コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14604AA-N ■概要 ■特長 ELM14604AA-N は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=6.9A(Vgs=10V) ・ Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Id=-5A(Vgs=-10V) Rds(on) < 52mΩ(Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 87mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 項目 ドレイン - ソース電圧 記号 N-ch (Max.) Vds 30 -30 V ゲート - ソース電圧 Vgs ±20 6.9 5.8 ±20 -5.0 -4.2 V A 1 30 2.00 1.44 -20 2.00 1.44 A 2 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj,Tstg W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t ≦ 10s 定常状態 Rθja 最大接合部 - リード 定常状態 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード Typ. 48.0 74.0 Max. 62.5 110.0 単位 ℃/W ℃/W 備考 Rθjl 35.0 40.0 ℃/W 3 t ≦ 10s 定常状態 Rθja 48.0 74.0 62.5 110.0 ℃/W ℃/W 1 定常状態 Rθjl 35.0 40.0 ℃/W 3 ■端子配列図 チャンネル N-ch P-ch 1 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 4 5 6 GATE1 DRAIN1 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D2 G2 D1 G1 S2 S1 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14604AA-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 0.004 1.000 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Ta=55℃ 5.000 100 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 20 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=10V, Id=6.9A Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=5.0A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 Crss Rg V Vds=5V, Id=6.9A Is=1A 10.0 1.9 3.0 μA nA V A 22.5 31.3 28.0 38.0 mΩ 34.5 42.0 15.4 0.76 Is 680 1.00 S V 3 A 820 pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 102 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 77 3.0 pF Ω 3.6 スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qg Qg Qgs Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A 13.84 17.00 nC 6.74 8.10 nC 1.82 nC Qgd td(on) 3.20 4.6 nC ns tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf 4.1 20.6 5.2 ns ns ns trr Qrr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 16.5 7.8 20.0 ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 2 AO4604 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14604AA-N N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS ■標準特性曲線 (N-ch) 20 30 10V 25 6V 5V 4.5V 12 15 Id (A) Id (A) 20 3.5V 8 10 125°C Vgs=3V 5 4 0 0 1 2 3 4 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 1.6 Normalized On-Resistance 60 50 Rds(on) (m� ) 25°C 0 5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=4.5V 40 30 Vgs=10V 20 Vgs=10V Id=5A 1.5 1.4 Vgs=4.5V 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 10 0 5 10 15 0 20 50 100 150 200 Temperature ( °C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature Id (Amps) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 70 1.0E+01 1.0E+00 Is Amps Id=5A 60 Rds(on) (m� ) Vds=5V 16 4V 50 125°C 40 1.0E-01 1.0E-02 125°C 1.0E-03 30 25°C 1.0E-04 25°C 20 1.0E-05 0.0 10 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 3 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body diode characteristics 1.0 AO4604 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14604AA-N N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 f=1MHz Vgs=0V 900 800 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1000 Vds=15V Id=6.9A 6 4 2 700 Ciss 600 500 400 300 200 Coss 100 0 0 2 4 6 8 10 12 Crss 0 14 0 5 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge characteristics 100 10ms 1s DC 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 0 0.001 Vds (Volts) 10 30 10 10s 0.1 25 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 30 10�s 0.1s 1 20 40 Power W Id (Amps) 100�s 1ms 10 15 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max.)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 10 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 1 0.1 Pd Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 4 100 1000 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14604AA-N ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss -30 -1 Vds=-24V Vgs=0V Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±20V -5 ±100 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V -20 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Vgs=-10V Rds(on) Id=-5A Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-4A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 Crss Rg V Vds=-5V, Id=-5A Is=-1A, Vgs=0V 6.0 -1.8 f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz nA V A 39 54 52 70 67 87 8.6 -0.77 -1.00 Is Vgs=0V, Vds=-15V -3.0 μA 700 mΩ S V -2.8 A 900 pF 120 pF 75 10 pF Ω 15 スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qg Qg Qgs Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-5A Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs If=-5A, dlf/dt=100A/μs 14.7 7.6 2.0 19.0 10.0 nC nC nC 3.8 8.3 nC ns 5.0 29.0 14.0 ns ns ns 23.5 13.4 30.0 ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 5 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4604 ELM14604AA-N ■標準特性曲線 (P-ch) P-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 20 -10V -6V -4.5V 15 Vds=-5V 8 -4V 10 -Id (A) -Id (A) 10 -5V -3.5V Vgs=-3V 5 6 4 125°C 2 25°C -2.5V 0 0.00 0 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 0 1 3 4 1.60E+00 80 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 100 Vgs=-4.5V 60 Vgs=-10V 40 20 Vgs=-4.5V 1.40E+00 Vgs=-10V 1.20E+00 1.00E+00 Id=-5A 8.00E-01 1 3 5 7 9 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 160 140 1E+00 Id=-5A 120 1E-01 100 1E-02 -Is (A) Rds(on) (m� ) 2 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Figure 1: On-Region Characteristics 125°C 80 125°C 1E-03 25°C 1E-04 60 25°C 40 1E-05 1E-06 20 2 4 6 8 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 0.0 7- 6 1.2 AO4604 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14604AA-N P-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 1000 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 1200 Vds=-15V Id=-5A 6 4 2 Ciss 800 600 400 Coss 200 0 0 2 4 6 8 10 12 14 Crss 0 16 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10ms 10s 0.1 1 DC Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 -Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 30 10 1s 0.1 25 30 100�s 0.1s 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10�s 1ms 1 15 40 Rds(on) limited 10 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 7 100 1000