SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA feof6447 feo06447 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm (SFH 229) und bei 880 nm (SFH 229 FA) ● Kurze Schaltzeit (typ. 10 ns) ● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 380 nm to 1100 nm (SFH 229) and of 880 nm (SFH 229 FA) ● Short switching time (typ. 10 ns) ● 3 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechselbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 229 Q62702-P215 SFH 229 FA (*SFH 229 F) Q62702-P216 Semiconductor Group 1 01.97 SFH 229 SFH 229 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 229 SFH 229 FA S 28 (≥ 18) – nA/Ix S – 20 (≥ 10.8) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 860 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 380 ... 1100 730 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.3 0.3 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 0.56 × 0.56 0.56 × 0.56 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm Semiconductor Group 2 Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 L×W SFH 229 SFH 229 FA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 229 SFH 229 FA Einheit Unit Halbwinkel Half angle ϕ ± 17 ± 17 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 50 (≤ 5000) 50 (≤ 5000) pA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 0.60 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.90 0.88 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm VO 450 (≥ 400) – mV VO – 420 (≥ 370) mV Kurzschlußstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm ISC 27 – µA ISC – 9 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes t r, t f Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 10 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA 10 10 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 13 13 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A λ = 950 nm TCI Semiconductor Group 3 %/K 0.18 – – 0.2 SFH 229 SFH 229 FA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 229 SFH 229 FA Einheit Unit Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 850 nm NEP 6.5 × 10– 15 6.5 × 10– 15 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm Detection limit D* 8.4 × 1012 8.4 × 1012 cm · √Hz W Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 SFH 229 SFH 229 FA Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) SFH 229 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) SFH 229 FA Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 229 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) SFH 229 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHZ, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 Semiconductor Group 5