INFINEON Q62702

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 3401
4.8
4.4
Active area
0.55
0.7
0.3
0.1
0.0
1.1
1.0
0.3
0.2
Chip position
2.1
1.9
0.8
0.6
0.5
0.3
1.1
0.9
Base
Collector
2.7
2.5
Emitter
GEO06973
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm
● Hohe Linearität
● SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet
für Vapor Phase-Löten und
IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4)
● Nur gegurtet lieferbar
Features
● Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm
● High linearity
● SMT package with base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow
soldering (JEDEC level 4)
● Available only on tape and reel
Anwendungen
● Umgebungslicht-Detektor
● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● „Messen/Steuern/Regeln“
Applications
● Ambient light detector
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1998-04-27
SFH 3401
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 3401
Q62702-P5014
Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung:
breiter Anschluß
Transparent epoxy resin, collector marking: broad
lead
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 85
oC
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
20
V
Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s
Collector-emitter voltage
VCE
70
V
Kollektorstrom
Collector current
IC
50
mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
100
mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
VEC
7
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
120
mW
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
RthJA
450
K/W
Semiconductor Group
2
1998-04-27
SFH 3401
Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ
460 ... 1080 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.55
mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
LxB
LxW
1x1
mm x mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
0.2 ... 0.3
mm
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CCE
15
pF
Kapazität, VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CCB
45
pF
Kapazität, VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CEB
19
pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 10 V, E = 0
ICEO
10 (≤ 200)
nA
IPCB
IPCB
0.28
4.8
µA
µA
Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.1 mW/cm2, VCB = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V
Semiconductor Group
3
1998-04-27
SFH 3401
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-1
-2
IPCE
63 ... 125
100 ... 200 160 ... 320
µA
IPCE
1.65
2.6
4.2
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr, tf
16
24
34
µs
Kollektor-EmitterSättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) x 0.3,
Ee = 0.1 mW/cm2
VCEsat
170
170
170
mV
Stromverstärkung
Current gain
Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
I PCE
---------I PCB
340
530
860
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard
light A, VCE = 5 V
1)
1)
-3
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
OHF01402
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
Semiconductor Group
0.4
0
20
40
60
80
4
100
120
1998-04-27
SFH 3401
TA = 25 oC, λ = 950 nm
Rel.spectral sensitivity Srel = f (λ)
OHF02332
100
Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
OHF00326
10 1
mA
Ι pce
S rel %
1
2
3
70
60
OHF02344
50
C CE pF
10 0
80
Collector-emitter capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
40
10 -1
30
10 -2
20
10 -3
10
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
OHF01524
1.6
10 -2
mW/cm 2
Ee
Ι PCE 25
10 -1
10 0
10 1
V 10 2
VCE
Collector-base capacitance
CCB= f (VCB), f = 1 MHz, E = 0
OHF02342
10 2
nA
Ι CEO
1.4
0 -2
10
10 0
Dark current
ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0
Photocurrent IPCE = f (TA),
VCE = 5 V, normalized to 25 °C
Ι PCE
10 -4 -3
10
C CB
OHF00332
50
pF
45
40
10 1
1.2
35
1.0
30
10 0
0.8
25
20
0.6
15
10 -1
0.4
10
0.2
5
10 -2
0
-25
0
25
50
Photocurrent IPCE = f (VCE)
SFH 3401-3
Ι pce
20
40
60
10 -1
10 0
10 1
V 10 2
V CB
Emitter-base capacitance
CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0
OHF02341
10 2
nA
Ι CEO
1.0 mW/cm 2
0 -2
10
80 ˚C 100
TA
Dark current ICEO = f (VCE), E = 0
OHF00327
3.0
mA
2.5
0
75 C 100
TA
C EB
OHF00333
20
pF
18
16
10 1
14
2.0
12
10 0
1.5
10
0.5 mW/cm 2
8
1.0
6
10 -1
0.25 mW/cm 2
4
0.5
0.1 mW/cm 2
0
2
10 -2
0
10
20
30
40
50
Semiconductor Group
60 V 70
Vce
0
10
20
30
5
40
50
V 70
V CE
0 -2
10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2
V EB
1998-04-27
SFH 3401
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
OHF00309
140
Ptot mW
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80 C 100
TA
Photocurrent IPCE = f (VCE), IB = Parameter
OHF00334
6
mA
Ι PCE
6 µA
5
5 µA
4
4 µA
3
3 µA
2
2 µA
1
1 µA
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 V 20
V CE
Semiconductor Group
6
1998-04-27