SFH 217 SFH 217 F Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 217 SFH 217 F Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 217) und bei 880 nm (SFH 217 F) ● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 217) and of 880 nm (SFH 217 F) ● Short switching time (typ. 5 ns) ● 5 mm LED plastic package Anwendungen Applications ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” ● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und ● Industrial electronics ● For control and drive circuits ● Light reflecting switches for steady and Wechsellichtbetrieb ● LWL varying intensity ● Fiber optic transmission systems ● Speziell geeignet für Anwendungen im Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code Gehäuse Package SFH 217 (*SFH 203 P) Q62702-P946 SFH 217 F (*SFH 203 PFA) Q62702-P947 plan, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (1/10) Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäusebund plane, transparent and black epoxy resin, solder tab 2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short solder tab, flat at package SFH 217 SFH 217 F Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg –55 ... +100 o Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) TS 300 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW C Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Wert Symbol Value Einheit Unit SFH 217 SFH 217 F S 9.5 (≥ 5) – nA/Ix S – 3.1 (≥ 1.8) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2 LxW SFH 217 SFH 217 F Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Wert Symbol Value Einheit Unit SFH 217 SFH 217 F Halbwinkel Half angle ϕ ± 75 ± 75 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 (≤ 10) 1 (≤ 10) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm VL 350 (≥ 300) – mV VL – 300 (≥ 250) mV Kurzschluβstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm IK 9.3 – µA IK – 3.0 µA Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 Ω; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 5 5 ns Durchlaβspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL TCV –2.6 –2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IK, Temperature coefficient of IK Normlicht/standard light A, λ = 950 nm TCI Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit %/K 0.18 – – 0.2 NEP 2.9 x 10–14 2.9 x 10–14 W √Hz D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm · √Hz W SFH 217 SFH 217 F Relative spectral sensitivity SFH 217 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity SFH 217 F Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage SFH 217 VL= f (Ev) Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage SFH 217 F VL= f (Ee) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0