单 N 沟道 MOSFET ELM53406CA-S ■概要 ■特点 ELM53406CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=3.6A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 78mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 60 V ±20 V 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（Tj=150℃） 漏极电流（脉冲） Id 3.6 2.8 A Idm 10 A Tc=25℃ 容许功耗 1.25 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg W 0.80 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja ■引脚配置图 典型值 最大值 120 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 单位 ℃/W 2 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN G S 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM53406CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=48V,Vgs=0V, Ta=85℃ 10 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=48V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 60 Vgs=10V, Id=3.6A Vgs=4.5V, Id=2.8A Vds=15V, Id=3.2A 1.0 6 μA ±100 nA 2.0 V A 55 60 15 70 78 Is=2.5A, Vgs=0V 0.85 1.20 1.6 Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz 400 40 20 mΩ S V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=30V, Id=3.2A 导通延迟时间 Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr RL=12Ω, Id=2.5A td(off) Rgen=1Ω tf Vgs=10V, Vds=30V 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 6.0 1.5 pF pF pF 12.0 nC nC 1.2 8 15 nC ns 10 25 10 20 40 20 ns ns ns AFN2376 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology单 N 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM53406CA-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN2376 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology 单 N 沟道 MOSFETEnhancement Mode MOSFET ELM53406CA-S Typical Characteristics Typical ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN2376 Alfa-MOS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology 单 N 沟道 MOSFET ELM53406CA-S Characteristics ■测试电路和波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。