elm14420aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14420AA-N
■概要
■特点
ELM14420AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压，
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=13.7A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 10.5mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 12mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
30
±12
13.7
9.7
60
Id
漏极电流（脉冲）
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
Pd
3.1
2.0
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
28
40
℃/W
54
21
75
30
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
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D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14420AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
0.004
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.6
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
40
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Gfs
Vsd
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=12.7A
Vds=5V, Id=13.7A
Is=1A, Vgs=0V
30
1.1
8.3
10.5
12.5
15.0
9.7
37
0.76
12.0
Is
Ciss
3656
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
256
168
Rg
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
2.0
μA
nA
V
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
1.000
5.000
100
栅极阈值电压
Vgs=10V
Rds(on) Id=13.7A
V
mΩ
1.00
S
V
5
A
4050
pF
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
0.86
1.10
Ω
36.0
Vgs=10V, Vds=15V, Id=13.7A
30.5
4.6
8.6
nC
nC
nC
5.5
3.4
49.8
9.0
7.0
75.0
ns
ns
ns
11.0
28.0
ns
ns
16.0
nC
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=1.1Ω, Rgen=0Ω
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
tf
trr
If=13.7A, dlf/dt=100A/μs
5.9
22.5
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=13.7A, dlf/dt=100A/μs
12.5
备注：
1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到
电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM14420AA-N
■标准特性和热特性曲线
60
30
Vgs=5V
50
25
Vgs =2.5V
20
Id(A)
Id(A)
40
30
20
125°C
15
10
Vgs =2.0V
10
25°C
5
0
0
1
2
3
4
0
5
0.0
0.5
Vds(Volts)
1.5
2.0
2.5
3.0
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 1: On-Regions Characteristics
1.8
12
Normalize ON-Resistance
Id=13.7A
11
Rds(on)(m� )
1.0
Vgs =4.5V
10
9
8
Vgs =10V
7
1.6
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=10V
1.2
1.0
6
0
5
10
15
20
25
30
0.8
0
Id(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
30
1E+01
Id=13.7A
25
20
1E+00
1E-01
125°C
Is(A)
Rds(on)(m� )
25
15
10
1E-02
1E-03
25°C
5
1E-04
0
1E-05
0
2
125°C
4
6
8
10
25°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
单 N 沟道 MOSFET
ELM14420AA-N
5
10000
Vds=15V
Id=13.7A
Ciss
Capacitance (pF)
Vgs(Volts)
4
3
2
1000
Coss
1
Crss
100
0
0
10
20
30
0
40
100
Id(A)
0.1s
1s
1
0.1
1ms
Power (W)
10ms
10s
T j(max) =150°C
Ta =25°C
0.1
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
30
20
10
100
0
0.01
Vds(Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating
Area (Note 5)
10
20
10
DC
1
15
40
100�s
10
10
50
10�s
Rds(on)
limited
5
Vds(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
D=T on/T
Tj,pk =Ta+Pdm.Z�ja .R�ja
R�ja =40°C/W
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
T on
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (S)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedence
4-4
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100
1000