シングル N チャンネル MOSFET ELM53402CA-S ■概要 ■特長 ELM53402CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3.6A ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds 20 V ゲート - ソース電圧 Vgs ±12 3.6 2.0 V 10 1.25 0.80 A Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 (Tj=150℃ ) Id パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A W - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN � � 5-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM53402CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 20 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=16V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V Ta=85℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 0.3 Vgs=4.5V, Vds=5V 6 Vgs=2.5V, Vds=5V Vgs=4.5V, Id=2.4A 4 Rds(on) Vgs=2.5V, Id=2.0A Vgs=1.8V, Id=1.8A Gfs Vds=5V, Id=3.6A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Is=1.6A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=3.6A td(on) Vgs=4.5V, Vds=10V tr RL=2.8Ω, Id=3.6A td(off) Rgen=1Ω tf 5-2 V 1 10 μA ±100 nA 0.8 V A 56 70 66 86 10 80 100 0.85 1.20 1.6 mΩ S V A 340 pF 115 33 pF pF 4.2 0.6 0.4 5.0 nC nC nC 8 8 25 15 15 40 ns ns ns 8 15 ns AFN3414A Alfa-MOS 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET Technology ELM53402CA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B July 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN3414A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM53402CA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B July 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN3414A Alfa-MOS 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル N チャンネル MOSFET ELM53402CA-S Typical■テスト回路と波形 Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B July 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5