SFH 2030 SFH 2030 F Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 2030 SFH 2030 F Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F) ● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of 880 nm (SFH 2030 F) ● Short switching time (typ. 5 ns) ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” ● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● LWL Applications ● Industrial electronics ● For control and drive circuits ● Light-reflecting switches for steady and varying intensity ● Fiber optic transmission systems Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code Gehäuse Package SFH 2030 (*SFH 203) Q62702-P955 SFH 2030 F (*SFH 203 FA) Q62702-P956 T13/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (1/10), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäusebund transparent and black epoxy resin, solder tab 2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short solder tab, flat at package Semiconductor Group 442 SFH 2030 SFH 2030 F Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg –55 ... +100 oC Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) TS 300 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Wert Symbol Value Einheit Unit SFH 2030 SFH 2030 F S 80 (≥ 50) – nA/Ix S – 25 (≥ 15) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 400 ...1100 800 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2 Semiconductor Group LxW 443 SFH 2030 SFH 2030 F Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Wert Symbol Value Einheit Unit SFH 2030 SFH 2030 F Halbwinkel Half angle ϕ ± 20 ± 20 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm VL 420 (≥ 350) – mV VL – 370 (≥ 300) mV Kurzschluβstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm IK 80 – µA IK – 25 µA Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 kΩ; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA 5 5 ns Durchlaβspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL TCV –2.6 –2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IK, Temperature coefficient of IK Normlicht/standard light A λ = 950 nm TCI Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit Semiconductor Group %/K 0.18 – – 0.2 NEP 2.9 x 10–14 2.9 x 10–14 W √Hz D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm · √Hz W 444 SFH 2030 SFH 2030 F Relative spectral sensitivity SFH 2030 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity SFH 2030 F Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev) SFH 2030 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ee) SFH 2030 F Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 445