SFH 305 SFH 305 feo06137 Mini-NPN-Silizium-Fototransistor Mini-Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 460 nm bis 1060 nm ● Hohe Linearität ● Mini-Bauform ● Gruppiert lieferbar 460 nm to 1060 nm ● High linearity ● Mini-package ● Available in groups Anwendungen Applications ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● Lochstreifenleser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 305 Q62702-P836 SFH 305-2 Q62702-P848 SFH 305-3 Q62702-P849 Semiconductor Group 262 Miniature photointerrupters Punched tape reading Industrial electronics For control and drive circuits 10.95 SFH 305 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 230 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 32 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 200 mA Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 70 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 950 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 460 ... 1060 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.17 mm2 Semiconductor Group 263 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics SFH 305 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.6 × 0.6 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 1.3 ... 1.9 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 16 Grad deg. Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 5.5 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 3 (≤ 20) nA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit -2 -3 IPCE IPCE 0.25 ... 0.5 1.4 0.4 ... 0.8 2.2 mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ t r, t f 5.5 6 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 mV Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 264 SFH 305 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 265