Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0...5 ˚ 0.2 0.1 0...0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● geeignet für Vapor-Phase Löten und IRReflow-Löten ● SMT-fähig Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm ● Short switching time (typ. 20 ns) ● Suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering ● Suitable for SMT Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● IR-Fernsteuerungen ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Photointerrupters ● IR remote controls ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code BP 104 S Q62702-P1605 Semiconductor Group 1 1997-11-19 BP 104 S Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 85 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit VR = 5 V Spectral sensitivity S 55 (≥ 40) nA/lx Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 4.84 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.20 × 2.20 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.3 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.90 Electrons Photon Semiconductor Group 2 L×W 1997-11-19 BP 104 S Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Leerlaufspannung, EV = 1000 lx Open-circuit voltage VO 360 (≥ 280) mV Kurzschlußstrom, EV = 1000 lx Short-circuit current ISC 50 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 20 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 48 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TKV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TKI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 850 nm NEP 3.6 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm Detection limit D* 6.1 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 1997-11-19 BP 104 S Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) OHF00078 100 ΙP S rel % OHF02283 10 3 µA Total power dissipation Ptot = f (TA) 10 4 mV V OHF00958 160 mW Ptot 140 80 10 2 10 3 VO 60 100 ΙP 10 1 120 10 2 40 80 60 10 0 10 1 40 20 20 10 -1 10 0 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Dark current IR = f (VR), E = 0 10 1 10 2 10 0 10 3 lx 10 4 EV Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 OHF02284 10 2 C ΙR 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF01778 60 nA 0 OHF00082 10 3 Ι R nA pF 50 10 2 10 1 40 10 1 30 20 10 0 10 0 10 10 -1 0 2 4 6 0 -2 10 8 10 12 14 16 V 20 10 -1 10 0 VR 10 1 V 10 2 VR 10 -1 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-19