BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1130 nm 420 nm to 1130 nm ● Hohe Linearität ● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) ● High linearity ● Hermetically sealed metal package (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C ● Gruppiert lieferbar with base connection suitable up to 125 °C ● Available in groups Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPY 62 Q60215-Y62 BPY 62-2 Q60215-Y1111 BPY 62-3 Q60215-Y1112 BPY 62-4 Q60215-Y1113 1) BPY 62-5 1) 1) Q62702-P1113 Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Semiconductor Group 238 10.95 BPY 62 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 125 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 50 V Kollektorstrom Collector current IC 100 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 200 mA Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage VEB 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 500 K/W Semiconductor Group 239 BPY 62 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 420 ... 1130 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.12 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 2.4 ... 3.0 mm Halbwinkel Half angle ϕ ±8 Grad deg. IPCB IPCB 4.5 17 µA µA CCE CCB CEB 8 11 19 pF pF pF Dunkelstrom Dark current VCE = 35 V, E = 0 ICEO 5 (≤ 100) nA Semiconductor Group 240 Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 BPY 62 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value -2 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ 1) 1) -5 0.5 ... 1.0 0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5 ≥ 2.0 mA 3.0 4.6 7.2 11.4 mA tr, tf 5 7 9 12 µs 150 150 160 180 mV 170 270 420 670 IPCE IPCB IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group -4 IPCE IPCE Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 Stromverstärkung Current gain Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V -3 Einheit Unit 241 BPY 62 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Output characteristics IC = f (VCE), IB = Parameter Output characteristics IC = f (VCE), IB = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Dark current ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Semiconductor Group 242 BPY 62 Collector-base capacitance CCB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0 Emitter-base capacitance CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 243