BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F feof6638 feo06638 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48) und bei 920 nm (BPX 48 F) ● Hohe Fotoempfindlichkeit ● DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte ● Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäβigkeit Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm (BPX 48 F) ● High photosensitivity ● DIL plastic package with high packing density ● Double diode with extremely high homogeneousness Anwendungen Nachlaufsteuerung Kantenführungen Weg- bzw. Winkelabtastungen Industrieelektronik “Messen/Steuern/Regeln” Application ● Follow-up control ● Edge control ● Path and angle scanning ● Industrial electronics ● For control and drive circuits ● ● ● ● ● Semiconductor Group 348 10.95 BPX 48 BPX 48 F Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPX 48 Q62702-P17-S1 BPW 48 F Q62702-P305 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 10 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 50 mW Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit BPX 48 BPX 48 F S 24 (≥ 15) – nA/Ix S – 7.5 (≥ 4.0) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 900 920 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 400 ... 1150 750 ... 1150 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1.54 Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2 Semiconductor Group 349 1.54 mm2 BPX 48 BPX 48 F Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit BPX 48 BPX 48 F 0.7 × 2.2 0.7 × 2.2 mm Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.5 0.5 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 10 (≤ 100) 10 (≤ 100) nA Sλ Sλ 0.55 – – 0.65 A/W ∆S ±5 ±5 % Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity λ = 850 nm λ = 950 nm Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der Systeme vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average L×W Quantenausbeute Quantum yield λ = 850 nm λ = 950 nm η 0.8 – – 0.95 Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm VO 330 (≥ 280) – mV VO – 300 (≥ 280) mV Kurzschlußstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, l = 950 nm ISC 24 – µA ISC – 7 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 20 µA t r, t f 500 500 ns Durchlaßspannung, IF = 40 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Semiconductor Group Electrons Photon 350 BPX 48 BPX 48 F Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value BPX 48 BPX 48 F Einheit Unit Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 25 25 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 – 2.6 mV/K TCI TCI 0.18 – – 0.2 %/K %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 950 nm NEP 1.0 × 10–13 1.0 × 10–13 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 950 nm Detection limit D* 1.2 × 1012 1.2 × 1012 cm · √Hz W Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A λ = 950 nm Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 351 BPX 48 BPX 48 F Relative spectral sensitivity BPX 48 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity BPX 48 F Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ev) BPX 48 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO = f (Ee) BPX 48 F Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V Semiconductor Group 352