INFINEON SFH2030

SFH 2030
SFH 2030 F
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
SFH 2030
SFH 2030 F
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Features
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of
880 nm (SFH 2030 F)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● LWL
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
● Fiber optic transmission systems
Typ (*ab 4/95)
Bestellnummer
Type (*as of 4/95) Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 2030
(*SFH 203)
Q62702-P955
SFH 2030 F
(*SFH 203 FA)
Q62702-P956
T13/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (1/10),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Lötspieβ, flach
am Gehäusebund
transparent and black epoxy resin, solder tab
2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short
solder tab, flat at package
Semiconductor Group
442
SFH 2030
SFH 2030 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
–55 ... +100
oC
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
TS
300
oC
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
50
V
Verlustleistung
Total power dissipation
Ptot
100
mW
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol Wert
Symbol Value
Einheit
Unit
SFH 2030
SFH 2030 F
S
80 (≥ 50)
–
nA/Ix
S
–
25 (≥ 15)
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ
400 ...1100
800 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
1
1
mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
LxB
1x1
1x1
mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
4.0 ... 4.6
4.0 ... 4.6
mm
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2
Semiconductor Group
LxW
443
SFH 2030
SFH 2030 F
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol Wert
Symbol Value
Einheit
Unit
SFH 2030
SFH 2030 F
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 20
± 20
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current
IR
1 (≤ 5)
1 (≤ 5)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Sλ
0.62
0.59
A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
η
0.89
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
VL
420 (≥ 350)
–
mV
VL
–
370 (≥ 300)
mV
Kurzschluβstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
IK
80
–
µA
IK
–
25
µA
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
tr, tf
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 50 kΩ; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
5
5
ns
Durchlaβspannung, IF = 80 mA, E = 0
Forward voltage
VF
1.3
1.3
V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C0
11
11
pF
Temperaturkoeffizient von VL
Temperature coefficient of VL
TCV
–2.6
–2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von IK,
Temperature coefficient of IK
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V, λ = 850 nm
Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm
Detection limit
Semiconductor Group
%/K
0.18
–
–
0.2
NEP
2.9 x 10–14
2.9 x 10–14
W
√Hz
D*
3.5 x 1012
3.5 x 1012
cm · √Hz
W
444
SFH 2030
SFH 2030 F
Relative spectral sensitivity SFH 2030
Srel = f (λ)
Relative spectral sensitivity SFH 2030 F
Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VL= f (Ev)
SFH 2030
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VL= f (Ee)
SFH 2030 F
Total power dissipation Ptot = f (TA)
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
445