2sc4388 ds jp

2SC4388
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1673とコンプリメンタリ)
V
ICBO
VCB＝200V
10max
μA
VCEO
180
V
IEBO
VEB＝6V
10max
μA
6
V
V(BR)CEO
IC＝50mA
180min
15
A
hFE
V
20typ
MHz
fT
150
℃
COB
−55∼＋150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
300typ
VCB＝10V, f＝1MHz
pF
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
4
10
10
–5
1
–1
0.5max
1.8max
0.6max
I C =10A
5A
2
3
0
4
0
0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1.0
1.5
0
2.0
1
2
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
300
度）
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
ース温
5
）
温度
）
10
˚C （ ケ
1
I B =20mA
1
E
−30
50mA
2
ース
100 mA
0
製品質量 約6.5g
イ．品名
ロ．ロット番号
(V CE =4V)
（ケ
コレクタ電流 I C (A)
20 0m A
0
3.35
A
10
5
C
5˚C
300m
0.65 +0.2
-0.1
15
3
A
1.5
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
12
0m
4.4
B
コレクタ電流 I C (A)
50
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
1A
7
A
+0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
V CE ( sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
0.8
2.15
5.45±0.1
VCC
(V)
m
00
1.75
1.05
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
15
5.5
3.0
2.0max
VCE(sat)
3.45 ±0.2
3.3
IC＝5A, IB＝0.5A
VCE＝12V, IE＝−0.5A
A
W
5.5±0.2
ø3.3±0.2
イ
ロ
温度
Tstg
50min※
85(Tc＝25℃)
Tj
V
VCE＝4V, IC＝3A
ース
PC
15.6±0.2
C（ケ
4
IB
単位
25˚
IC
試 験 条 件
23.0±0.3
VEBO
記 号
0.8±0.2
200
1.6
単 位
VCBO
記 号
外形図 FM100(TO3PF)
(Ta＝25℃)
規格値
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
16.2
■絶対最大定格
用途： オーディオ、一般用
(V C E =4V)
3
200
100
Typ
100
50
20
0.02
0.1
0.5
1
5
25 ˚C
50
– 30 ˚C
20
0.02
10 15
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
10 15
1
0.5
0.1
1
10
f T – I E 特性（代表例 ）
100
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
30
40
100
10
10
Typ
10
m
0m
s
s
80
熱
板
付
放熱板なし
自然空冷
放
1
0.5
60
大
10
5
限
コレクタ電流 I C (A)
20
無
遮断周波数 f T (MH Z )
DC
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
40
20
0.1
0
–0.02
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
–10
0.05
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
103