コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35603KA-S ■概要 ■特長 ELM35603KA-S は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=10A Id=-7A ・ Rds(on) < 22mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 33mΩ(Vgs=-10V) Vds=-40V ・ Rds(on) < 33mΩ(Vgs=7V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 連続ドレイン電流 記号 Vds Vgs Ta=25℃ N-ch (Max.) 40 ±20 -7.0 8.5 50 -6.0 -50 3.0 2.1 -55 ~ 150 3.0 2.1 -55 ~ 150 Idm パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 最大許容損失 Pd Tj,Tstg 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -40 V ±20 V 10.0 Id Ta=70℃ Rds(on) < 40mΩ(Vgs=-7V) A A 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja Device N-ch 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja 最大接合部 - ケース Rθjc Max. 42 単位 ℃/W N-ch P-ch 6 42 ℃/W ℃/W P-ch 6 ℃/W ■端子配列図 Typ. 備考 ■回路 TO-252-4(TOP VIEW) ・ N-ch 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE1 GATE1 3 4 TAB SOURCE2 GATE2 DRAIN1/DRAIN2 7- 1 ・ P-ch D2 D1 G2 G1 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35603KA-S ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 40 Vds=32V, Vgs=0V 1 10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=30V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.2 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=10A Rds(on) Vgs=7V, Id=7A Gfs Vds=10V, Id=10A Vsd If=10A, Vgs=0V 50 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 Qg Qgs ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Vgs=0V, Vds=10V f=1MHz μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 2.0 3.0 19 22 25 25 33 1.2 V A 1 mΩ 1 S V 1 1 1145 1450 pF 253 355 pF 94 142 pF 23.0 3.6 nC nC 2 2 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=20V 3.0 3.2 6.4 10.8 21.7 nC ns ns 2 2 2 td(off) Id=1A, Rgen=6Ω tf trr If=10A, dlf/dt=100A/μs 17.1 30.8 5.3 10.7 60 ns ns ns 2 2 Vgs=10V, Vds=20V Id=10A Qrr 43 備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2% 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1% 7- 2 nC NIKO-SEM P2204ND5G N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET TO-252-5 Field Effect Transistor ELM35603KA-S Lead-Free ■標準特性曲線 (N-ch) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS= 0V T A = 125°C Is - Reverse Drain Current(A) 10 25°C 1 -55°C 0.1 0.01 0.001 4 7- 3 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 May-03-2006 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM35603KA-S Field Effect Transistor 7- 4 5 P2204ND5G TO-252-5 Lead-Free May-03-2006 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35603KA-S ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -40 Vds=-32V, Vgs=0V -1 -10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-30V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.2 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-7A Rds(on) Vgs=-7V, Id=-5A Gfs Vds=-10V, Id=-7A Vsd If=-7A, Vgs=0V -50 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 Qg Qgs ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V Vgs=0V, Vds=-10V f=1MHz μA ±100 nA -2.0 -3.0 V 28 33 32 18 40 -1.2 A 1 mΩ 1 S V 1 1 1000 1260 pF 450 625 pF 108 163 pF 20.0 3.2 nC nC 2 2 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-20V 2.7 9.7 19.4 14.0 28.1 nC ns ns 2 2 2 td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf trr If=-7A, dlf/dt=100A/μs 28.7 51.6 17.8 32.2 80 ns ns ns 2 2 Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-7A Qrr 75 備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2% 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 7- 5 nC NIKO-SEM P2204ND5G N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET TO-252-5 Lead-Free Field Effect Transistor ELM35603KA-S ■標準特性曲線 (P-ch) -Is - Reverse Drain Current(A) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS= 0V 10 1 0.1 7- 6 25°C -55°C 0.01 0.001 0 6 TA = 125°C 0.8 1.0 1.2 0.2 0.4 0.6 -VSD- Body Diode Forward Voltage(V) 1.4 May-03-2006 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM35603KA-S Field Effect Transistor 7 7- 7 P2204ND5G TO-252-5 Lead-Free May-03-2006