elm3f401ja

シングル P チャンネル MOSFET
ELM3F401JA-S
■概要
■特長
ELM3F401JA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-8A
・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
最大許容損失
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
-30
±20
-8.0
V
V
-6.3
A
4
3
Idm
Ias
-80
-29
A
A
Eas
42
2.0
1.2
mJ
-55 ～ 150
℃
Pd
Tj, Tstg
W
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
Rθjc
Rθja
■端子配列図
7
6
5
•
1
2
Max.
単位
備考
6
62
℃/W
℃/W
5
■回路
PDFN-3x3(TOP VIEW)
8
Typ.
3
4
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM3F401JA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
Rds(on)
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
23
Vds=-5V, Id=-9A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=-9A, Vgs=0V
総ゲート電荷 (Vgs=-4.5V)
ゲート - ソース電荷
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
-1.5
15
23
Gfs
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (Vgs=-10V)
-1.0
-80
Vgs=-10V, Id=-9A
Vgs=-4.5V, Id=-7A
順方向相互コンダクタンス
動的特性
入力容量
出力容量
V
Vds=-24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-30
Vds=-15V, Id=-9A
-100
-3.0
20
35
-1
-25
μA
nA
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
4
1300
212
pF
pF
200
2.8
pF
Ω
29.4
nC
2
15.6
3.8
nC
nC
2
2
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
7.8
20
12
nC
ns
ns
2
2
2
ターン ・ オフ遅延時間
td(off) Id=-9A, Rgen=6Ω
55
ns
2
36
14.3
4.2
ns
ns
nC
2
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
tf
trr
Qrr
If=-9A, dlf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. パッケージの制限電流は 30A です。
5. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンスと 1in2 銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されていま
す。 またアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存します。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode P2003EEAA
ELM3F401JA-S
PDFN 3x3P
Field Effect Transistor
Halogen-Free & Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
NIKO-SEM
Output Characteristics
24
VGS=-3.5V
18
12
VGS=-2.5V
6
0
24
18
12
25�
�
6
0
0
1
2
3
4
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
5
0
1
-20�
�
2
3
4
1400
6
4
1200
CISS
1000
800
600
400
2
COSS
CRSS
200
0
0.04
5
Capacitance Characteristic
1600
VDS=-15V
ID =-9A
8
�
125�
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
10
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS=-10V







Transfer Characteristics
30
C , Capacitance(pF)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
30
0
6
12
18
24
Qg , Total Gate Charge(nC)
0
30
On-Resistance VS Gate-To--Source
0
5
10
15
20
25
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
30
On-Resistance
Resistance VS Drain Current
0.1
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.035
0.03
VGS=-4.5V
0.025
0.02
VGS=-10V
0.015
0.01
0.005
0
0
6
12
18
24
0.06
0.04
0.02
0
30
-VGS, Gate-To-Source
Source Voltage(V)
REV 0.9
0.08
ID=-9A
2
4
6
8
10
-ID , Drain-To--Source Current(A)
3
4-3
Oct-05-2011
シングル P チャンネル MOSFET
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode
ELM3F401JA-S
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
1.8
-IS , Source Current(A)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
PDFN 3x3P
Halogen-Free & Lead-Free
On-Resistance VS Temperature
2.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.4
10
125�
�
25�
�
1
VGS=-10V
ID=-9A
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
150
0.0
0.2
0.4
Safe Operating Area
1.0
1.2
1.4
50
10
1
0.8
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Power(W)
100
0.6
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
TJ , Junction Temperature(˚C)
Single Pulse
RJA = 62˚C/W
TA=25˚C
40
30
1ms
Operation in This
Area is Limited by
RDS(ON)
10ms
20
100ms
NOTE :
1.VGS= -10V
2.TA=25˚C
3.RJA = 62˚C/W
4.Single Pulse
0.1
0.01
0.1
1
10
0
0.001
100
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Resistance
10
DC
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
10
r(t) , Normalized Effective
-ID , Drain Current(A)
P2003EEAA
1
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
Notes
0.1
0.05
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 62 �/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.02
0.01
single pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
4
4-4
10
100
Oct-05-2011