SFH 309 P SFH 309 PFA SFH 309 P SFH 309 PFA feof6445 feo06445 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309 P) und bei 880 nm (SFH 309 PFA) ● Hohe Linearität ● 3 mm plane Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Gruppiert lieferbar 380 nm to 1180 nm (SFH 309 P) and of 880 nm (SFH 309 PFA) ● High linearity ● 3 mm plane LED plastic package ● Available in groups Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 309 P Q62702-P245 SFH 309 PFA (*SFH 309 PF) Q62702-P246 Semiconductor Group 1 01.97 SFH 309 P SFH 309 PFA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 15 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 75 mA Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Semiconductor Group 2 SFH 309 P SFH 309 PFA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 309 P SFH 309 PFA 900 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 860 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 380 ... 1180 730 ... 1120 nm 0.045 0.045 mm2 Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm) A Radiant sensitive area nm Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.4 ... 0.8 0.4 ... 0.8 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 75 ± 75 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 5.0 5.0 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA Semiconductor Group 3 SFH 309 P SFH 309 PFA Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 309 P: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V IPCE ≥ 63 µA IPCE 420 µA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf ≥6 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = 20 µA , Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 mV Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 SFH 309 P SFH 309 PFA Relative spectral sensitivity, SFH 309 P Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity, SFH 309 PFA Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Capacitance CCE= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Semiconductor Group 5