单 P 沟道 MOSFET ELM5E401PA-S ■概要 ■特点 ELM5E401PA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电 ·Vds=-20V 压,低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-0.7A ·Rds(on) = 620mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) = 860mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) = 1450mΩ (Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流(定常) Id Ta=70℃ 漏极电流(脉冲) Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 -20 V ±12 V -0.7 A -0.4 -1.0 A Pd 0.27 0.16 W Tj, Tstg - 55 to 150 ℃ ■引脚配置图 ■电路图 D SOT-523(俯视图) 3 1 2 引脚编号 引脚名称 1 GATE 2 SOURCE 3 DRAIN G S 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM5E401PA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-20V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V -20 -1 Ta=85℃ 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=-4.5V, Id=-0.6A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.5A Vgs=-1.8V, Id=-0.4A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Gfs Vsd V Vds=-10V, Id=-0.4A Is=-0.15A, Vgs=0V -5 -0.4 -0.7 500 700 1000 Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 td(on) tr td(off) 关闭下降时间 tf ±100 nA -1.0 V A 620 860 1450 S V -0.3 A 100 pF pF 70 20 10 Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-0.25A Vgs=-4.5V, Vds=-10V RL=30Ω, Id=-0.2A Rgen=10Ω 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 mΩ 1 -0.65 -1.20 Is Ciss Coss μA 1.0 pF 1.3 0.1 0.3 nC nC nC 10 10 40 15 15 60 ns ns ns 30 50 ns AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 P 沟道 MOSFET ELM5E401PA-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jan. 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 P 沟道 MOSFET ELM5E401PA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jan. 2011 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel 单 P 沟道 MOSFET Technology Enhancement Mode MOSFET ELM5E401PA-S ■测试电路和波形 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jan. 2011 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。