单 N 沟道 MOSFET ELM14418AA-N ■概要 ■特点 ELM14418AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=11.5A (Vgs=20V) ·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=20V) ·Rds(on) < 17mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 如没有特别注明时, Ta=25℃ 项目 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） 记号 Vds Vgs 规格范围 30 ±25 单位 V V 备注 Id 11.5 9.7 A 1 A 2 Idm Tc=25℃ 容许功耗 40 3.0 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 W 2.1 Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 备注 31 59 16 40 75 24 ℃/W ℃/W ℃/W 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM14418AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±25V 30 1 Ta=55℃ 5 100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.5 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 40 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Vgs=20V Id=11.5A V Ta=125℃ Vgs=10V, Id=10A Vgs=4.5V, Id=5A Vds=5V, Id=10A 3.0 nA V A 9.8 14.0 14.2 18.0 12.3 32.0 22 17.0 40.0 0.76 1.00 4.3 mΩ 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 758 180 pF pF 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg 128 0.7 pF Ω 16.6 8.6 nC nC 2.5 4.9 5.4 nC nC ns 5.1 14.4 ns ns 3.7 16.9 6.6 ns ns nC 开关特性 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Is=1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V, Id=11.5A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=1.3Ω, Rgen=3Ω 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 tf trr Qrr If=11.5A, dlf/dt=100A/μs If=11.5A, dlf/dt=100A/μs 14 2.4 μA S V A 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM14418AA-N ■标准特性和热特性曲线 50 30 10V 45 6V 7V 35 Id (A) 25 Vds=5V 20 5V 30 25 Id(A) 40 3.5V 20 15 125°C 10 15 Vgs=3V 10 5 0 0 1 2 3 4 25°C 5 0 5 2 2.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 4 4.5 5 5.5 1.8 Normalized On-Resistance 40 Vgs=4.5V 35 Rds(on) (m� ) 3.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 45 30 25 20 15 Vgs=10V 10 Vgs=20V 5 0 5 10 15 20 25 Id=10A 1.6 Vgs=20V 1.2 1 0.8 30 0 1.0E+01 50 1.0E+00 Id=10A 50 75 100 125 150 175 1.0E-01 Is (A) 30 25 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 60 40 Vgs=10V 1.4 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Rds(on) (m� ) 3 125°C 125°C 1.0E-02 25°C 1.0E-03 20 1.0E-04 25°C 10 1.0E-05 0 0 5 10 15 0.0 20 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 单 N 沟道 MOSFET ELM14418AA-N 10 1000 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1200 Vds=15V Id=11.5A 6 4 Ciss 800 600 400 2 Coss 200 Crss 0 0 4 8 12 16 0 20 0 5 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 1ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C DC 1 10 100 20 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 30 30 0 0.001 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 25 10 10s 0.1 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 40 10�s Power (W) Id (Amps) 50 10ms Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 15 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 10.0 10 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000