2SC4468 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1695とコンプリメンタリ) V IEBO VEB=6V 10max μA 6 V V(BR)CEO IC=50mA 140min 10 A hFE 50min※ IC=5A, IB=0.5A 0.5max V 20typ MHz VCB=10V, f=1MHz 250typ pF VCE(sat) 100(Tc=25℃) W fT Tj 150 ℃ COB −55∼+150 ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) 5.45±0.1 VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) 60 12 5 10 –5 0.5 –0.5 0.24typ 0.40typ 8 20mA 2 1 2 I C =10A I B =10mA 5A 0 0 1 2 3 0 4 0 0.5 1.0 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 1.5 (V C E =4V) 3 Typ 50 0.1 0.5 1 5 10 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W) 直流電流増幅率 h FE 300 100 125 ˚C 25 ˚C 100 – 30 ˚C 50 20 0.02 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 5 10 1 0.5 0.1 1 10 100 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代 表 例 ) 2 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) 200 1 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 20 0.02 0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性(代表例 ) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) P c – Ta定 格 (V CE =12V) 100 30 40 3m s 10 放 熱 板 50 付 コレクタ電流 I C (A) 大 遮断周波数 f T (MH Z ) 限 0.5 無 s ms 1 10 0 –0.02 0m 20 DC 5 10 Typ 10 30 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h F E 0 2.0 度) 4 ース温 4 6 温度 ) 温度 ) 50 mA 2 ース 75 m A 6 (ケ A 5˚C 100m (V CE =4V) 10 3 mA 1.4 E I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) 12 150 8 コレクタ電流 I C (A) 4.32typ C 製品質量 約6.0g イ.品名 ロ.ロット番号 コレクタ電流 I C (A) mA コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) A 0m 40 30 tf (μs) V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) I C – V CE 特性(代表 例 ) 0 20 tstg (μs) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B ton (μs) A 0m 2 3 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) 10 ø3.2±0.1 ˚C ( ケ Tstg 2.0±0.1 ロ VCE=12V, IE=−0.5A A PC イ 4.8±0.2 −30 4 IB V VCE=4V, IC=3A ース VEBO 15.6±0.4 9.6 1.8 μA 5.0±0.2 10max C(ケ 140 VCB=200V 25˚ VCEO ICBO 2.0 V 単位 4.0 200 規格値 19.9±0.3 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta=25℃) 試 験 条 件 記 号 4.0max 単 位 IC ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途: オーディオ、一般用 放熱板なし 自然空冷 –0.1 –1 エミッタ電流 I E (A) –10 0.1 3 5 10 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 109