s12071 kmpd1138j

CCDエリアイメージセンサ
S12071
紫外域高感度、アンチブルーミング機能付き
裏面入射型構造により紫外から可視域にわたって高感度をもち、高ダイナミックレンジ・低暗電流・アンチブルーミング
機能を実現したCCDエリアイメージセンサです。専用駆動回路 C12081シリーズ (Camera Link、USB 2.0インターフェー
ス)を用意しています (別売)。
特長
用途
紫外域で高感度
ICP分光分析
1段電子冷却型
科学計測機器
低暗電流
紫外イメージング
アンチブルーミング機能付き
用途に応じて読み出しポートを選択可能
Tap A: 低ノイズアンプ (1 MHz max.)
Tap B: 高速アンプ (10 MHz max.)
有効画素数: 1024 × 1024
構成
項目
イメージサイズ (H × V)
画素サイズ (H × V)
全画素数 (H × V)
有効画素数 (H × V)
垂直クロック
水平クロック
Tap A
出力回路
Tap B
パッケージ
窓材
冷却
仕様
24.576 × 24.576 mm
24 × 24 μm
1056 × 1032
1024 × 1024
2相
2相
1段MOSFETソースフォロワ
3段MOSFETソースフォロワ
40ピン セラミックDIP
石英ガラス
1段電子冷却
浜松ホトニクス株式会社
1
CCDエリアイメージセンサ
S12071
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
動作温度*1 *2
保存温度*2
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
出力アンプ帰還電圧
オーバーフロードレイン電圧
ダンプドレイン電圧
垂直入力ソース電圧
オーバーフローゲート電圧
ダンプゲート電圧
垂直入力ゲート電圧
サミングゲート電圧
出力ゲート電圧
リセットゲート電圧
トランスファーゲート電圧
垂直シフトレジスタクロック電圧
水平シフトレジスタクロック電圧
内蔵冷却素子の最大電流*3
内蔵冷却素子の最大電圧
記号
Topr
Tstg
VODA
VODB
VRDA, VRDB
Vret
VOFD
VDD
VISV
VOFG
VDG
VIGV
VSGA, VSGB
VOGA, VOGB
VRGA, VRGB
V TG
VP1V, VP2V
VP1H, VP2H
VP3H, VP4H
Imax
Vmax
Min.
-50
-50
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-15
-15
-15
-15
-15
-15
-15
-15
Typ.
-
Max.
+50
+70
+30
+25
+18
+18
+18
+18
+18
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
単位
°C
°C
-15
-
+15
V
-
-
4.0
3.4
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
*1: チップ温度
*2: 結露なきこと
*3: 電流値がImax以上になると、ジュール熱によって熱吸収率が低下し始めます。この最大電流 Imaxは冷却器を損なわないためのしきい値
ではありませんので注意してください。電子冷却素子を保護し、安定した動作を維持するために、供給電流をこの最大電流の60%以下に
設定してください。
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
高温度環境において、製品とその周囲で温度差があると、製品表面が結露し電気的／光学的特性と信頼性に影響を及ぼす可能性があります。
2
S12071
CCDエリアイメージセンサ
動作条件 (Ta=25 °C)
項目
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
出力アンプ帰還電圧*4
オーバーフロードレイン電圧
ダンプドレイン電圧
垂直入力ソース
テストポイント
垂直入力ゲート
オーバーフローゲート電圧
ダンプゲート電圧
High
サミングゲート電圧
Low
出力ゲート電圧
High
リセットゲート電圧
Low
High
トランスファーゲート電圧
Low
High
垂直シフトレジスタクロック電圧
Low
High
水平シフトレジスタクロック電圧
Low
基板電圧
外部負荷抵抗
記号
VODA
VODB
VRDA, VRDB
Vret
VOFD
VDD
VISV
VIGV
VOFG
VDG
VSGAH, VSGBH
VSGAL, VSGBL
VOGA, VOGB
VRGAH, VRGBH
VRGAL, VRGBL
VTGH
VTGL
VP1VH, VP2VH
VP1VL, VP2VL
VP1HH, VP2HH
VP3HH, VP4HH
VP1HL, VP2HL
VP3HL, VP4HL
VSS
RLA
RLB
Min.
23
11
14
11
11
-10
-10
-10
7
-8
5
6
-8
4
-10
4
-10
Typ.
24
12
15
1
12
12
VRD
-9
-9
-9
8
-7
6
7
-7
5
-9
5
-9
Max.
25
13
16
2
13
13
-8
-8
-8
9
-6
7
8
-6
6
-8
6
-8
7
8
9
-8
-7
-6
8
2.0
0
10
2.2
24
2.4
単位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kΩ
*4: 出力アンプ帰還電圧は基板電圧に対して正電圧となりますが、電流はセンサから流れ出す方向に流れます。
電気的特性 (指定のない場合はTa=25 °C, 動作条件: Typ.)
項目
信号出力周波数*5
Tap A
Tap B
垂直シフトレジスタ容量
水平シフトレジスタ容量
サミングゲート容量
リセットゲート容量
トランスファーゲート容量
電荷転送効率*6
DC出力レベル*5
出力インピーダンス*5
アンプ消費電流*5
消費電力*5 *7
Tap A
Tap B
Tap A
Tap B
Tap A
Tap B
Tap A
Tap B
記号
fca
fcb
CP1V, CP2V
CP1H, CP2H
CP3H, CP4H
CSGA, CSGB
CRGA, CRGB
CTG
CTE
Vout
Zo
Ido
P
単位
Min.
-
Typ.
0.1
2
15500
Max.
1
10
-
MHz
-
100
-
pF
0.99995
-
15
15
160
0.99999
16
8
3500
170
2
6
45
70
3
9
65
100
pF
pF
pF
-
pF
V
Ω
mA
mW
*5: Tap A: VODA=24 V, RLA=10 kΩ, Tap B: VODB=12 V, RLB=2.2 kΩ
*6: 飽和電荷量の半分のときに測定した、1画素当たりの転送効率
*7: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力
3
S12071
CCDエリアイメージセンサ
電気的および光学的特性 (指定のない場合は Ta=25 °C, 動作条件: Typ.)
項目
記号
Vsat
Fw
飽和出力電圧
飽和電荷量
CCD変換効率*8
暗電流*9
読み出しノイズ*8 *10
ダイナミックレンジ*10 *11
Tap A
Tap B
Td=25 °C
Td=0 °C
Tap A
Tap B
Tap A
Tap B
Sv
DS
Nr
DR
感度不均一性*12
感度波長範囲
アンチブルーミング
PRNU
λ
AB
白キズ
黒キズ
ポイント欠陥*13
キズ
Min.
280
4
4.5
15555
2800
Fw × 100
-
-
クラスタ欠陥*14
コラム欠陥*15
Typ.
Fw × Sv
350
5
5.5
100
7
9
50
38888
7000
±3
165 ～ 1100
-
Max.
6
6.5
1000
70
18
100
±10
3
10
3
0
単位
V
keμV/ee-/pixel/s
e- rms
%
nm
-
*8: Tap A: VODA=24 V, RLA=10 kΩ, Tap B: VODB=12 V, RLB=2.2 kΩ
*9: 暗電流は5～7 °Cの冷却で1/2になります。
*10: 信号出力周波数=100 kHz (Tap A), 2 MHz (Tap B)
*11: ダイナミックレンジ=飽和電荷量／読み出しノイズ
*12: LED光 (ピーク波長: 660 nm)を用いて飽和出力の半分のときに測定
ۜഽະ޳֚଻ =
ࡥ೰ΩΗȜϋΦͼΒ (peak to peak)
૞࣢
× 100 [%]
*13: 白キズ=冷却温度 0 °Cで1秒間蓄積したときに、暗電流が1 ke-を超える画素
黒キズ=平均出力画素に比べて感度が半分以下の画素 (測定条件: 飽和電荷量の1/2の出力になる均一光)
*14: 2～9個の連続した画像欠陥
*15: 10個以上の連続した画像欠陥
分光感度特性 (窓なし時)*16
(Typ. Ta=25 °C)
120
110
100
ၾঊ࢘ၚġ(%)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
෨ಿġ(nm)
KMPDB0373JB
*16: 窓材の透過率特性により分光感度は低下します。
4
S12071
CCDエリアイメージセンサ
窓材の分光透過特性
暗電流ー温度
(Typ. Ta=25 °C)
100
80
ճഩၠ (e-/pixel/s)
100
60
40
10
1
0.1
20
0
200
300
400
500
600
700
800
900
0.01
-50
1000
-40
-20
-30
෨ಿ (nm)
-10
0
10
20
30
‫أ‬ഽ (°C)
KMPDB0303JA
KMPDB0370JA
デバイス構造 (外形寸法図において上面からみた概念図)
ခْ࢘ள
Thinning
ခْ࢘ள
33
32
29
28
25
24
23
4-bevel
38
5
4
3
2
1 2 34 5
H
1
20
2
19
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Tap A
କ໹ΏέΠτΐΑΗ
13
14
15
16
17
4-bevel
କ໹ΏέΠ
τΐΑΗ
1024 ૞࣢੄ႁ
V
Thinning
൫ًၚ (%)
(Typ.)
1000
18
Tap B
8ήρϋ·ْள
1024 ૞࣢੄ႁ
8-bevel
8ήρϋ·ْள
8-bevel
ಕ) ࢕වৣ༷̥࢜ͣࡉ̹ાࣣȂକ໹ΏέΠτΐΑΗ͉Si͈࢚̞໐໦ġ(ະۜ໐໦)́ໞ̞̳̦ͩͦ̀͘Ȃಿ෨ಿ͈࢕͉ະۜ໐໦͈
Siͬ൫ً̱Ȃକ໹ΏέΠτΐΑΉ਋࢕̯ͦͥ‫خ‬ෝ଻̦̜̳ͤ͘ȃຈါͅ؊̲̀৭࢕͈̈́̓చॐ࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃ
KMPDC0423JA
5
S12071
CCDエリアイメージセンサ
タイミングチャート
エリアスキャン (Tap A: 低速)
ಇୟ‫ۼܢ‬
(‫ٸ‬໐ΏλΛΗ‫)ٳ‬
උ͙੄̱‫ٸ( ۼܢ‬໐ΏλΛΗ໾)
SGB
RGB
Tpwv
1
P1V
2
3
4..1031 1032←4 (bevel) + 1024 + 4 (bevel)
P2V, TG
P1H, P2H
P3H, P4H, SGA
RGA
OSA
Tovr
Tpfv
Tprv
‫ڐ‬ఱ଎
P2V, TG
Tpwh, Tpws
Tprh
Tpfh
P1H, P2H
Tprh, Tprs
Tpfh, Tpfs
P3H, P4H, SGA
Tpwr
Tprr
Tpfr
RGA
OSA
D1
D2
D3
D4
D30
D5..D16, S1..S1024, D17..D29
D31
D32
KMPDC0424JA
KMPDC0424JA
17
P1V, P2V, TG*
P1H, P2H, P3H, P4H*17
SGA
RGA
TG – P1H, P2H
項目
パルス幅
上昇／下降時間
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
オーバーラップ時間
記号
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Min.
60
10
500
10
40
500
10
40
10
5
3
Typ.
75
5000
50
5000
50
500
-
Max.
60
60
-
単位
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
*17: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
6
S12071
CCDエリアイメージセンサ
エリアスキャン (Tap B: 高速)
ಇୟ‫ۼܢ‬
(‫ٸ‬໐ΏλΛΗ‫)ٳ‬
උ͙੄̱‫ٸ( ۼܢ‬໐ΏλΛΗ໾)
SGA
RGA
Tpwv
1
P1V
2
3
4..1031 1032←4 (bevel) + 1024 + 4 (bevel)
P2V, TG
P1H, P4H
P2H, P3H, SGB
RGB
OSB
Tovr
Tpfv
Tprv
‫ڐ‬ఱ଎
P2V, TG
Tpwh, Tpws
Tprh
Tpfh
P1H, P4H
Tprh, Tprs
Tpfh, Tpfs
P2H, P3H, SGB
Tpwr
Tprr
Tpfr
RGB
OSB
D1
P1V, P2V, TG*18
P1H, P2H, P3H, P4H*18
SGB
RGB
TG – P1H, P4H
D2
項目
パルス幅
上昇／下降時間
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
オーバーラップ時間
D3
D4
D30
D5..D16, S1..S1024, D17..D29
記号
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Min.
60
10
50
10
40
50
10
40
5
5
3
D31
D32
KMPDC0425JA
Typ.
75
250
50
250
50
25
-
Max.
60
60
-
単位
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
*18: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
7
S12071
CCDエリアイメージセンサ
外形寸法図 (単位: mm)
වৣௗ 32.8 ± 0.13
29.3 ± 0.13
43.8 ± 0.15
50.3 ± 0.5
2.0 ± 0.05
5.0 ± 0.5
50.8 ± 0.51
20.0 ± 0.2
21
0.6 ± 0.1*3
40
+0.05
0.5 -0.03
5.0 ± 0.05
਋࢕໐ġġ 24.576
1
20
48.26 ± 0.3
52.5 ± 0.53
60.5 ± 0.2
64.5 ± 0.3
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
άϋNo.1
ͺσηέτȜθນ࿂*1
ௗऺນ࿂
਋࢕࿂*2
12.41 ± 1.41
2.54 ± 0.13
11.91 ± 1.2
0.5 ± 0.07
1.0 ± 0.1
3.0 ± 0.3
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
*1: Γϋ΍ͬ‫ܖ‬โ̈́̓ͅொව̳ͥषͅͺσηέτȜθͬ؋̯̞̩̺̯̞̈́́ȃͺση
έτȜθͬ؋̳͂Ȃௗऺ̦ญၗ̱̀‫̦଻ྟܨ‬అ̈́ͩͦͥ‫خ‬ෝ଻̦̜̳ͤ͘ȃொ
ව͈ष͉ͅȂ
Γϋ΍ུఘ௰࿂ͬ঵̽̀৾ͤե̩̺̯̞̽̀ȃ̹͘ȂΩΛΉȜΐၰ
౤͈͇̲গ͛໐ͬ؋̱̀ொව̳̭ͥ͂͜‫خ‬ෝ̳̦́Ȃ‫̩ޑ‬؋̨̱̳͇̲ͥ͂গ
͛໐̦୬ͦͥ‫خ‬ෝ଻̦̜̳͈ͤ́͘ྫၑͅ؋̱ࣺ̞̩̺̯̞̈́́͘ȃ
*2: ਋࢕࿂̹͙ͩͅ [PV (Peak to Valley)౵: ࿩80ȡ160 μm]̦̜̳ͤ͘ȃ
*3: ௗऺ͈࢚̯
KMPDA0296JC
8
CCDエリアイメージセンサ
S12071
ピン接続
ピン No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
記号
SS
OSA
RDA
ODA
OGA
DD
RGA
SGA
P4H
P3H
P2H
P1H
SGB
RGB
DG
OGB
ODB
RDB
OSB
Vret
PPTG
P2V
P1V
NC
NC
IGV
ISV
TH
TH
OFD
OFG
NC
NC
NC
NC
SS
P+
P+
機能
基板
出力トランジスタソース-A
リセットドレイン-A
出力トランジスタドレイン-A
出力ゲート-A
ダンプドレイン
リセットゲート-A
サミングゲート-A
水平シフトレジスタ クロック-4
水平シフトレジスタ クロック-3
水平シフトレジスタ クロック-2
水平シフトレジスタ クロック-1
サミングゲート-B
リセットゲート-B
ダンプゲート
出力ゲート-B
出力トランジスタドレイン-B
リセットドレイン-B
出力トランジスタソース-B
出力アンプ帰還電圧
電子冷却素子 (-)
電子冷却素子 (-)
トランスファーゲート
垂直シフトレジスタ クロック-2
垂直シフトレジスタ クロック-1
無接続
無接続
テストポイント (垂直入力ゲート)
テストポイント (垂直入力ソース)
サーミスタ
サーミスタ
オーバーフロードレイン
オーバーフローゲート
無接続
無接続
無接続
無接続
基板
電子冷却素子 (+)
電子冷却素子 (+)
備考 (標準動作)
0V
RL=10 kΩ
+15 V
+24 V
+6 V
+12 V
+7 V/-7 V
+8 V/-7 V
+8 V/-7 V
+8 V/-7 V
+8 V/-7 V
+8 V/-7 V
+8 V/-7 V
+7 V/-7 V
-9 V
+6 V
+12 V
+15 V
RL=2.2 kΩ
+1 V
+5 V/-9 V
+5 V/-9 V
+5 V/-9 V
-9 V
RDに接続
+12 V
-9 V
0V
9
S12071
CCDエリアイメージセンサ
内蔵電子冷却素子の仕様 (Typ.)
項目
内部抵抗
内蔵冷却素子の最大熱吸収*19 *20
記号
Rint
Qmax
条件
Ta=25 °C
仕様
0.65 ± 0.13
9.9
単位
Ω
W
*19: 最大電流をセンサに供給したときに、電子冷却素子に生じる温度差を補正する理論的な熱吸収レベルです。
*20: Tc=Thのときの熱吸収です。
Tc: 電子冷却素子の冷却側の温度
Th: 電子冷却素子の放熱側の温度
(Typ. Th=25 °C)
6
30
5
20
4
10
3
0
2
-10
1
-20
0
0
1
2
3
4
5
CCD ‫أ‬ഽ (°C)
ഩգ (V)
ഩգȽഩၠ
CCD ‫أ‬ഽȽഩၠ
-30
ഩၠ (A)
KMPDB0371JA
冷却面を0 °Cにするために、放熱側の温度を30 °C以下にする必要があります。放熱器の熱抵抗は、目安として1 °C/W以下のものを使
用してください。
10
CCDエリアイメージセンサ
S12071
内蔵温度センサの仕様
CCDチップと同じパッケージにサーミスタチップが内蔵されており、動作中のCCDチップ温度をモニタします。
このサーミスタの抵抗値と絶対温度の関係は次式で表されます。
RT1 = RT2 × exp BT1/ T2 (1/T1 - 1/T2)
1 MΩ
使用しているサーミスタの特性は以下のとおりです。
R298=10 kΩ
B298/323=3450 K
೷ࢯ
RT1: 絶対温度 T1 [K]のときの抵抗値
RT2: 絶対温度 T2 [K]のときの抵抗値
BT1/ T2: B定数 [K]
100 kΩ
10 kΩ
220
230
240
250
260
270
280
290
300
‫أ‬ഽ (K)
KMPDB0111JB
使用上の注意 (静電対策)
・素手あるいは綿の手袋をはめてセンサを扱うようにしてください。さらに、摩擦で生じる静電気によるダメージを避けるため、静電
防止服やアース付きリストバンドを身に着けてセンサを取り扱ってください。
・静電気を帯びる可能性のある作業台やフロアの上にセンサを直接置かないでください。
・作業台や作業フロアには、静電気を放電させるためのアース線を接続してください。
・センサを取り扱うピンセットやはんだごてなどの道具にもアース線を接続してください。
上記の静電対策は必ずしもすべて行う必要はありません。発生する障害の程度に応じて対策を施してください。
素子の冷却・昇温時の温度勾配速度
外付け冷却器で冷却する場合は、素子の冷却・昇温時の温度勾配速度を、5 K/min以下になるように設定してください。
関連情報
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注意事項
・注意事項とお願い
・イメージセンサ/使用上の注意
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CCDエリアイメージセンサ
S12071
開発中 マルチチャンネル検出ヘッド　C12081/C12081-01
仕様
項目
Tap A
データレート
Tap B
Tap A
フレームレート (max.)
Tap B
Tap A
ダイナミックレンジ
Tap B
冷却温度*21
電源電圧
A/D分解能
インターフェース
外形寸法
質量
仕様
100 kHz
2 MHz
0.09フレーム/s
1.42フレーム/s
30000
5000
-10 ～ +10 °C
+5 V, ±15 V
16ビット
Camra Link Base、USB 2.0
90 × 100 × 79.6 mm
1.2 kg
*21: 冷却温度は、C12081の循環水温度、C12081-01の周囲温度に
依存します。
本資料の記載内容は、平成26年12月現在のものです。
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Cat. No. KMPD1138J03 Dec. 2014 DN
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