单 N 沟道 MOSFET ELM51400FA-S ■概要 ■特点 ELM51400FA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=1.0A ·Rds(on) = 430mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 580mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) = 860mΩ (Vgs=1.8V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 30 V ±12 1.0 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A 0.6 Idm 容许功耗 V 6 A 0.35 W 0.22 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 典型值 Rθja ■引脚配置图 最大值 单位 120 ℃ /W ■电路图 D SC-70(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN G S 6-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM51400FA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=4.5V, Id=1.5A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.2A Vgs=1.8V, Id=0.6A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Gfs Vsd 30 V 1 Ta=85℃ Vds=10V, Id=1.0A Is=1.0A, Vgs=0V 5 0.5 1.8 380 500 760 1 0.65 Is Ciss Coss μA ±100 nA 1.0 V A 430 580 860 mΩ 1.20 S V 1.0 A 85 25 pF pF Crss 15 pF Qg 1.4 Qgs Qgd 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 td(on) tr td(off) 关闭下降时间 tf Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=1.2A Vgs=4.5V, Vds=15V RL=20Ω, Id=1.2A, Rgen=1Ω 6-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.8 0.3 0.6 nC nC nC 15 25 15 25 45 25 ns ns ns 10 20 ns AFN1306 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET ELM51400FA-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2011 www.alfa-mos.com Page 3 6-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN1306 Alfa-MOS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET Technology ELM51400FA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2011 www.alfa-mos.com Page 4 6-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN1306 Alfa-MOS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET Technology ELM51400FA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2011 www.alfa-mos.com Page 5 6-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN1306 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology单 N 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM51400FA-S Typical Characteristics ■测试电路和波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A July 2011 www.alfa-mos.com Page 6 6-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。