s10121-128q-01 etc kmpd1162j

CMOSリニアイメージセンサ
S10121~S10124シリーズ (-01)
従来品よりも紫外域で高感度
蓄積時間可変機能付き電流出力型センサ
分光光度計用の検出器として設計された自己走査型フォトダイオードアレイです。走査回路は、低消費電力駆動が可能なた
め、取り扱いが容易です。各フォトダイオードの受光面積が大きく、紫外域における高感度となめらかな分光感度特性を特
長としています。
特長
用途
高い紫外感度
分光測光
従来品よりも紫外域で高感度
紫外域におけるなめらかな分光感度特性
画素ごとに蓄積時間を変更可能
広い受光面
画素ピッチ: 50 μm, 25 μm
画素高さ: 2.5 mm, 0.5 mm
大飽和電荷量
構成
型名
画素数
S10121-128Q-01
S10121-256Q-01
S10121-512Q-01
S10122-128Q-01
S10122-256Q-01
S10122-512Q-01
S10123-256Q-01
S10123-512Q-01
S10123-1024Q-01
S10124-256Q-01
S10124-512Q-01
S10124-1024Q-01
128
256
512
128
256
512
256
512
1024
256
512
1024
画素ピッチ
(μm)
画素高さ
(mm)
パッケージ
窓材 *1 *2
質量
(g)
3.0
2.5
3.5
50
3.0
0.5
セラミック
0.5
石英
(t=0.5 mm)
3.5
3.0
3.5
25
2.5
3.0
3.5
*1: 樹脂封止
*2: 屈折率=1.46
浜松ホトニクス株式会社
1
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
絶対最大定格
項目
電源電圧
クロックパルス電圧
スタートパルス電圧
蓄積時間可変パルス
オーバーフローゲート電圧
オーバーフロードレイン電圧
動作温度 *3
保存温度 *3
記号
Vdd
V(CLK)
V(ST)
V(INT)
Vofg
Vofd
Topr
Tstg
条件
Ta=25 °C
Ta=25 °C
Ta=25 °C
Ta=25 °C
Ta=25 °C
Ta=25 °C
定格値
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-5 ~ +65
-10 ~ +85
単位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
*3: 結露なきこと
注 ) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
推奨端子電圧 (Ta=25 °C)
項目
記号
Vdd
電源電圧
クロックパルス電圧
スタートパルス電圧
蓄積時間可変パルス電圧
オーバーフロードレイン電圧
オーバーフローゲート電圧
Highレベル
Lowレベル
Highレベル
Lowレベル
Highレベル
Lowレベル
V(CLK)
V(ST)
V(INT)
Vofd
Vofg
Min.
4.75
Vdd - 0.25
0
Vdd - 0.25
0
Vdd - 0.25
0
0.5
0.17
Typ.
5
Vdd
Vdd
Vdd
2
0.2
Max.
5.25
Vdd + 0.25
0.4
Vdd + 0.25
0.4
Vdd + 0.25
0.4
2.5
0.23
単位
V
V
V
V
V
V
2
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
電気的特性 [Ta=25 °C, Vdd=5 V, Vb=Vofd=2 V, Vofg=0.2 V]
項目
クロックパルス S10121/S10124シリーズ
周波数
S10122/S10123シリーズ
データレート
S10121-128Q-01
S10121-256Q-01
S10121-512Q-01
S10122-128Q-01
S10122-256Q-01
S10122-512Q-01
4
消費電力*
S10123-256Q-01
S10123-512Q-01
S10123-1024Q-01
S10124-256Q-01
S10124-512Q-01
S10124-1024Q-01
S10121-128Q-01
S10122-128Q-01
S10121-256Q-01
S10122-256Q-01
S10121-512Q-01
ビデオライン容量 S10122-512Q-01
(Vb=2 V)*5
S10123-256Q-01
S10124-256Q-01
S10123-512Q-01
S10124-512Q-01
S10123-1024Q-01
S10124-1024Q-01
記号
f(CLK)
DR
P
Min.
10 k
10 k
-
Typ.
f(CLK)
0.75
1.75
4.25
1.5
3.5
8.25
3.25
7.25
18.25
1.75
3.75
8.25
Max.
250 k
500 k
-
-
10
-
-
14
-
-
22
-
-
13
-
-
19
-
-
32
-
Cv
単位
Hz
Hz
mW
pF
*4: f(CLK)=250 kHz (S10121/S10124シリーズ), 500 kHz (S10122/S10123シリーズ)
*5: Vbは電流積分方式の読み出し回路におけるチャージアンプの非反転入力端子の電圧 [読み出し回路例 (P.8)を参照]
電気的および光学的特性 [Ta=25 °C, Vdd=5 V, Vb=Vofd=2 V, Vofg=0.2 V, f(CLK)=200 kHz]
項目
感度波長範囲
最大感度波長
暗電流
飽和出力電荷量
飽和露光量*6
感度不均一性*6 *7 *8
S10121 シリーズ
S10122 シリーズ
S10123 シリーズ
S10124 シリーズ
S10121 シリーズ
S10122 シリーズ
S10123 シリーズ
S10124 シリーズ
記号
λ
λp
ID
Qsat
Esat
PRNU
Min.
110
22
11
55
-
Typ.
200 ~ 1000
750
0.1
0.02
0.02
0.1
165
32
14
75
580
-
Max.
0.6
0.12
0.12
0.6
±3
単位
nm
nm
pA
pC
mlx・s
%
*6: 2856K、タングステンランプ
*7: 感度不均一性は、飽和の50%の露光量の均一光を当てた場合に次のように定義します。
PRNU= ∆X/X × 100 (%)
X: 全画素の出力の平均, ∆X: 最大または最小出力とXとの差
*8: スタート画素と最終画素を除く
3
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
分光感度特性 (代表例)
紫外域の分光感度特性 (代表例)
(Ta=25 °C)
0.4
(Ta=25 °C)
0.12
S10121ȡS10124ΏςȜΒ (-01)ġ
0.10
਋࢕ۜഽ (A/W)
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.3
0.2
0.08
0.06
0.04
ਲြ຦
0.1
0.02
0
200
400
600
800
1000
0
200
1200
෨ಿ (nm)
220
240
260
280
෨ಿ (nm)
KMPDB0442JA
紫外域の感度バラツキ (代表例)
਋࢕ۜഽ (A/W)
KMPDB0443JA
ブロック図
(Ta=25 °C)
0.12
0.10
300
CLK
Typ.
ୋ຦1
ୋ຦2
ୋ຦3
ST
ΏέΠτΐΑΗ
EOS
INT
ͺΡτΑΑͼΛΙͺτͼ
0.08
Active Video
Dummy Video
Vdd
0.06
GND
Vofd
Vofg
0.04
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡͺτͼ
΂ȜΨȜέυȜΡτͼϋ
KMPDC0232JC
0.02
0
200
220
240
260
280
300
෨ಿ (nm)
KMPDB0444JA
紫外域の受光感度は製品によってバラツキがあります。
4
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
等価回路
ST
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
C
Q
C
Q
C
Q
C
Q
EOS
CLK
INT
Active Video
1ْள࿒
2ْள࿒
डਞْள
Dummy Video
KMPDC0279JB
5
CMOSリニアイメージセンサ
S10121~S10124シリーズ (-01)
1画素の出力波形 (S10124-1024Q-01)
f(CLK)=250 kHz, Cf=15 pF, G=1
CLK
5 V/div.
GND
4.7 V (཈გ੄ႁഩ‫ك‬ၾ=70 pC)
Video
1 V/div.
1 μs/div.
GND
f(CLK)=10 kHz, Cf=15 pF, G=1
CLK
5 V/div.
GND
4.7 V (཈გ੄ႁഩ‫ك‬ၾ=70 pC)
Video
1 V/div.
20 μs/div.
GND
6
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
タイミングチャート
CLK
tpi(ST), ಇୟশ‫ۼ‬
ST
INT
Active Video
(ခ࢘‫)ۼܢ‬
EOS
‫ڐ‬ఱ଎
डਞْள
1st 2nd 3rd 4th
tf(CLK)
1st 2nd 3rd 4th
tr(CLK)
CLK
1/f(CLK)
tr(ST)
ST
t(ST-CLK)
tf(ST)
t(CLK-ST)
t(INT-CLK)
t(CLK-INT)
ْளͬඋ͙੄̯̞̈́ાࣣ͉INTͬHigh̳ͥͅ
INT
tr(INT)
Active Video (ခ࢘‫)ۼܢ‬
1st
2nd
tf(INT)
3rd
4th
5th
SȚHigh͈‫ۼܢ‬ಎͅCLKͬ1ഽ̺̫High̥ͣLowͅၛ̻‫̞̯̺̩̬̀ئ‬ȃ
ಇୟশ‫͉ۼ‬ΑΗȜΠΩσΑ‫̳ͤ͘͘ࠨ́ڞۼ‬ȃ
Dummy Video੄ႁ̥͉ͣΑͼΛΙϋΈΦͼΒ଼໦͈͙̦੄ႁ̯̳ͦ͘ȃ
ഩၠୟ໦༷৆͈ાࣣ͉ͅDummy Video੄ႁ͉ঀဥ̵̱ͭ͘ȃ
INT૞࣢͉EOS͂ষ͈ST૞࣢͈ၛ̻ષ̦͈ͤ‫͉́ۼ‬ຈါ̵̜ͤͭ͘ȃ
KMPDC0249JD
項目
記号
*
S1012 -128Q-01
S1012*-256Q-01
スタートパルス (ST) 周期
tpi(ST)
S1012*-512Q-01
S1012*-1024Q-01
INT パルス上昇/下降時間
tr(INT), tf(INT)
INT パルス-クロックパルスタイミング
t(INT-CLK)
クロックパルス- INT パルスタイミング
t(CLK-INT)
スタートパルス上昇/下降時間
tf(ST), tr(ST)
クロックパルスデューティ比
クロックパルス上昇/下降時間
tf(CLK), tr(CLK)
クロックパルス-スタートパルスタイミング
t(CLK-ST)
スタートパルス-クロックパルスタイミング
T(ST-CLK)
Min.
130/f(CLK)
258/f(CLK)
514/f(CLK)
1026/f(CLK)
0
30
30
0
40
0
20
20
Typ.
20
20
50
20
-
Max.
30
1 / [2 × f(CLK)]
1 / [2 × f(CLK)]
30
60
30
-
単位
s
ns
ns
ns
ns
%
ns
ns
ns
7
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
電流積分方式の読み出し回路例とタイミングチャート例
読み出し回路例
CLK
ST
MST
INT
PLD
MCLK
Reset
Clamp
Trigger
SD210DE
Reset
S10121ȡS10124ΏςȜΒ
CLK
CLK
ST
ST
INT
INT
Vofg
Vofg
Vofd
Vofd
Vdd
EOS
22 kΩ
5V
EOS
3.9 kΩ
1.5 kΩ
3 kΩ
3.3 kΩ
20 pF
Data
Video
0.22 μF
Active
Video
OPA606
OPA606
GND
OPA606
Clamp
SD210DE
5V
0.1 μF
&10 μF
Vb (=Vofd)*
* Vb͉ͅȂVofd͂൳̲ഩգͬවႁ̱̩̺̯̞̀ȃ
KMPDC0562JA
タイミングチャート例
MST
MCLK
ST
CLK
INT
Reset
Clamp
Trigger
Data Video
EOS
KMPDC0386JB
8
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
蓄積時間の可変機能
INT端子のクロックの制御によって、蓄積時間を画素ごとに「読み出し1周期の整数倍」に変えることができます。特定画素の読み出
しタイミングにおいて、INT端子のクロックをHighにすると、その画素の信号は出力されません (以下の図参照)。その画素において、
信号が出力されない場合、蓄積が継続することになります。この機能によって、たとえば読み出し1周期の蓄積時間が100 msの場合、
3周期に1回だけ信号が出力されるように設定した画素の蓄積時間は300 msになります。特定の画素の蓄積時間を長くすることによっ
て、分光された微弱な波長成分の信号を効率的に検出することができます。
タイミングチャート
(蓄積時間の可変機能を使用し、1 ch目の蓄積時間を基準として、2 ch・3 ch・4 ch目の蓄積時間をそれぞれ2倍・3倍・4倍
に設定する場合の概念図)
CLK
ST
උ͙੄̱
ΗͼηϋΈ
1 2 3 4
1 2 3 4
1 2 3 4
1 2 3 4
1 2 3 4
INT
1 chಇୟশ‫ۼ‬
2 chಇୟশ‫ۼ‬
3 chಇୟশ‫ۼ‬
4 chಇୟশ‫ۼ‬
੄ႁ
ྫ࢘ΟȜΗ
ခ࢘ΟȜΗ
KMPDC0233JC
9
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
外形寸法図 (単位: mm)
S10121-128Q-01, S10124-256Q-01
਋࢕໐
6.4 × 2.5
1.3 ± 0.2*1
3.2 ± 0.3
12
਋࢕࿂
10.16 ± 0.25
22
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
1
31.75 ± 0.3
11
0.5 ± 0.05*3
3.0 ± 0.3
௢औ༷࢜
5.2 ± 0.2
10.4 ± 0.25
1 ch
0.25
1.4 ± 0.2*2
5.0 ± 0.5
0.51 ± 0.05
2.54 ± 0.13
ခْ࢘ள͈‫ڙ‬ഽୈഽĻ ±2°
ςȜΡੜၑĻ Ni/AuιΛ΅
ςȜΡऺৗĻ FeNiࣣ߄
*1: ୞‫ם‬ௗ͈ນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*3: ௗ͈࢚̯
25.4 ± 0.13
KMPDA0060JG
S10121-256Q-01, S10124-512Q-01
਋࢕໐
12.8 × 2.5
1.3 ± 0.2*1
6.4 ± 0.3
਋࢕࿂
12
10.16 ± 0.25
22
1
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
11
31.75 ± 0.3
5.2 ± 0.2
10.4 ± 0.25
1 ch
0.25
1.4 ± 0.2*2
0.5 ± 0.05*3
3.0 ± 0.3
௢औ༷࢜
5.0 ± 0.5
0.51 ± 0.05
2.54 ± 0.13
ခْ࢘ள͈‫ڙ‬ഽୈഽĻ ±2°
ςȜΡੜၑĻ Ni/AuιΛ΅
ςȜΡऺৗĻ FeNiࣣ߄
*1: ୞‫ם‬ௗ͈ນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*3: ௗ͈࢚̯
25.4 ± 0.13
KMPDA0061JG
10
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
S10121-512Q-01, S10124-1024Q-01
਋࢕໐
25.6 × 2.5
1.4 ± 0.2*2
12
਋࢕࿂
10.4 ± 0.25
10.16 ± 0.25
22
1 ch
0.25
1.3 ± 0.2*1
12.8 ± 0.3
11
5.2 ± 0.2
1
40.6 ± 0.3
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
0.5 ± 0.05*3
3.0 ± 0.3
௢औ༷࢜
5.0 ± 0.5
0.51 ± 0.05
2.54 ± 0.13
ခْ࢘ள͈‫ڙ‬ഽୈഽĻ ±2°
ςȜΡੜၑĻ Ni/AuιΛ΅
ςȜΡऺৗĻ FeNiࣣ߄
*1: ୞‫ם‬ௗ͈ນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*3: ௗ͈࢚̯
25.4 ± 0.13
KMPDA0062JG
S10122-128Q-01, S10123-256Q-01
਋࢕໐
6.4 × 0.5
1.3 ± 0.2*1
3.2 ± 0.3
12
਋࢕࿂
10.16 ± 0.25
22
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
1
31.75 ± 0.3
0.5 ± 0.05*3
3.0 ± 0.3
௢औ༷࢜
11
5.2 ± 0.2
10.4 ± 0.25
1 ch
0.25
1.4 ± 0.2*2
5.0 ± 0.5
0.51 ± 0.05
2.54 ± 0.13
ခْ࢘ள͈‫ڙ‬ഽୈഽĻ ±2°
ςȜΡੜၑĻ Ni/AuιΛ΅
ςȜΡऺৗĻ FeNiࣣ߄
*1: ୞‫ם‬ௗ͈ນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*3: ௗ͈࢚̯
25.4 ± 0.13
KMPDA0215JG
11
S10121~S10124シリーズ (-01)
CMOSリニアイメージセンサ
S10122-256Q-01, S10123-512Q-01
਋࢕໐
12.8 × 0.5
12
਋࢕࿂
10.16 ± 0.25
22
0.25
1.3 ± 0.2*1
6.4 ± 0.3
10.4 ± 0.25
1 ch
1.4 ± 0.2*2
11
5.2 ± 0.2
1
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
31.75 ± 0.3
0.5 ± 0.05*3
3.0 ± 0.3
௢औ༷࢜
ခْ࢘ள͈‫ڙ‬ഽୈഽĻ ±2°
ςȜΡੜၑĻ Ni/AuιΛ΅
ςȜΡऺৗĻ FeNiࣣ߄
*1: ୞‫ם‬ௗ͈ນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*3: ௗ͈࢚̯
5.0 ± 0.5
0.51 ± 0.05
2.54 ± 0.13
25.4 ± 0.13
KMPDA0216JG
S10122-512Q-01, S10123-1024Q-01
਋࢕໐
25.6 × 0.5
12
਋࢕࿂
10.16 ± 0.25
22
0.25
1.3 ± 0.2*1
12.8 ± 0.3
10.4 ± 0.25
1 ch
1.4 ± 0.2*2
11
5.2 ± 0.2
1
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
40.6 ± 0.3
0.5 ± 0.05*3
3.0 ± 0.3
௢औ༷࢜
5.0 ± 0.5
0.51 ± 0.05
2.54 ± 0.13
ခْ࢘ள͈‫ڙ‬ഽୈഽĻ ±2°
ςȜΡੜၑĻ Ni/AuιΛ΅
ςȜΡऺৗĻ FeNiࣣ߄
*1: ୞‫ם‬ௗ͈ນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘‫ݻ‬ၗ
*3: ௗ͈࢚̯
25.4 ± 0.13
KMPDA0217JG
12
CMOSリニアイメージセンサ
S10121~S10124シリーズ (-01)
ピン接続
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ST
1
22
CLK
INT
2
21
NC
Vofg
3
20
NC
Vdd
4
19
NC
GND
5
18
NC
GND
6
17
NC
Vdd
7
16
NC
Vofd
8
15
NC
Active Video
9
14
NC
Dummy Video
10
13
NC
GND
11
12
EOS
KMPDC0230JC
ピン No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
記号
ST
INT
Vofg
Vdd
GND
GND
Vdd
Vofd
Active Video
Dummy Video
GND
EOS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CLK
ピン名称
スタートパルス
蓄積時間可変パルス
オーバーフローゲート電圧
電源電圧
グランド
グランド
電源電圧
オーバーフロードレイン電圧
ビデオ出力
ダミービデオ出力
グランド
エンドオブスキャン
入出力
入力
入力
入力
入力
入力
入力
入力
入力
出力
出力
入力
出力
無接続
クロックパルス
入力
使用上の注意
(1) 静電気対策
本製品は静電気に対する保護回路を内蔵していますが、静電気による破壊を未然に防ぐために、作業者・作業台・作業工具の接地
などの静電気対策を実施してください。
また、周辺機器からのサージ電圧を防ぐようにしてください。
(2) 入射窓
入射窓ガラスの表面にゴミや汚れが付着すると画像に黒キズとして現れます。ゴミや汚れを拭き取る場合、乾いた布や綿棒などで
こすると静電気発生の原因となります。アルコール類を少量含ませた柔らかい布・紙・綿棒などでゴミや汚れを拭き取り、シミが
残らないように圧搾気体を吹き付けてください。
(3) はんだ付け
はんだ付けによる損傷を避けるため、はんだ温度、はんだ付け時間に十分注意してください。
はんだ付け作業は、はんだ温度260 °C以下、5秒以内で行ってください。
(4) 動作/保存環境
定格温度内にて取り扱いください。
過度の高温高湿条件下においては、特性に変化を生じることがあります。
(5) 紫外線照射
本製品は紫外線照射による特性劣化を抑えるように設計されていますが、不必要な照射は避けてください。
また、ガラスの接着部分には紫外線が当たらないようにしてください。
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CMOSリニアイメージセンサ
S10121~S10124シリーズ (-01)
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ イメージセンサ/使用上の注意
技術情報
・ イメージセンサ/用語の説明
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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Cat. No. KMPD1162J02 Oct. 2015 DN
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