单 N 沟道 MOSFET ELM16400EA-S ■概要 ■特点 ELM16400EA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=6.9A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 33mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 30 ±12 6.9 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 5.8 35 Idm Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg V V 2.00 1.44 - 55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 1 5 2 最大值 62.5 单位 ℃/W 74.0 37.0 110.0 50.0 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 典型值 47.5 4 3 引脚编号 1 引脚名称 DRAIN 2 3 4 DRAIN GATE SOURCE 5 6 DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM16400EA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 30 1 Ta=55℃ 5 μA 100 nA 1.1 1.4 V A Vgs=4.5V, Id=6A 22.3 31.5 26.8 28.0 39.0 33.0 42.8 15 52.0 0.71 1.00 V 3 A 1030 pF Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V Vgs=10V Id=6.9A 正向跨导 Gfs Vgs=2.5V, Id=5A Vds=5V, Id=5A 二极管正向压降 Vsd Is=1A, Vgs=0V 0.7 35 Ta=125℃ 10 S 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 Ciss 823 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 99 77 1.2 3.6 pF pF Ω 9.60 12.00 nC 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Is mΩ Qg 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=5.8A Qgd td(on) 1.65 3.00 5.5 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=2.7Ω, Rgen=6Ω tf 5.1 37.0 4.2 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=5A, dlf/dt=100A/μs 16.0 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=5A, dlf/dt=100A/μs 8.9 20.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM16400EA-S ■标准特性和热特性曲线 25 20 10V 3V Vds=5V 16 4.5V 2.5V 15 Id(A) Id (A) 20 10 8 125°C Vgs=2V 5 12 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region characteristics 1.5 2 2.5 3 Normalized On-Resistance 1.8 50 Rds(on) (m� ) 1 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 Vgs=2.5V 40 30 Vgs=4.5V 20 Vgs=10V 10 1.6 Vgs=4.5V 1.4 Vgs=10V 1.2 Vgs=2.5V 1 0.8 0 5 10 15 20 0 25 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 70 1.0E+01 60 1.0E+00 1.0E-01 50 Is (A) 125°C 40 30 125 150 175 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 25°C 20 100 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature Id=5A Rds(on) (m� ) 25°C 4 1.0E-05 1.0E-06 10 0 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM16400EA-S 5 1400 Vds=15V Id=6.9A 4 1200 Capacitance (pF) Vgs (Volts) 1000 3 2 1 600 400 Coss Crss 200 0 2 4 6 8 10 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 0 1ms 10ms 10s DC 1 10 100 20 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 0.1 10 25 Vds 15 (Volts) 20 Figure 8: Capacitance Characteristics 10 1s 0.1 10 30 100�s 0.1s 5 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C Rds(on) 10.0 limited 1.0 0 12 Power (W) 0 Id (Amps) Ciss 800 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000