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ISL6186
ISL6186 USB 電源コントローラ・ファミリは、複数の USB ポート
に対応した過電流 (OC) フォルト保護機能を備えています。
個別の機能を備えた 8 種類の製品バリエーションと 3 種類の
パッケージ・オプションで構成されたこの製品は、公称定格
動作範囲が +2.5V ~ +5V で、民生用温度範囲と産業用温度範
囲を網羅しています。
ISL6186 ファミリは、電源制御用の 45mΩ P チャネル MOSFET
パワースイッチを内蔵しています。また、内部電流モニタリ
ング、高精度の電流リミット、ターンオフまでの電流リミット
適用ディレイ期間によってシステム電源を保護している
ほか、制御および通信用 I/O も備えています。
特長
• 動作範囲:2.5V ~ 5V
• 45mΩ パワー P チャネル MOSFET スイッチ内蔵
• 1.5A、3A、3.6A の連続電流オプションを用意
• ターンオフの直前に、熱的に不感な 12ms の電流リミット
動作
• ディスエーブル時、逆電流を防止する出力放電機能
• ラッチオフまたは自動リスタートのオプションおよび
イネーブル極性のオプションを用意
ISL6186 ファミリには各種の製品バリエーションが用意され、
連続出力電流レベル (1.5A、3A、または 3.6A)、イネーブル入
力の極性 ( アクティブ High またはアクティブ Low)、過電流
ターンオフ後の動作 ( ラッチオフまたは自動リトライ ) を選べ
るので、さまざまな低消費電力アプリケーションに対応でき
ます。
• オフ状態で 1μA の消費電流
この IC は、業界標準の SOIC パッケージと 70%小型の 3 × 3 mm
DFN パッケージで供給されます。DFN パッケージは、SOIC パッ
ケージと同等の性能に加えてパワーグッド出力機能 (10 Ld DFN
のみ ) を可能な限り小型のパッケージ上で提供しています。
• 低消費電力電子回路のリミット設定や遮断器
• 業界標準ピン配置の SOIC パッケージと小型の DFN
パッケージを用意
アプリケーション
• USB 3.0 を含む USB ポートのパワーマネジメント
D+
D-
C
O
N
T
R
O
L
L
E
R
OUT
ENABLE
1.2
FAULT
+5V
VIN
GND
ISL6186
VBUS
D+
DUSB PORT POWER
図 1. アプリケーション回路例
2011 年 11 月 3 日
FN7698.2
1
1.3
VBUS
USB
PORT_2
NORMALIZED rDS(ON)
U
S
B
USB
PORT 1
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-40
-25
0
25
45
75
85
115
TEMPERATURE (°C)
図 2. 正規化された rDS(ON) の温度特性曲線
注意:本データシート記載のデバイスは静電気に対して敏感です。適切な取り扱いを行ってください。
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そのほかの企業名や製品名などの商標はそれぞれの権利所有者に帰属します。
ISL28127, ISL28227
USB ポート電源コントローラ
ISL6186
ブロック図
GND
PGD
-VCOMP
PGD only on 10DFN
+
VIN
OUT
POR
VIN
OUT
CURRENT AND TEMP.
MONITORING, GATE,
DELAY AND OUTPUT CONTROL
LOGIC
EN
FAULT
ピン配置
ISL6186
(10 LD DFN)
上面図
ISL6186
(8 LD SOIC/DFN)
上面図
GND
1
VIN
2
VIN
3
EN/EN
(GND)
EPAD
DFN ONLY
4
8
OUT
7
OUT
6
OUT
5
GND
1
VIN
2
VIN
3
VIN
4
EN/EN
5
10
(GND)
EPAD
PGD
9
OUT
8
OUT
7
OUT
6
FLT
FLT
ピンの説明
ピン番号
8 Ld
SOIC/DFN
10 Ld
DFN
名称
1
1
GND
IC グラウンド・リファレンス。
2, 3
2, 3, 4
VIN
内部バイアス、P チャネル MOSFET への電圧入力、アンダーボルテージ・ロックアウト (UVLO)。
説明
VIN は内部バイアス電圧を供給します。VIN が 1.7V 未満の場合、チップの機能がディスエーブル、FLT が
アクティブかつフローティング、OUT が Low になります。範囲:0V ~ 5.5V。
4
5
EN/EN
5
6
FLT
イネーブル / ディスエーブル入力。
アクティブ High (EN) オプションとアクティブ Low (EN) オプションによってパワースイッチを
イネーブルにします。この入力には 1MΩ プルオフ抵抗が内蔵されています。範囲:0V ~ VIN。
過電流フォルト・インジケータ。
FLT は、VIN が VUVLO を上回るまでディスエーブル・フローティングになります。この出力は、
電流リミットのタイムアウト期間が終了すると Low になります。過熱シャットダウンでは、
フォルトの信号は出力されません。範囲:0V ~ VIN。
2
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
ピンの説明 ( 続き )
ピン番号
8 Ld
SOIC/DFN
10 Ld
DFN
名称
説明
6, 7, 8
7, 8, 9
OUT
制御された電源出力。
過電流状態になると、IOUT に電流リミットが適用されます。電流リミットの応答時間は 200μs
以内です。ラッチ・バージョンでも自動リトライ・バージョンでも、この出力は公称値で 12ms
の間、電流リミット状態が維持されてから、内部 MOSFET がオフになります。
範囲:0V ~ VIN。
-
10
PGD
オープン・ドレイン・パワーグッド出力。
VOUT が VIN の 90%になると 40ms の間 Low になり、VOUT が VIN の 85%を下回ると High に
なります。範囲:0V ~ VIN。
PD
(DFN のみ )
PD
EPAD
放熱エキスポーズド・パッド。
範囲:接続~ GND。
注文情報
マーキング
EN/EN
入力
VIN = 5V での
最大連続
IOUT (A)
ISL61861ACBZ
61861A CBZ
EN
1.5
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861BCBZ
61861B CBZ
EN
1.5
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
製品型番
(Note 1、2、3)
ラッチ /
パワーグッド
自動リトライ
出力
温度範囲 ( ℃ )
パッケージ
( 鉛フリー )
パッケージの
外形図
ISL61861CCBZ
61861C CBZ
EN
3
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861DCBZ
61861D CBZ
EN
3
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861ECBZ
61861E CBZ
EN
1.5
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861FCBZ
61861F CBZ
EN
1.5
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861GCBZ
61861G CBZ
EN
3
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861HCBZ
61861H CBZ
EN
3
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61862ACRZ
62AC
EN
1.5
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862BCRZ
62BC
EN
1.5
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862CCRZ
62CC
EN
3
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862DCRZ
62DC
EN
3
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862ECRZ
62EC
EN
1.5
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862FCRZ
62FC
EN
1.5
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862GCRZ
62GC
EN
3
ラッチ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862HCRZ
62HC
EN
3
リトライ
NO
0 ~ +70
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61863ACRZ
63AC
EN
1.5
ラッチ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863BCRZ
63BC
EN
1.5
リトライ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863CCRZ
63CC
EN
3
ラッチ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863DCRZ
63DC
EN
3
リトライ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863ECRZ
63EC
EN
1.5
ラッチ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863FCRZ
63FC
EN
1.5
リトライ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863GCRZ
63GC
EN
3
ラッチ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863HCRZ
63HC
EN
3
リトライ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863ICRZ
63IC
EN
3.6
ラッチ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863JCRZ
63JC
EN
3.6
リトライ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863KCRZ
63KC
EN
3.6
ラッチ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863LCRZ
63LC
EN
3.6
リトライ
YES
0 ~ +70
10 Ld DFN
L10.3x3
3
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
注文情報 ( 続き )
製品型番
(Note 1、2、3)
EN/EN
入力
マーキング
VIN = 5V での
最大連続
IOUT (A)
ラッチ /
パワーグッド
自動リトライ
出力
温度範囲 ( ℃ )
パッケージ
( 鉛フリー )
パッケージの
外形図
ISL61861AIBZ
61861A IBZ
EN
1.5
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861BIBZ
61861B IBZ
EN
1.5
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861CIBZ
61861C IBZ
EN
3
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861DIBZ
61861D IBZ
EN
3
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861EIBZ
61861E IBZ
EN
1.5
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861FIBZ
61861F IBZ
EN
1.5
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861GIBZ
61861G IBZ
EN
3
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61861HIBZ
61861H IBZ
EN
3
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld SOIC
M8.15
ISL61862AIRZ
62AI
EN
1.5
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862BIRZ
62BI
EN
1.5
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862CIRZ
62CI
EN
3
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862DIRZ
62DI
EN
3
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862EIRZ
62EI
EN
1.5
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862FIRZ
62FI
EN
1.5
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862GIRZ
62GI
EN
3
ラッチ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61862HIRZ
62HI
EN
3
リトライ
NO
-40 ~ +85
8 Ld DFN
L8.3x3J
ISL61863AIRZ
63AI
EN
1.5
ラッチ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863BIRZ
63BI
EN
1.5
リトライ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863CIRZ
63CI
EN
3
ラッチ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863DIRZ
63DI
EN
3
リトライ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863EIRZ
63EI
EN
1.5
ラッチ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863FIRZ
63FI
EN
1.5
リトライ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863GIRZ
63GI
EN
3
ラッチ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863HIRZ
63HI
EN
3
リトライ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863IIRZ
63II
EN
3.6
ラッチ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863JIRZ
63JI
EN
3.6
リトライ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863KIRZ
63KI
EN
3.6
ラッチ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61863LIRZ
63LI
EN
3.6
リトライ
YES
-40 ~ +85
10 Ld DFN
L10.3x3
ISL61861EVAL1Z (ISL61861C)
EN
3
ラッチ
NO
-
8 Ld SOIC
EVAL BOARD
ISL61862EVAL1Z (ISL61862F)
EN
1.5
リトライ
NO
-
8 Ld DFN
EVAL BOARD
ISL61863EVAL1Z (ISL61863L)
EN
3.6
リトライ
YES
-
10 Ld DFN
EVAL BOARD
Note:
1. テープ&リールは製品型番の末尾に「-T*」を付加してください。リールの詳細仕様についてはテクニカル・ブリーフ TB347 を参照して
ください。
2. これら鉛フリーのプラスチック・パッケージ製品には、専用の鉛フリー素材、モールド素材、ダイアタッチ素材を採用するとともに、
端子には錫 100%の梨地メッキとアニーリングを実施しています (RoHS 指令に準拠するとともに SnPb ハンダ付け作業と鉛フリーハンダ
付け作業とも互換性のある e3 端子仕上げ )。インターシルの鉛フリー製品は鉛フリー・ピークリフロー温度では MSL 分類に対応し、
この仕様は IPC/JEDEC J STD-020 の鉛フリー要件と同等か上回るものです。
3. 吸湿性レベル (MSL) については ISL6186 のデバイス情報ページを参照してください。MSL の詳細についてはテクニカル・ブリーフ
TB363 を参照してください。
4
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
絶対最大定格
温度情報
電源電圧 (VIN ~ GND、Note 7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V
EN、FAULT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VIN
OUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3V ~ VIN 0.3V
出力電流. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 短絡保護、5A に制限
ESD 定格
人体モデル (MIL-STD-883 Method 3015.7 に準拠 ) . . . . . . . . . . .3kV
機械モデル (MIL-STD-883 Method 3015.7 に準拠 ) . . . . . . . . . .300V
ラッチアップ定格
(JESD-78B; Class 2, Level A に従ってテスト済み ) . . . . . . . . . . 100mA
熱抵抗 ( 代表値 )
θJA ( ℃ /W) θJC ( ℃ /W)
8 Ld SOIC パッケージ (Note 4)
120
N/A
8 Ld 3 × 3 DFN パッケージ (Note 5、6)
48
6
10 Ld 3 × 3 DFN パッケージ (Note 5、6)
48
6
ジャンクション最高温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ℃
最大保存温度範囲 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 ℃~ +150 ℃
鉛フリー・リフロープロファイル . . . . . . . . . . . . 以下の URL を参照
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
動作条件
民生用温度範囲. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 ℃~ +70 ℃
産業用温度範囲. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 ℃~ +85 ℃
電源電圧範囲 ( 代表値 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V ~ 5.5V
注意:過度に長い期間にわたって最大定格点または最大定格付近でモジュールを動作させないでください。そのような動作条件を課すと製品
の信頼性に影響が及ぶ恐れがあるとともに、保証の対象とはならない可能性があります。
Note:
4. θJA は、部品を放熱効率の高い試験基板に実装した状態で、自由大気中で測定した値です。詳細はテクニカル・ブリーフ TB379 を参照
してください。
5. θJA は、部品を放熱効率の高い「ダイレクト・アタッチ」機能対応の試験基板に実装した状態で、自由大気中で測定した値です。
詳細はテクニカル・ブリーフ TB379 を参照してください。
6. θJC の測定における「ケース温度」位置は、パッケージ下面のエキスポーズド金属パッドの中心です。
7. 特記のない限り、すべての電圧はグラウンドが基準です。
電気的特性 特記のない限り動作条件は次のとおりです。VIN = 5V、TA = TJ。太字のリミット値は動作温度範囲 0 ℃~ +75 ℃または
-40 ℃~ +85 ℃に対して適用されます。
SYMBOL
PARAMETER
MIN
(Note 8)
TYP
MAX
(Note 8)
UNITS
VIN = 5V, IOUT = 0.5A, TA = TJ = +25°C
-
45
48
mW
TA = TJ = +85°C
-
50
54
mW
VIN = 3.3V, IOUT = 0.5A, TA = TJ = +25°C
-
54
57
mW
TA = TJ = +85°C
-
61
64
mW
VIN = 2.5V, IOUT = 0.5A, TA = TJ = +25°C
-
65
69
mW
TEST CONDITIONS
POWER SWITCH
rDS(ON)_50
rDS(ON)_33
ON-Resistance at 5.0V
(Pulse Tested)
ON-Resistance at 3.3V
(Pulse Tested)
rDS(ON)_25
On Resistance at 2.5V
(Pulse Tested)
TA = TJ = +85°C
-
74
79
mW
VOUT_DIS
Disabled Output Voltage
VIN = 5V, Switch Disabled, 50µA Load
-
22
45
mV
ROUT_PD
Output Pull-Down Resistor
VIN = 5V, Switch Disabled
3.4
5
6
kW
tR
VOUT Rise Time
RL = 10W, CL = 10µF, 10% to 90%
-
10
-
µs
tF
Slow VOUT Turn-off Fall Time
RL = 10W, CL = 10µF, 90% to 10%
-
200
-
µs
ISL6186xA, B, E, F
-
-
1.5
A
ISL6186xC, D, G, H
-
-
3.0
A
ISL6186xI, J, K, L (10 Ld DFN)
-
-
3.6
A
ISL6186xA, B, E, F
-
-
1.5
A
ISL6186xC, D, G, H
-
-
2.5
A
ISL61861I, J, K, L (10 Ld DFN)
-
-
2.7
A
ISL6186xA, B, E, F
-
1.2
-
A
ISL61861C, D, G, H (SOIC)
-
1.8
-
A
IOUT_CONT_2
ISL61862, ISL61863 C, D, G, H (DFN)
-
2
-
A
IOUT_CONT_2
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN)
-
2
-
A
CURRENT CONTROL
IOUT_CONT_5
IOUT_CONT_5
IOUT_CONT_5
IOUT_CONT_3
IOUT_CONT_3
IOUT_CONT_3
IOUT_CONT_2
IOUT_CONT_2
Maximum Continuous Current,
VIN = 5V
Guaranteed by the Minimum Itrip
Current Specification
Maximum Continuous Current,
VIN = 3.3V
Guaranteed by the Minimum Itrip
Current Specification
Maximum Continuous Current,
VIN = 2.5V
5
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
電気的特性 特記のない限り動作条件は次のとおりです。VIN = 5V、TA = TJ。太字のリミット値は動作温度範囲 0 ℃~ +75 ℃または
-40 ℃~ +85 ℃に対して適用されます。( 続き )
MIN
(Note 8)
TYP
MAX
(Note 8)
UNITS
ISL6186xA, B, E, F
1.7
2.5
3.3
A
ITRIP_5
ISL6186xC, D, G, H
3.0
3.9
4.5
A
ITRIP_5
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN)
3.7
3.9
5.0
A
SYMBOL
ITRIP_5
PARAMETER
Trip Current, VIN = 5V
ISL6186xA, B, E, F
1.7
2.1
2.7
A
ITRIP_3
ISL6186xC, D, G, H
2.8
3.5
4.0
A
ITRIP_3
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN)
3.5
3.9
4.3
A
ISL6186xA, B, E, F
-
1.8
-
A
ISL6186xC, D, G, H
-
3.2
-
A
ITRIP_3
ITRIP_2
Trip Current, VIN = 3.3V
TEST CONDITIONS
Trip Current, VIN = 2.5V
ITRIP_2
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN)
-
3.4
-
A
ISL6186xA, B, E, F, VIN - VOUT = 1V
1.37
1.6
1.81
A
ILIM_5
ISL6186xC, D, G, H, VIN - VOUT = 1V
2.82
3.1
3.42
A
ILIM_5
ISL61863I, J, K, L, (10 Ld DFN) VIN - VOUT = 1V
3.24
3.6
4.00
A
ISL6186xA, B, E, F, VIN - VOUT = 1V
1.35
1.5
1.77
A
ISL6186xC, D, G, H, VIN - VOUT = 1V
2.72
3.0
3.35
A
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN), VIN - VOUT = 1V
3.22
3.5
3.95
A
ISL6186xA, B, E, F, VIN - VOUT = 1V
1.30
1.5
1.70
A
ILIM_2
ISL6186xC, D, G, H, VIN - VOUT = 1V
2.55
2.9
3.14
A
ILIM_2
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN), VIN - VOUT = 1V
3.07
3.3
3.75
A
ISL6186xA, B, E, F, VOUT = 0V
1.45
2.0
2.35
A
ITRIP_2
ILIM_5
ILIM_3
Current Limit, VIN = 5V
Current Limit, VIN = 3.3V
ILIM_3
ILIM_3
ILIM_2
Isc_5
Current Limit, VIN = 2.5V
Short Circuit Current, VIN = 5V
Isc_5
ISL6186xC, D, G, H, VOUT = 0V
2.60
3.4
4.50
A
Isc_5
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN), VOUT = 0V
2.48
3.5
5.00
A
ISL6186XA, B, E, F, VOUT = 0V
0.95
1.2
1.50
A
Isc_3
ISL6186XC, D, G, H, VOUT = 0V
1.95
2.2
2.70
A
Isc_3
ISL61863I, J, K, L (10 Ld DFN), VOUT = 0V
2.00
2.5
3.00
A
Isc_3
Short Circuit Current, VIN = 3.3V
ISL6186xA, B, E, F, VOUT = 0V
-
1.1
-
A
Isc_2
ISL6186xC, D, G, H, VOUT = 0V
-
2.1
-
A
Isc_2
ISL61863I, J, K, L, (10 Ld DFN) VOUT = 0V
-
2.4
-
A
OC to Limit Settling Time
VIN/RL = 2ILIM, CL = 10µF to within 10% of ILIM
-
200
-
µs
Severe OC to Limit Settling Time
VIN/RL = 4ILIM, CL = 10µF to within 10% of ILIM
-
30
-
µs
tCL
Current Limit Duration
IOUT = ILIM
9.2
12
15
ms
tRTY
Automatic Retry Period
0.80
1
1.35
s
-
-
0.45
V
-
5
-
µA
Isc_2
tsettIlim
tsettIlim_sev
Short Circuit Current, VIN = 2.5V
I/O PARAMETERS
Vfault_lo
Ifault
Venr_5
Hys_Venr_5
Venr_3
Hys_Venr_3
Venr_2
Hys_Venr_2
Fault Output Voltage
Fault IOUT = 10mA
Fault Leakage
ENABLE/ENABLE Rising
Threshold
VIN = 5V
1.5
1.8
2
V
EN/EN Threshold Hysteresis
VIN = 5V
65
140
175
mV
ENABLE/ENABLE Rising
Threshold
VIN = 3.3V
1.0
1.3
1.6
V
EN/EN Threshold Hysteresis
VIN = 3.3V
30
80
120
mV
ENABLE/ENABLE Rising
Threshold
VIN = 2.5V
0.95
1.1
1.3
V
EN/EN Threshold Hysteresis
VIN = 2.5V
10
70
110
mV
6
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
電気的特性 特記のない限り動作条件は次のとおりです。VIN = 5V、TA = TJ。太字のリミット値は動作温度範囲 0 ℃~ +75 ℃または
-40 ℃~ +85 ℃に対して適用されます。( 続き )
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
(Note 8)
TYP
MAX
(Note 8)
UNITS
Ren_h
ENABLE Pull-Down Resistor
Enable asserted high options
0.6
1
1.55
MW
Ren_l
ENABLE Pull-Up Resistor
Enable asserted low options
0.6
1
1.55
MW
tON
Enable to Output Turn-on Time
RL = 10W, CL = 10µF, Enable 50% to Output 90%
-
0.1
-
ms
tOFF
Enable to Output Turn-off Time
RL = 10W, CL = 10µF, Enable 50% to Output 10%
-
0.25
-
ms
tpdPGr
Enable to Power Good Output
Rising Time
Disable to Power-Good De-assert
-
30
-
ns
PG Vth
Power Good Threshold
PGD pulls low when VOUT/VIN
88
91
95
%
PGN Vth
Power Not Good Threshold
PGD release high when VOUT/VIN
78
86
93
%
tVthr2PG
PG Vth to PG Falling
PG delay after PG Vth
-
1.5
-
µs
tVthf2PG
PGN Vth to PG Rising
PG delay after PGN Vth
-
45
-
µs
Switches Closed, OUTPUT = OPEN
-
57
75
µA
BIAS PARAMETERS
IVDD
Enabled VIN Current
IVDD
Disabled VIN Current
Switches Open, OUTPUT = OPEN
-
3.5
5.5
µA
VUVLO
Rising POR Threshold
VIN Rising to functional operation
-
2.1
2.3
V
IVR
Reverse Blocking Leakage
Current
VIN = 0V, VOUT = 5V
-
0.3
2.0
µA
Temp_dis
Over-Temperature Disable
-
150
-
°C
Temp_hys
Over-Temperature Hysteresis
-
20
-
°C
Note:
8. データシートのリミット値に対する整合性は、製造時テスト、特性評価、設計のいずれか 1 つまたは複数によって保証されています。
概要
ISL6186 ファミリは、+2.5V ~ +5V の電圧範囲に対応した
シングルチャネルの過電流 (OC) フォルト保護 IC です。
ISL6186 ファミリの各タイプは、電源制御用の 45mΩ P チャ
ネル MOSFET パワースイッチを内蔵しています。2.5V ~ 5V
のロジックに対応したイネーブル入力とフォルト出力によ
り、外部制御 / 通知が可能です。また、内蔵のパワースイッチ
は、電流モニタリング、高精度の電流リミット、逆バイアス
保護、ターンオフまでの電流リミット適用ディレイ期間に
よってシステムの信頼性を確保しています。電流不足時や過
電流時など代表的な動作時の波形については、図 11 ~ 27 を
参照してください。
ISL6186 ファミリは、VIN = 5V での電流センスと電流リミッ
トにより 1.5A、3A、3.6A の連続電流レベルを確保している
ので、USB などさまざまな低消費電力 ( 最大 18W) のパワー
マネジメント・アプリケーション / 構成に最適です。
また、熱的に不感なタイマ式過電流ターンオフとフォルト通
知の機能も備えており、周辺機器における過電流や短絡の発
生時には、周囲の温度条件に左右されることなく電圧バスを
絶縁し保護できます。
適切なイネーブル状態が存在しない場合や、VIN が VUVLO
を上回らない場合、ISL6186 ファミリのアンダーボルテージ・
ロックアウト機能は出力のターンオンを防止します。ターン
オン直後の段階では、フォルト信号を無効にすることによ
り、フォルト通知の誤動作を回避します。
7
動作中に過電流状態が検出されると、tCL の間、出力に電流
リミットが適用され、過電流状態が一時的に許可されます。
電流リミット期間終了後も電流リミット状態にある場合は、
出力がターンオフになり、FAULT 出力を Low にすることで
フォルトを通知します。ラッチオフ・オプションではターン
オフ後、イネーブル信号の OFF/ON によるリセットか、
パワーオン・リセット (POR) の発生まで、出力と FAULT 信号
のいずれも Low に維持します。リセットが行われた時点で、
FAULT 信号がクリアされ、スイッチのターンオンが可能にな
ります。自動リスタートオプションでは、イネーブルが
アサートされている間は定期的に出力のターンオンが試み
られます。
ディスエーブル時には、低待機時消費電流が流れ、出力から
入力への逆電流を防止します。
ISL6186 ファミリは、業界標準ピン配置の 8 Ld SOIC パッケー
ジまたは 70%小型化された 2 バージョンの 3 × 3 mm DFN
パッケージで供給され、それぞれイネーブル極性を選べます。
8 Ld DFN パッケージは 8 Ld SOIC パッケージと同等の性能
を発揮します。10 Ld DFN パッケージはパッケージの電気抵
抗と熱抵抗が小さいため、小型のパッケージ上でより大電流
に対応できます。また、10 Ld DFN パッケージはパワーグッド
出力 (PGD) を備えています。PGD は、VOUT が VIN の 90%
を上回ると 40ms の間 Low になり、VOUT が VIN の 85%を
下回ると High になります。
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
動作の説明
設定されているので、サーマル・シャットダウンはきわめて
高い周囲温度でのみ発生します。FAULT は、過熱イベント
に対しては応答しません。
パワーオン・リセット (POR)
VIN が VUVLO を下回った場合、ISL6186 ファミリの POR 機
能は製品の動作を禁止します。
逆極性保護
パワースイッチがディスエーブルまたはパワーダウンにな
り、VOUT が VIN を上回った場合でも、電流が出力から入
力に流れたり、出力電圧が入力に現れたりすることはあり
ません。
ソフトスタート
イネーブルになると、式 ILIM/COUT (V/s) に従って VOUT
ピンの電圧が上昇します。抵抗性負荷やアクティブな負荷が
あると、
曲線の頂点に向けての VOUT の上昇速度が低下します。
スタートアップ時のフォルトの無効化
ターンオン直後の段階では、内蔵 FET が十分に安定するま
でフォルト信号を無効にすることにより、システム・コント
ローラへのフォルト通知の誤動作を回避します。
電流トリップ / リミットのレベル
ISL6186ファミリは電流センス機能をMOSFETに内蔵してい
るので、過電流イベントの迅速な制御が可能です。過電流状
態が検出されると、ISL6186 ファミリは電流リミット (CL) 制
御モードに移行します。ISL6186 ファミリには、1.5A、3A、
または 3.6A の連続電流 (IOUT_CONT) 動作に対応したバリ
エーションが用意されています。電流が連続電流定格を上回
ると、電流リミット・モードに移行するレベル ( 電流トリッ
プ・レベル ) に到達します。電流トリップ・レベルは、誤っ
た フ ォ ル ト を 発 生 さ せ な い よ う に、い か な る 場 合 で も
IOUT_CONT 定格を十分に上回ったものとなります。電流リ
ミットは、既知の代表的な条件をテストする目的で VOUT =
VIN - 1V に規定されており、公称値は連続電流定格よりわず
かに高くなります。この電流リミット制御の速度は、過電流
フォルトの強度と逆の関係になります。したがって、強い過
電流は、弱い過電流状態よりも速くリミット値に到達しま
す。
過熱シャットダウン
ISL6186 ファミリは過熱シャットダウン / ロックアウト機能
を備えていますが、シャットダウンまでには 12ms の時間が
過熱保護機能は、内部 FET をディスエーブルにします。ダ
イ温度が約 +140 ℃を超え、約 +150 ℃になると、オン状態の
内部 FET がターンオフになり、ダイ温度が約 +120 ℃に低下
すると、内部 FET が解放され通常動作に戻ります。
ターンオフ時間のディレイ
動作中に過電流状態が検出されると、約 12ms の間、出力に
電流リミットが適用され、一時的に過電流状態になります。
電流リミット期間終了後も電流リミット状態にある場合は、
出力がターンオフになり、FAULT 出力を Low にすることで
フォルトを通知します。電流リミットの適用とともに 12ms
の内蔵タイマが開始されます。このタイマは周囲や IC の温
度条件に左右されることなく、温度範囲全体にわたって一貫
した動作を実現します。
ラッチオフ・リスタートと自動リスタート
ラッチオフ・オプションではターンオフ後、イネーブル信号
のアサート解除によるリセットまで、出力と FAULT 信号が
いずれも Low で維持されます。リセットが行われた時点で、
FAULT 信号がクリアされ、
IC のアサートが可能になります。
自動リスタート・オプションでは、イネーブルがアサート
されている間は約 1 秒間隔で定期的に出力のターンオンが
試みられます。過電流状態が長時間続くと、熱保護機能が
起動されるまでフォルト通知やリスタートの試行も継続さ
れ、リスタート期間が増加します。
パワーグッド出力
この機能は、アクティブ Low のオープン・ドレイン・パワー
グッド・インジケータです。VOUT が VIN の 90%を上回る
とアサートされ、VOUT が VIN の 85%を下回るとアサート
が解除されます。IC がディスエーブルになると即座にアサー
トが解除されます。
アクティブ出力プルダウン
ISL6186ファミリのその他の機能として、出力における10kΩ
のアクティブ・プルダウンが挙げられます。製品がディス
エーブルになると、GND から +60mV 未満までプルダウンが
行われ、負荷が放電されます。
性能特性
1.3
85
75
VIN = 2.5V
70
65
60
VIN = 3.3V
55
50
VIN = 5V
45
NORMALIZED rDS(ON)
rDS(ON) @ 0.5A (m?)
80
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
40
35
-40
-25
0
25
45
75
TEMPERATURE (°C)
図 3. 0.5A でのスイッチオン抵抗
8
85
115
0.7
-40
-25
0
25
45
75
TEMPERATURE (°C)
85
115
図 4. 正規化されたスイッチ抵抗
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
性能特性 ( 続き )
4.0
3.0
2.5
3.3V ITRIP
2.0
5V Isc
2.5V ITRIP
1.5
5V ILIM
3.3V ILIM
OUTPUT CURRENT (A)
OUTPUT CURRENT (A)
5V ITRIP
2.5V ILIM
3.3V ISC
1.0
-40
3.5
3.0
2.5V ISC
-40
図 5. 1.5A 連続電流特性
1.75
1.70
4.0 3.3V ITRIP
5V ILIM
3.5 3.3V ILIM
2.5V ITRIP
2.5V ILIM
3.0
3.3V ISC
2.5V ISC
-40
25
TEMPERATURE (°C)
TYPICAL
-3SIGMA
1.55
1.50
1.45
1.40
1.30
85
-40
3.90
3A CONTINUOUS IOUT VERSION
3.2
3.1
25
TEMPERATURE (°C)
85
図 8. リミット電流± 3 シグマ、VIN = 5V
+3SIGMA
3.85
TYPICAL
3.80
-3SIGMA
3.0
2.9
2.8
ILIMIT ± 3 SIGMA (A)
ILIMIT ± 3 SIGMA (A)
+3SIGMA
1.35
3.4
2.7
1.5A CONTINUOUS IOUT VERSION
1.60
図 7. 3.6A 連続電流特性
3.3
85
1.65
ILIMIT ± 3 SIGMA (A)
OUTPUT CURRENT (A)
5V ISC
2.0
25
TEMPERATURE (°C)
図 6. 3A 連続電流特性
4.5
2.5
2.5V ILIM
3.3V ISC
2.0
1.5
85
5V ILIM
3.3V ITRIP
5V ISC
3.3V ILIM
2.5 2.5V ITRIP
2.5V ISC
25
TEMPERATURE (°C)
5V ITRIP
3.6A CONTINUOUS IOUT VERSION
+3SIGMA
3.75
3.70
TYPICAL
3.65
3.60
-3SIGMA
3.55
-40
25
TEMPERATURE (°C)
図 9. リミット電流± 3 シグマ、VIN = 5V
9
85
3.50
-40
25
85
TEMPERATURE (°C)
図 10. リミット電流± 3 シグマ、VIN = 5V
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2011 年 11 月 3 日
ISL6186
性能特性 ( 続き )
EN
EN
FAULT
FAULT
VOUT
VOUT
Iin
IIN
図 11. 1.5A バリエーションにおける ILIM の波形
図 12. 3A バリエーションにおける ILIM の波形
FAULT
FAULT
PG
PG
EN
VOUT
VOUT
IIN
IIN
図 13. 3.6A バリエーションにおける ILIM の波形 (PG あり )
EN
図 14. LISL6186 のターンオン (PG あり )
EN
CL=100µF
CL=10µF
CL=100µF
CL=10µF
図 15. VOUT ターンオン / 立ち上がり時間 vs CLOAD。
VIN = 5.5V、RL = 10Ω
10
図 16. VOUT ターンオフ / 立ち下がり時間 vs CLOAD。
VIN = 5.5V、RL = 10Ω
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
性能特性 ( 続き )
3A VARIANT
3A VARIANT
4A OC
32µs
78A/ms
2A OC
60µs
16A/ms
1.6A/ms
1A OC
137µs
0.5A OC
300µs
ILIMIT = 3.42A
ILOAD = 2.75A
ILOAD = 3.2A
ILIMITED
図 18. ピーク電流セトリング時間
図 17. 過電流ランプレート ILIM の波形
EN
EN
FAULT
FAULT
VOUT
VOUT
IIN
IIN
3A VARIANT
3A VARIANT
図 20. 一時的な過電流状態へのターンオン
図 19. 過電流状態へのターンオン
EN
VOUT
FAULT
PG
図 21. 過電流リトライ機能
11
VOUT
EN
IIN
IIN
図 22. ターンオフ (PG あり )
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
性能特性 ( 続き )
EN
EN
VOUT
VOUT
IIN = 3.8A
IIN
Rl =1.3W, Cl = 200µF
3.6A VARIANT
図 24. 18W 負荷へのターンオン
図 23. VIN = 2.4V における 0.88Ω へのターンオン
テスト回路
+
-
V
10k
10k
FLT
FLT
5V
VIN
OUT
ISL6186
OUTPUT
10µF
EN
5V
VIN
ISL6186
EN
10
OUTPUT
OUT
RL sized
for desired
OC level
RL
10µF
10
rDS(ON) = V/(VOUT/10Ω)
図 25B. 電流リミット
図 25A. rDS(ON)
図 25. DC テスト回路
VIN
EN
0.5VIN
0.5VIN
10k
0V
tON
FLT
5V
0-VIN
VIN
OUT
ISL6186
OUTPUT
10µF
EN
OUTPUT
tOFF
VIN
90%
10%
10
90%
OUTPUT
tR
図 26A. 過渡テスト回路
12
VIN
90%
10%
GND
10%
-GND
tF
図 27. 過渡波形の測定ポイント
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
ISL61863EVAL1Z の回路図と写真
GND
GND
PG
*
VIN
OUT
EN FLT
Note:* PGD 出力は ISL61863 タイプでのみ利用可能
図 28A. ISL61863EVAL1Z の回路図
図 28B. ISL61863EVAL1Z ボードの写真
図 28. ISL61863EVAL1Z の回路図と ISL61863EVAL1Z の写真
アプリケーション情報
ISL6186XEVAL1Z プラットフォームを使用した
一般情報とバイアス情報
ISL6186 ファミリの評価プラットフォームは 3 種類あります。
パッケージ形式ごとに1つのプラットフォームが用意されて
おり、それぞれ連続出力電流レベルが異なります。プラット
フォームによっては、イネーブル極性オプションと出力リト
ライ / ラッチオプションの組み合わせも異なります。3 ページ
から始まる「注文情報」表の末尾に、標準品として供給され
ている評価ボードを掲載しています。図 28A に示したのは、
10 Ld DFN ISL61863EVAL1Z の回路図です。ISL61863 タイプ
に固有の PGOOD 出力を除き、回路図と機能はすべて 3 種類
のパッケージ間で同じです。パッケージ間の違いについて
は、2 ページに掲載されている各パッケージのピン配置を参
照してください。
評価プラットフォームは、複数のラベル付きテストポイント
(TP) を通じてバイアスしモニタリングされています。テスト
ポイントの割り当てと説明については、表 1 を参照してくだ
さい。
表 1. ISL61863EVAL1Z のテストポイントの割り当て
TP 名
説明
GND
評価ボードと IC のグラウンド
VIN
評価ボード、IC のバイアスとパワー入力
EN
イネーブルスイッチ
OUT
スイッチのパワー出力
PG
パワーグッド出力
FLT
フォルト出力
評価プラットフォームの適切なバイアスと、IC の正しい
イネーブルが行われると、ISL6186 ファミリの負荷電流は公
称値で VIN/5.1Ω になり、これはイネーブルされたスイッチ
ごとに通過する連続電流の定格を下回ります。ISL6186 ファ
ミリの代表的なターンオン / ターンオフ波形については、
図 14 ~ 16 を参照してください。
評価対象の特定の部品について電流がトリップレベルを超
えると、ISL6186 ファミリは電流リミットモードに移行します。
13
連続負荷電流定格が 1.5A の ISL6186 ファミリにおける電流
リミットモードを図 11 に示しました。この図で示されてい
る電流リミットの範囲は、ターンオフになりフォルト信号が
アサートされるまでの約 12ms です。
アプリケーションに関する考慮事項
ISL6186XEVAL1Z ボードの部品リストについては、表 2 を参
照してください。
VIN のデカップリング
ISL6186 ファミリのアプリケーションに関する考慮事項は、業界
の慣例に従います。VIN ピンの適切なデカップリングを行う
には、IC の近くに配置する必要があります (2.2μF 以上を推
奨 )。3.0A バージョンと 3.6A バージョンの場合、過電流イ
ベント時における VIN でのスパイクやグリッチを防ぐため、
33μF 以上を推奨します。ISL6186 ファミリに対する入力 / 出
力インダクタンスを削減するには、適切な PCB レイアウトを
行ってください。
VOUT への負荷
ISL6186 ファミリのターンオン時に出力に負荷をかけない
( オープンにする ) 設計で 3A バージョンや 3.6A バージョン
を使用する場合は、高 dv/dt によってサージ /ESD 回路が不必要
に起動することを避けるため、4.7μF 以上の容量性負荷を推奨
します。
連続電流定格
ISL6186 ファミリには、VIN = 5V で規定された連続電流定格
の製品が複数用意されています。具体的には 1.5A、3A、3.6A
の各オプションであり、全温度範囲に対応しています。VIN =
3.3V では電流容量が低下し、ISL6186 ファミリの仕様は 1.5A
と 3A になります。VIN = 2.5V の場合の仕様は定められてい
ませんが、仕様表には +25 ℃での動作における参考として代
表値が記載されています。この容量低下は、バイアス電圧が
低くなるとFETスイッチのrDS(ON) が増加することが原因です。
熱特性が強化され、ボンディング・ワイヤが多い 10 Ld DFN
パッケージは、8 Ld SOIC パッケージや 8 Ld DFN パッケージ
よりも大電流に対応できます。
FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
表 2. ISL6186XEVAL1Z ボードの部品リスト
部品名
部品の機能
部品の説明
U1
ISL6186
Intersil、ISL6186
R1
出力負荷抵抗
5.1Ω、5%、3W
R2
FLT 出力プルアップ抵抗
10kΩ、0805
R3
* ISL61863EVAL1Z のみ
PGD 出力プルアップ抵抗
10kΩ、0805
C1
デカップリング・コンデンサ
ISL61862EVAL1Z では 2.2μF
ISL61861EVAL1Z と ISL61863EVAL1Z では
33μF
C2
負荷コンデンサ
10μF 16V 電解コンデンサ、放射状リード線
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FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
改訂履歴
この改訂履歴は参考情報として掲載するものであり、正確を期すように努めていますが、内容を保証するものではありません。
最新のデータシートについてはインターシルのウェブサイトをご覧ください。
日付
レビジョン
変更点
2011/10/17
FN7698.2
ISL61861AEVAL1Z、ISL61862HEVAL1Z、ISL61863LEVAL1Z を
ISL61861EVAL1Z、ISL61862EVAL1Z、ISL61863EVAL1Z に変更
2011/9/1
FN7698.1
初版をウェブに掲載
製品
インターシルは、高性能アナログ、ミクストシグナルおよびパワーマネジメント半導体の設計、製造で世界をリードする企業
です。インターシルの製品は、産業用機器、インフラ、パーソナル・コンピューティング、ハイエンド・コンシューマの分野
で特に急速な成長を遂げている市場向けに開発されています。製品ファミリの詳細は、www.intersil.com/product_tree/ をご覧
ください。
*ISL6186 に関するアプリケーション情報、関連ドキュメント、関連部品は、www.intersil.com 内の ISL6186 のページを参照し
てください。
本データシートに関するご意見は www.intersil.com/askourstaff へお寄せください。
信頼性に関するデータは rel.intersil.com/reports/search.php を参照してください。
そのほかの製品については www.intersil.com/product_tree/ を参照してください。
インターシルは、www.intersil.com/design/quality/ に記載の品質保証のとおり、
ISO9000 品質システムに基づいて、製品の製造、組み立て、試験を行っています。
インターシルは、製品を販売するにあたって、製品情報のみを提供します。インターシルは、いかなる時点においても、予告なしに、回路設計、ソフ
トウェア、仕様を変更する権利を有します。製品を購入されるお客様は、必ず、データシートが最新であることをご確認くださいますようお願いいた
します。インターシルは正確かつ信頼に足る情報を提供できるよう努めていますが、その使用に関して、インターシルおよび関連子会社は責を負いま
せん。また、その使用に関して、第三者が所有する特許または他の知的所有権の非侵害を保証するものではありません。インターシルおよび関連子会
社が所有する特許の使用権を暗黙的または他の方法によって与えるものではありません。
インターシルの会社概要については www.intersil.com をご覧ください。
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FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
パッケージ寸法図
L8.3x3J
8 LEAD DUAL FLAT NO-LEAD PLASTIC PACKAGE
Rev 0, 9/09
2X 1.950
3.00
B
0.15
5
8
3.00
(4X)
6X 0.65
A
1.64 +0.10/ - 0.15
6
PIN 1
INDEX AREA
4
PIN #1 INDEX AREA
1
4
8X 0.30
8X 0.400 ± 0.10
上面図
6
0.10 M C A B
2.38
+0.10/ - 0.15
底面図
SEE DETAIL "X"
( 2.38 )
( 1.95)
0.10 C
Max 1.00
C
0.08 C
側面図
( 8X 0.60)
(1.64)
( 2.80 )
PIN 1
C
0 . 2 REF
5
(6x 0.65)
0 . 00 MIN.
0 . 05 MAX.
( 8 X 0.30)
推奨ランドパターンの例
"X" の詳細
NOTE:
1. 寸法の単位は mm です。
( ) 内の寸法は参考値です。
2. 寸法と公差は AMSE Y14.5m-1994 に従っています。
3. 特記のない限り、公差は DECIMAL ± 0.05 です。
4. 寸法は金属端子に適用され、端子先端から 0.15mm ~ 0.30mm の
ポイントで計測した値です。
5. タイバー ( 示されている場合 ) は非機能性です。
6. 1 ピンの識別子はオプションですが、表示されているゾーン内に
配置されます。1 ピンの識別子はモールドまたはマーキングで示
されます。
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FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
パッケージ寸法図
L10.3x3
10 LEAD DUAL FLAT PACKAGE (DFN)
Rev 6, 09/09
3.00
6
PIN #1 INDEX AREA
A
B
1
6
PIN 1
INDEX AREA
(4X)
3.00
2.00
8x 0.50
2
10 x 0.23
4
0.10
1.60
上面図
10x 0.35
底面図
4
(4X)
0.10 M C A B
0.415
PACKAGE
OUTLINE
0.200
0.23
0.35
(10 x 0.55)
SEE DETAIL "X"
(10x 0.23)
1.00
MAX
0.10 C
BASE PLANE
2.00
0.20
C
SEATING PLANE
0.08 C
側面図
(8x 0.50)
C
0.20 REF
5
1.60
0.05
推奨ランドパターンの例
"X" の詳細
NOTE:
1. 寸法の単位は mm です。
( ) 内の寸法は参考値です。
2. 寸法と公差は AMSE Y14.5m-1994 に従っています。
3. 特記のない限り、公差は DECIMAL ± 0.05 です。
4. リード幅は金属端子に適用され、端子先端から 0.18mm ~
0.30mm のポイントで計測した値です。
5. タイバー ( 示されている場合 ) は非機能性です。
6. 1 ピンの識別子はオプションですが、表示されているゾーン内
に配置されます。1 ピンの識別子はモールドまたはマーキング
で示されます。
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FN7698.2
2011 年 11 月 3 日
ISL6186
パッケージ寸法図
M8.15
8 LEAD NARROW BODY SMALL OUTLINE PLASTIC PACKAGE
Rev 3, 3/11
詳細図 "A"
1.27 (0.050)
0.40 (0.016)
INDEX
6.20 (0.244)
5.80 (0.228)
AREA
0.50 (0.20)
x 45°
0.25 (0.01)
4.00 (0.157)
3.80 (0.150)
1
2
8°
0°
3
0.25 (0.010)
0.19 (0.008)
側面図 "B"
上面図
2.20 (0.087)
SEATING PLANE
5.00 (0.197)
4.80 (0.189)
1.75 (0.069)
1.35 (0.053)
1
8
2
7
0.60 (0.023)
1.27 (0.050)
3
6
4
5
-C-
1.27 (0.050)
0.25(0.010)
0.10(0.004)
0.51(0.020)
0.33(0.013)
5.20(0.205)
側面図 "A"
推奨ランドパターンの例
NOTE:
1. 寸法と公差は ANSI Y14.5M-1982 に従っています。
2. パッケージ長にモールドのバリ、突出部、ゲートのバリは含まれません。
モールドのバリ、突出部、ゲートのバリは各側面で 0.15mm (0.006 インチ )
を超えないものとします。
3. パッケージ幅にリード間のバリや突出部は含まれません。リード間のバリ
や突出部は各側面で 0.25mm (0.010 インチ ) を超えないものとします。
4. 本体上の面取はオプションです。面取が存在しない場合、ビジュアルイン
デックスは斜線の領域内に配置されます。
5. 端子番号は参考用です。
6. シーティングプレーン上で 0.36mm (0.014 インチ ) 以上のリード幅は、最大
値が 0.61mm (0.024 インチ ) を超えないものとします。
7. 優先単位はミリメートルです。インチに変換された値は必ずしも正確では
ありません。
8. この寸法図は、JEDEC が発行した MS-012-AA ISSUE C に従っています。
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2011 年 11 月 3 日