单 N 沟道 MOSFET ELM14430AA-N ■概要 ■特点 ELM14430AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=18A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 5.5mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 7.5mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流(定常) 30 ±20 18 15 80 Id 漏极电流(脉冲) Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 V V A 1 A 2 Pd 3.0 2.1 W Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 备注 31 40 ℃/W 59 16 75 24 ℃/W ℃/W 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM14430AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 30 1 Ta=55℃ 5 100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 80 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Vgs=10V Rds(on) Id=18A Gfs Vsd V Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=15A Vds=5V, Id=18A Is=1A, Vgs=0V 1.8 2.5 μA nA V A 4.7 5.5 6.5 8.0 6.2 82 0.7 7.5 Is mΩ 1.0 S V 4.5 A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 Ciss 4660 6060 7270 pF 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss 425 240 638 355 960 530 pF pF 0.20 0.45 0.90 Ω 80 37 103 48 18 124 58 nC nC nC 栅极电阻 开关特性 Rg 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V, Id=18A 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 15 12.0 8.0 16.0 12.0 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=0.83Ω, Rgen=3Ω tf 51.5 8.8 70.0 14.0 ns ns 33.5 22.0 44.0 30.0 ns nC 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=18A, dlf/dt=100A/μs If=18A, dlf/dt=100A/μs 备注: 1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到 电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM14430AA-N ■标准特性和热特性曲线 60 60 10V Id (A) 40 50 4.5V 3.5V Vds=5V 40 30 Id(A) 50 3.0V 125°C 30 20 20 10 10 Vgs=2.5V 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 1 1.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2.5 3 3.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 7.0 Normalized On-Resistance 1.6 6.5 Rds(on) (m� ) 2 Vgs=4.5V 6.0 5.5 5.0 Vgs=10V 4.5 4.0 3.5 Vgs=4.5V Id=18A 1.4 Vgs=10V 1.2 1 0.8 0 20 40 60 80 100 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+02 16 1.0E+01 1.0E+00 Id=18A Is (A) Rds(on) (m� ) 12 125°C 8 125°C 25°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 4 1.0E-01 1.0E-04 1.0E-05 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 单 N 沟道 MOSFET ELM14430AA-N 10 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 8000 Vds=15V Id=18A 6 4 2 4000 2000 0 0 20 40 60 80 100 Ciss 6000 Crss 0 120 0 5 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 10ms 10.0 Tj(max)=150°C Ta=25°C Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 60 40 0 0.001 Vds (Volts) 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 25 20 0.1 1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 80 1ms 0.1s 0.1 15 100 10�s 1s 10s DC 1.0 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 Coss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000