧が入力されると、起動抵抗(Rst)を通じて VCG 端子容量(CVCG)に電荷が充電され、
VCG 端子電圧は上昇します。VCG 端子電圧が外付け MOSFET のスレッショルドを超えると、
ソースフォロアにより DRN 端子電圧が上昇します。DRN 端子は VDD スイッチを介して VDD 端
子に接続されており、DRN 端子から VDD 端子容量をチャージします。VDD 端子電圧が UVLO ス
レッショルド電圧を超えると、VDD スイッチがオフすると共に内部バイアス回路が動作し、スイ
ッチングを開始します。
スイッチング開始後の VDD 端子電圧は、外付けのダイオードを介して補助巻き線(Auxiliary
Winding)より供給されます。補助巻き線の電圧は、補助巻き線と 2 次巻き線(Secondary Winding)の
巻き数比と 2 次巻き線電圧で決定されるため、2 次巻き線の電圧が上昇し、補助巻き線電圧が VDD
端子電圧より上昇するまでは、VDD 端子には電圧が供給されません。そのため、この期間に VDD
端子電圧が UVLO スレッショルド電圧を下回らないように、VDD 端子容量を設定してください。
DRN-VDD 端子間のショットキーダイオードは、内部 VDD スイッチのボディダイオードに電流が
流れることを避けるために使用されます。
・起動時の電流パス
VBULK
Rst
Primary
Winding
Ist
HV-MOSFET
CVCG
D1
VDD Start-up Current
CVDD
DBIAS
VDD Operating and LPM Current
Auxiliary
Winding
VCG
VDD
8
5
VDD
Switch
HS
Drive
VCG
Shunt
UVLO
10V/8V
Enable
PWM
14V
DRN
6
2V
Fault
Driver
PWM
Control
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
7
GND
11
D a t a S h e e t
・起動シーケンス
UVLO スレッショルド
UVLO スレッショルド
(5) 停止シーケンス
AC ラインから交流電源が取り除かれると、スイッチングしても 2 次巻き線には電流が流れなくな
ります。LED 電流は、出力容量から供給され次第に低下します。同様に、補助巻き線も電流が流
れなくなるため、VDD 端子電圧は低下します。
VDD 端子電圧が UVLO スレッショルド電圧を下回ると、スイッチングが停止しシャットダウンし
ます。
・停止シーケンス
UVLO スレッショルド 8V
12
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(6) OTC 部
OTC 端子に抵抗(ROTC)を接続することによって、オン時間を設定します。下図に示すように、OTC
から抵抗を介してフォトカプラのコレクタを接続することによって、オン時間制御できます。
・OTC 端子制御
On-Time Modulation
IOTC
Fault Timing
and Control
VGATE
Fault
3V
1V
OTC
4
Shutdown
and Restart
UVLO
Fault Latch
Reset
Thermal
Shutdown
R OTC
下図は、設定抵抗によって 1.5μs ~ 5.0μs の間でオン時間が制御されることを示しています。
オン時間は、次式に基づいた設定抵抗にて制御されます。
ROTC = tOTC × (2 × 1010[
Ω
])
S
tOTC - Constant On-Time [μs]
・オン時間設定レンジ
ROTC - Constant On-Time Resistance [kΩ]
また、OTC 端子電圧を VOTC (Vth) (typ1V)以下にすることによって、シャットダウンさせることがで
きます。
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
13
D a t a S h e e t
(7) CL 部
CL 端子に抵抗を接続することでトランスの 1 次巻き線のピーク電流を設定します。
最大ピーク 1 次側電流は、CL 端子と GND 間の RCL 抵抗によって設定されます。
100kV
)
RCL
またスイッチングサイクルのはじめ約 400ns のブランキング時間は、サイクル立上りに現れるス
パイクノイズをマスキングすることで電流センスの誤動作を防止します(下図を参照してくださ
い)。
IDRN(pk) = (
・CL 端子によるピーク電流設定
DRN
6
IDRN
From
High-Voltage
MOSFET Source
Driver
VGATE
t BLANKCL
Current
Sense
GND
7
IC L
3V
CL
3
RCL
(8) FC 部
スイッチング周波数は、FC 端子に流れる電流により設定できます。オン時間制御においては、FC
端子を VDD にプルアップすることでスイッチング周波数の設定ができます。
スイッチング周波数の範囲は 30kHz~120kHz です。
tSW (max) - Max Switching
Frequency [kHz]
・スイッチング周波数設定レンジ
IFC-fSW Control Current [μA]
14
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(9) ZCD 部
MB39C602 は、以下の条件を満たした場合に次のスイッチングサイクルを開始します。
前回のターンオンエッジからの時間が、IFC で設定されるスイッチング時間以上経過している
ZCD 端子でのゼロカレント検出の直後または、前回のゼロカレント検出からの時間が
tWAIT (ZCD) (~2.4µs)よりも長い
下図に示すように、ゼロカレント検出はトランスの補助巻き線に接続された分圧抵抗回路を通し
て ZCD 端子にて検出できます。
また 1 次スイッチのターンオンを 1 次巻き線波形の共振ボトムに合わせるために、50ns~200ns の
遅延を CZCD 容量によって追加できます。
・ゼロカレント検出時のスイッチング波形
・ZCD 端子接続
NP
NS
NB
1
RZCD1
Zero Current
Detect
ZCD
2
RZCD2
CZCD
20mV
OV
Fault
Fault Timing
and Control
5V
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
15
D a t a S h e e t
 各種保護回路
・低電圧時誤動作防止回路(UVLO)
電源端子電圧(VDD)の起動時における過渡状態や瞬時低下での、IC の誤動作やシステムの破壊、
劣化を防止するための機能です。VDD 端子の電圧低下を比較器(Comp.)で検出し、出力 HS DRIVER
をオフ、出力 DRIVER もオフし、スイッチングを停止します。VDD 端子電圧が低電圧時誤動作防
止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
・出力過電圧保護(OVP)
LED が open 状態などで、出力電圧が上昇しすぎると、補助巻き線の電圧と ZCD 端子電圧もそれ
に伴い上昇します。この ZCD 端子電圧をサンプリングすることで、過電圧検出を行うことができ
ます。ZCD 端子電圧が過電圧検出回路のスレッショルドを超えると、過電圧を検出します。出力
HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER もオフし、スイッチングを停止します(latch 停止)。VDD 端子
電圧が Fault Latch Reset 電圧以下になれば、過電圧保護状態を解除します。
・過熱保護(OTP)
過熱保護(OTP)は IC を熱破壊から保護するための機能です。接合部温度が+150°C に達すると、出
力 HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER もオフし、スイッチングを停止します。接合部温度が+125°C
まで下がると再び復帰します(自動復帰)。
16
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 各種機能表
機能
DRN
通常動作
低電圧時誤動作防止
(UVLO)
OTC
シャットダウン
Discharge
SW
保護動作時
検出条件
復帰条件
備考
OFF
OFF
-
-
-
LS_DRV HS_DRV VDD SW
OFF
OFF
ON
OFF
VDD < 8.0V
VDD > 10.2V
Standby
OFF
OFF
ON
OFF
OTC = GND
OTC > 1V
Standby
出力過電圧保護(OVP)
OFF
OFF
ON
ON
ZCD > 5V
VDD < 6V
後に
VDD > 10.2V
Latch-off
過熱保護(OTP)
OFF
OFF
ON
OFF
Tj > +150°C
Tj < +125°C
-
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
17
D a t a S h e e t
 入出力端子等価回路図
端子
番号
端子
名
1
FC
2
ZCD
3
CL
4
OTC
18
CONFIDENTIAL
等価回路図
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
端子
番号
端子
名
5
VCG
6
DRN
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
等価回路図
19
20
CONFIDENTIAL
R12
R11
AC2
VR1
1
1
C10
R18
C2
C15
R13 R15
AC1 F1
4
1
4 OTC
3 CL
2 ZCD
1 FC
3
2
T2
M1
R14
2
1
MB39C602
-
AC2
VCG 5
DRN 6
GND 7
VDD 8
+
AC1
BR1
4
3
1
C3
C4
C3
R40
1
C5
R1
C2
＋
D4
R16
R31
R2
R4
D3
Q1
D1
1
R17
1
10
8
9
7
T1
U2
5
3
4
2
1
C4
R35
2
R24
C19
D8
R29
D5
2
C13
IC5
2
C16
C17
R23
R33
2
C7
R30
C8
2
R32 C18
C6
＋
R26
R19
LED_OUTn
LED_OUTp
D a t a S h e e t
 応用回路例
(1) 絶縁型回路
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
R8
C5
R1
AC2
R7
F1
R9
D1
4
3
4 OTC
3 CL
2 ZCD
1 FC
AC2 -
AC1 +
R10
2
1
VCG 5
DRN 6
GND 7
D7
C1
D6
VDD 8
M1
R6
L1
MB39C602
CONFIDENTIAL
AC1
1
C6
+
C7
C2
D9
+
C8
D8
+
R3
R2
D5
R5
C9
D4
D3
Q1
R4
D2
C3
4
3
2
1
T1
C4
7
6
5
+
LED_OUTn
LED_OUTp
D a t a S h e e t
(2) 非絶縁型回路
21
D a t a S h e e t
・部品表
(1) 絶縁型回路
No
回路記号
1
M1
2
指定型格
製造元
IC PWM CTRLR CASCODE 8-SOIC
MB39C602
Spansion
T1
TRANSFORMER FLYBACK EE20/10/6
430μH 1.6A RATIO Np/Ns=2.91/1 Np/Na=6.4/1
750811146
Wurth
3
T2
IND COMMON MODE CHOKE 40mH
750311650
Wurth
4
F1
Fuse, axial, fast acting, 2.5 A, 250V, 0.160 × 0.400 inch
026302.5MXL
Littelfuse Inc
5
IC5
IC OPAMP GP R-R 1MHz SGL SOT23-5
LMV321IDBVR
Texas Instruments
6
Q1
MOSFET N-ch 650V 7.3A TO-220FP
SPA07N60C3
Infineon
7
U2
OPTO ISOLATOR TRANSISTOR OUTPUT
PS2561L-1-A
CEL
8
BR1
IC RECT BRIDGE 0.5A 600V 4SOIC
MB6S
Fairchild
9
D1
DIODE ULTRA FAST 800V 1A SMA
RS1K-13-F
Diodes
10
D3
DIODE ULTRA FAST 200V SOT-23
MMBD1404
Fairchild
11
D4
DIODE ZENER 18V 225mW SOT-23
BZX84C18LT1G
On Semi
12
D5
DIODE GPP FAST 1A 600V DO-41
UF4005
Fairchild
13
D8
SHUNT REGULATOR 5.0V SOT-23
LM4040C50IDBZT
Texas Instruments
14
VR1
ERZ-V07D431
Panasonic
15
C2
CAP CER 15000pF 250V X7R 1206
GRM31BR72E153KW01L
muRata
16
C3
CAP CER 10000pF 50V X7R 0603
GRM188R71H103KA01D
muRata
17
C4
CAP CER .1μF 25V X7R 10% 0603
GRM188R71E104KA01D
18
C5
CAP 100μF 25V ELECT RADIAL 2.5mm
EKMG250ELL101MF11D
19
C6, C7
20
C8
21
ECQE6223KF
CAP CER 10000pF 50V X7R 0603
GRM188R71H103KA01D
muRata
23
C9
C10, C15, C17,
C18, C19
C11
muRata
Nippon
Chemi-con
muRata
Nippon
Chemi-con
Panasonic
CAP CER 2.2nF X1/Y1 RADIAL
DE1E3KX222MA4BL01
muRata
24
C13
CAP CER 0.33μF 16V X7R 0603
C0603C334K4RACTU
Kemet
25
C16
CAP CER .1μF 25V 0805
GRM21BR71E104KA0
muRata
26
C21
CAP .022μF/305VAC X2 METAL POLYPRO
B32921C3223M
Epcos
27
R1, R2, R31
RES 560kΩ 1/4W 1% 1206 SMD
RK73H2BTTD5603F
KOA
28
R4
RES 75.0kΩ 1/4W 1% 1206 SMD
RK73H2BTTD7502F
KOA
29
R11
RES 110kΩ, 1/8W, 1%, 0603 SMD
RK73H1JTTD1103F
KOA
30
R12
RES 33kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD3302F
KOA
31
R13
RES 39kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD3902F
KOA
32
R14, R30
RES 620kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD6203F
KOA
33
R15
RES 100kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD1003F
KOA
34
R16
RES 5.1Ω 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD5R10F
KOA
35
R17
RES 3Ω 1/8W 1% 0805 SMD
RK73H2ATTD3R00F
KOA
36
R18
RES 10.0kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD1002F
KOA
37
R19
RES .33Ω 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-8RQFR33V
Panasonic
38
R23
RES 20kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD2002F
KOA
39
R24, R35
RES 3kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD3001F
KOA
40
R33
RES 1.00MΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD1004F
KOA
41
R26
RES 2.00kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD2001F
KOA
42
R29
RES 12kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD1202F
KOA
43
R32
RES 18kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD1802F
KOA
44
R40
JUMPER (RES 0.0Ω 1210)
RK73Z2E
KOA
22
22
CONFIDENTIAL
名称・仕様等
SUR ABSORBER 7mm 430V 1250A ZNR
CAP CER 2.2μF 100V X7R 1210
CAP 1000μF 50V ELECT HE RADIAL
CAP .022μF/630VDC METAL POLY
GRM32ER72A225KA35
EKMG500ELL102MK25S
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
Spansion : Spansion Inc.（スパンション）
Wurth
: Adolf Wurth GmbH & Co. KG
Texas Instruments : Texas Instruments, Inc
Infineon : Infineon Technologies AG
CEL
: California Eastern Laboratories, Inc
Fairchild : Fairchild Semiconductor International, lnc.
Diodes : Diodes, Inc
On Semi : ON Semiconductor
Panasonic : パナソニック株式会社
muRata : 株式会社村田製作所
Nippon Chemi-con : 日本ケミコン株式会社
Kemet
: KEMET Electronics Corporation
Epcos
: EPCOS AG
KOA
: コーア株式会社
(2) 非絶縁型回路
No 回路記号
指定型格
製造元
MB39C602
Spansion
Capacitor, alumninum electrolytic, 47μF, 250V, 12.5 ×
20
EKXG251ELL470MK20S
Nippon
Chemi-con
C3
Capacitor, ceramic, 10μF, 50V, X7R, +/-10%, 1210
GRM32DF51H106ZA01L
muRata
5
C4
Capacitor, alumninum electrolytic, 100uF, 50V, 8 ×
11.5
EKMG500ELL101MHB5D
Nippon
Chemi-con
6
C5, C6
Capacitor, ceramic, 0.01μF, 50V, X7R, +/-10%, 0603
GRM188R71H103KA01D
muRata
7
C7
Capacitor, ceramic, 0.1μF, 25V, X7R, +/-10%, 0603
GRM188R71E104KA01D
muRata
8
C8
Capacitor, alumninum electrolytic, 100μF, 25V, 6.3 ×
11
EKMG250ELL101MF11D
Nippon
Chemi-con
9
C9
Capacitor,polyester film, 0.22μF, 250V, 12 × 5.5 × 10.5
ECQ-E2224KF
Panasonic
10
D1
Diode, bridge rectifier, 0.5A, 600V, SO-4
MB6S
Fairchild
11
D2
Diode, ultra fast rectifier, 1A, 400V, SMA
ES1G
Fairchild
12
D3
Diode, Schottky, 1A, 30V, SOD-323
SDM100K30
Diodes
13
D4
Diode, ultra fast, 1A, 200V, SMA
14
D5
Diode, Zener, 18V, 500mW, SOD-123
15
D6, D7
16
D8, D9
17
F1
Fuse, axial, fast acting, 2.5A, 250V, 0.160 inch × 0.400
inch
18
L1
Inductor, 100μH, 0.67Amax, 0.39Ωmax
19
T1
20
Q1
21
R1
22
R2, R3
23
24
1
名称・仕様等
IC
Driver IC for LED Lighting, SOL8
2
C1
3
C2
4
CSFA103-G
On Semi
MMSZ18T1G
On Semi
RK73ZW2H
KOA
026302.5MXL
Littelfuse Inc
22R104C
muRata Ps
Coupling inductor, 280μH, 1.4A, Na/Nm=0.6
EI-191-03377-T
SUMIDA
MOSFET, N-ch, 650V, 7.3A, 0.6W, TO-220
FDPF10N60NZ
Fairchild
NTC thermistor, 8.0Ω, 1.5A
NTPA78R0LBMBO
muRata
Resistor, chip, 1.00MΩ, 1/8W, +/-1%, 0805
RK73H2ATTD1004F
KOA
R4
Resistor, chip, 3.0Ω, 1/8W, +/-1%, 0805
RK73H2ATTD3R00F
KOA
R5
Resistor, chip, 5.1Ω, 1/10W, +/-1%, 0603
RK73H1JTTD5R10F
KOA
25
R6
Resistor, chip, 1.00MΩ, 1/10W, +/-1%, 0603
RK73H1JTTD1004F
KOA
26
R7
Resistor, chip, 110kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603
RK73H1JTTD1103F
KOA
27
R8
Resistor, chip, 33kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603
RK73H1JTTD3302F
KOA
28
R9
Resistor, chip, 91kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603
RK73H1JTTD9102F
KOA
29
R10
Resistor, chip, 100kΩ, 1/10W, +/-1%, 0603
RK73H1JTTD1003F
KOA
Jumper
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
23
D a t a S h e e t
Spansion
: Spansion Inc.（スパンション）
Nippon Chemi-con : 日本ケミコン株式会社
muRata
: 株式会社村田製作所
Panasonic : パナソニック株式会社
Fairchild
: Fairchild Semiconductor International, lnc.
Diodes
: Diodes, Inc
On Semi
: ON Semiconductor
KOA
: コーア株式会社
muRata Ps : Murata Power Solutions, Inc
SUMIDA
: スミダコーポレーション株式会社
24
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 参考データ
(1)絶縁型回路
変換効率-AC 電源電圧
力率-AC 電源電圧
1.00
100%
95%
0.99
85%
60Hz
50Hz
80%
75%
60Hz
50Hz
0.98
力率 PF
変換効率η[%]
90%
70%
0.97
0.96
65%
LED; 9 pcs in series
LED; 9 pcs in series
0.95
60%
80
120
160
200
80
240
AC 電源電圧 Vac [Vrms]
ラインレギュレーション
200
240
450
60Hz
50Hz
440
430
出力電流 ILED [mA]
420
出力電流 ILED [mA]
160
ロードレギュレーション
450
410
400
390
380
370
440
100V/60Hz
430
220V/50Hz
420
410
400
390
380
370
360
LED; 9 pcs in series
350
VIN=100VRMS, 220VRMS
LED ; 7- 11 pieces in series
360
350
80
120
160
200
AC 電源電圧 Vac [Vrms]
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
120
AC 電源電圧 Vac [Vrms]
240
20
25
30
35
出力電圧 VLED [V]
25
D a t a S h e e t
・VIN=100VRMS, 60Hz, LED; 9 pcs in series
入出力波形
スイッチング波形
起動波形
停止波形
LED Open 波形
26
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
・VIN =220VRMS, 50Hz, LED; 9 pcs in series
入出力波形
スイッチング波形
起動波形
停止波形
LED Open 波形
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
27
D a t a S h e e t
(2)非絶縁型回路
変換効率-AC 電源電圧
力率-AC 電源電圧
1.00
100%
0.80
90%
0.70
85%
0.60
力率 PF
変換効率η[%]
60Hz
50Hz
0.90
60Hz
50Hz
95%
80%
75%
0.50
0.40
0.30
70%
0.20
65%
0.10
LED; 9 pcs in series
60%
LED; 9 pcs in series
0.00
85
95
105 115 125 135 145
85
AC 電源電圧 Vac [Vrms]
ラインレギュレーション
650
60Hz
50Hz
630
610
610
出力電流 ILED [mA]
出力電流 ILED [mA]
570
550
530
510
490
60Hz
50Hz
630
590
590
570
550
530
510
490
470
LED; 9 pcs in series
450
85
95
105 115 125 135 145
AC 電源電圧 Vac [Vrms]
CONFIDENTIAL
105 115 125 135 145
ロードレギュレーション
650
28
95
AC 電源電圧 Vac [Vrms]
VIN=100VRMS
LED ; 7- 11 pieces in series
470
450
20
25
30
35
出力電圧 VLED [V]
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
・VIN=AC100VRMS, fac=60Hz, LED; 9 pieces in series
入出力波形
スイッチング波形
起動波形
停止波形
LED Open 波形
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
29
D a t a S h e e t
 使用上の注意
1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。
また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用すると
LSI の信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。
3. プリント基板のアースラインは、共通インピーダンスを考慮し、設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
・ 作業台, 工具, 測定機器は、アースを取ってください。
・ 作業する人は、人体とアースの間に 250 kΩ～1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてくださ
い。
5. 負電圧を印加しないでください。
－0.3 V 以下の負電圧を印加した場合、LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあ
ります。
30
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 オーダ型格
型格
パッケージ
MB39C602PNF
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
備考
31
D a t a S h e e t
 RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合)
Spansion の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと、特定臭素
系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は、型格に"E1"を
付加して表します。
 製品捺印 (鉛フリーの場合)
C602
E1 XXXX
XXX
INDEX
32
CONFIDENTIAL
鉛フリー表示
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 製品ラベル (鉛フリーの場合の例)
鉛フリー表示
JEITA 規格
JEDEC 規格
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。
33
D a t a S h e e t
 MB39C602PNF 推奨実装条件
【推奨実装条件】
推奨リフロー条件
項目
内容
実装方法
IR (赤外線リフロー)・温風リフロー
実装回数
2回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱 ～2 回目リフロー迄の
保管期間
8 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング(125°C±3°C, 24H＋2H/－0H)
を実施の上、8 日以内に処理願います。
ベーキングは 2 回まで可能です。
保管条件
5°C～30°C, 70％RH 以下 (できるだけ低湿度)
【実装方法の各条件】
(1)リフロープロファイル
260°C
255°C
本加熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
H ランク：260℃ Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d') 本加熱
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
：平均
：温度
：平均
：温度
1℃/s～4℃/s
170℃～190℃, 60 s～180 s
1℃/s～4℃/s
260℃ Max
255℃ up 10 s 以内
：温度 230℃ up 40 s 以内
or
温度 225℃ up 60 s 以内
or
温度 220℃ up 80 s 以内
：自然空冷または強制空冷
(注意事項) パッケージボディ上面温度を記載
(2) JEDEC 条件: Moisture Sensitivity Level 3 (IPC/JEDEC J-STD-020D)
34
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(3) 推奨手半田付け条件(部分加熱法)
項目
内容
開梱前
製造後 2 年以内
開梱後 ～実装までの保管期間
製造後 2 年以内
(部分加熱のため、保管期間の
吸湿管理不要)
保管期間
保管条件
5°C～30°C, 70%RH 以下(できるだけ低湿度)
実装条件
コテ先温度: Max. 400°C
時間:5 秒以内/ピン*
＊:パッケージボディにコテ先が触れないこと
(4) 推奨半田全面ディップ条件
項目
内容
実装回数
1回
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱 ～実装までの保管期間
14 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング(125°C±3°C, 24H＋2H/－0H)
を実施の上、14 日以内に処理願います。
ベーキングは 2 回まで可能です。
保管期間
保管条件
5°C～30°C, 70％RH 以下 (できるだけ低湿度)
実装条件
半田浴槽温度: Max. 260°C
時間:5 秒以内
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
35
D a t a S h e e t
 パッケージ・外形寸法図
リードピッチ
1.27mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
3.9mm × 5.05mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.75mm MAX
質量
0.06g
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
ピン
プラスチック・
（FPT-8P-M02）
注 1）* 印寸法はレジン残りを含む。
注 2）* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 3）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 4）端子幅はタイバ切断残りを含まず。
+0.03
+.010
*1 5.05 +0.25
–0.20 .199 –.008
8
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
M
0~8°
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です 。
最新の外形寸法図については、下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
36
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 主な変更内容
ページ
場所
Revision 1.0 [December, 2012]
Revision 2.0 [July, 2013]
5
-
-
January 31, 2014, MB39C602_DS405-00010-2v1-J
CONFIDENTIAL
Initial release
記号"ROTC"の最少規格値を変更
25 → 10
「■ 標準特性」を追加
「■ 応用回路例」を追加
「■ 参考データ」を追加
■推奨動作条件
■標準特性
8, 9
20～24
■応用回路例
25～29
■参考データ
Revision 2.1 [January 31, 2014]
-
変更箇所
社名変更および記述フォーマットの変換
37
D a t a S h e e t
免責事項
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用
途の限定はありません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求
され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにお
ける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2)
極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたもの
ではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、
お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が
発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよ
う、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計を
お願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基
づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要と
なります。
商標および注記
このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関
する情報が記載されている場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、
開発を中止したりする権利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供さ
れるものであり、その正確性, 完全性, 実施可能性および特定の目的に対する適合性やその市場性および他者の
権利を侵害しない事を保証するものでなく、また、明示, 黙示または法定されているあらゆる保証をするもの
でもありません。Spansion は、このドキュメントに含まれる情報を使用することにより発生したいかなる損害
に対しても責任を一切負いません。
Copyright © 2012-2014 Spansion Inc. All rights reserved.
商標：Spansion®, Spansion ロゴ (図形マーク), MirrorBit®, MirrorBit® Eclipse™ , ORNAND™ 及びこれらの組合せ
は、米国・日本ほか諸外国における Spansion LLC の商標です。第三者の社名・製品名等の記載はここでは情報
提供を目的として表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっている場合があります。
38
CONFIDENTIAL
MB39C602_DS405-00010-2v1-J, January 31, 2014